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    Apparatuses, computer program products and methods for reading data from memory cells
    1.
    发明申请
    Apparatuses, computer program products and methods for reading data from memory cells 有权
    用于从存储器单元读取数据的装置，计算机程序产品和方法

    公开(公告)号：US20090027971A1

    公开(公告)日：2009-01-29

    申请号：US12073842

    申请日：2008-03-11

    申请人： Seung-Hwan Song ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Seung Hoon Lee ,  Dongku Kang

    发明人： Seung-Hwan Song ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Seung Hoon Lee ,  Dongku Kang

    IPC分类号： G11C16/26

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C2211/5634

    摘要： In reading data from a memory cell, a determining circuit determines whether a received voltage value is within at least one first voltage range through a one-time read operation using a semiconductor device that senses an output current corresponding to the received voltage value. The at least one first voltage range includes a first upper limit voltage value and a first lower limit voltage value. A data value of the memory cell is set as a first data value when the received voltage value is within the specific voltage range.

    摘要翻译： 在从存储单元读取数据时，确定电路通过使用感测与接收电压值对应的输出电流的半导体器件的一次读取操作来确定接收电压值是否在至少一个第一电压范围内。 所述至少一个第一电压范围包括第一上限电压值和第一下限电压值。 当接收电压值在特定电压范围内时，存储单元的数据值被设置为第一数据值。

    Apparatuses, computer program products and methods for reading data from memory cells
    2.
    发明授权
    Apparatuses, computer program products and methods for reading data from memory cells 有权
    用于从存储器单元读取数据的装置，计算机程序产品和方法

    公开(公告)号：US07724587B2

    公开(公告)日：2010-05-25

    申请号：US12073842

    申请日：2008-03-11

    申请人： Seung-Hwan Song ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Seung Hoon Lee ,  Dongku Kang

    发明人： Seung-Hwan Song ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Seung Hoon Lee ,  Dongku Kang

    IPC分类号： G11C7/16

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C2211/5634

    摘要： In reading data from a memory cell, a determining circuit determines whether a received voltage value is within at least one first voltage range through a one-time read operation using a semiconductor device that senses an output current corresponding to the received voltage value. The at least one first voltage range includes a first upper limit voltage value and a first lower limit voltage value. A data value of the memory cell is set as a first data value when the received voltage value is within the specific voltage range.

    摘要翻译： 在从存储单元读取数据时，确定电路通过使用感测与接收电压值对应的输出电流的半导体器件的一次读取操作来确定接收电压值是否在至少一个第一电压范围内。 所述至少一个第一电压范围包括第一上限电压值和第一下限电压值。 当接收电压值在特定电压范围内时，存储单元的数据值被设置为第一数据值。

    Read level control apparatuses and methods
    4.
    发明申请
    Read level control apparatuses and methods 有权
    读取电平控制装置和方法

    公开(公告)号：US20080244339A1

    公开(公告)日：2008-10-02

    申请号：US12010043

    申请日：2008-01-18

    申请人： Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Dongku Kang ,  Dong Hyuk Chae ,  Seung Jae Lee ,  Nam Phil Jo ,  Seung-Hwan Song

    发明人： Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Dongku Kang ,  Dong Hyuk Chae ,  Seung Jae Lee ,  Nam Phil Jo ,  Seung-Hwan Song

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： G11C29/42 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/5628 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411

    摘要： Various read level control apparatuses and methods are provided. In various embodiments, the read level control apparatuses may include an error control code (ECC) decoding unit for ECC decoding data read from a storage unit, and a monitoring unit for monitoring a bit error rate (BER) based on the ECC decoded data and the read data. The apparatus may additionally include an error determination unit for determining an error rate of the read data based on the monitored BER, and a level control unit for controlling a read level of the storage unit based on the error rate.

    摘要翻译： 提供各种读取级别控制装置和方法。 在各种实施例中，读取级别控制装置可以包括用于对从存储单元读取的数据进行ECC解码的错误控制代码（ECC）解码单元和用于基于ECC解码数据监视误码率（BER）的监视单元，以及 读数据。 该装置还可以包括用于基于所监视的BER来确定读取数据的错误率的错误确定单元，以及用于基于错误率来控制存储单元的读取电平的电平控制单元。

    Read level control apparatuses and methods
    6.
    发明申请
    Read level control apparatuses and methods 有权
    读取电平控制装置和方法

    公开(公告)号：US20110145663A1

    公开(公告)日：2011-06-16

    申请号：US12929161

    申请日：2011-01-05

    申请人： Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Dongku Kang ,  Dong Hyuk Chae ,  Seung Jae Lee ,  Nam Phil Jo ,  Seung-Hwan Song

    发明人： Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park ,  Dongku Kang ,  Dong Hyuk Chae ,  Seung Jae Lee ,  Nam Phil Jo ,  Seung-Hwan Song

    IPC分类号： G06F11/00

    CPC分类号： G11C29/42 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/5628 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/0409 ,  G11C2029/0411

    摘要： Various read level control apparatuses and methods are provided. In various embodiments, the read level control apparatuses may include an error control code (ECC) decoding unit for ECC decoding data read from a storage unit, and a monitoring unit for monitoring a bit error rate (BER) based on the ECC decoded data and the read data. The apparatus may additionally include an error determination unit for determining an error rate of the read data based on the monitored BER, and a level control unit for controlling a read level of the storage unit based on the error rate.

    摘要翻译： 提供各种读取级别控制装置和方法。 在各种实施例中，读取级别控制装置可以包括用于对从存储单元读取的数据进行ECC解码的错误控制代码（ECC）解码单元和用于基于ECC解码数据监视误码率（BER）的监视单元，以及 读数据。 该装置还可以包括用于基于所监视的BER来确定读取数据的错误率的错误确定单元，以及用于基于错误率来控制存储单元的读取电平的电平控制单元。

    Memory devices and methods
    7.
    发明申请
    Memory devices and methods 有权
    内存设备和方法

    公开(公告)号：US20090231914A1

    公开(公告)日：2009-09-17

    申请号：US12232150

    申请日：2008-09-11

    申请人： Donghun Yu ,  Kyoung Lae Cho ,  Dongku Kang ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong

    发明人： Donghun Yu ,  Kyoung Lae Cho ,  Dongku Kang ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong

    IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/00

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G06F11/1072 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2211/5621

    摘要： Disclosed are a memory device and a memory data reading method. The memory device may include a multi-bit cell array, a threshold voltage detecting unit configured to detect first threshold voltage intervals including threshold voltages of multi-bit cells of the multi-bit cell array from among a plurality of threshold voltage intervals, a determination unit configured to determine data of a first bit layer based on the detected first threshold voltage intervals, and an error detection unit configured to detect an error bit of the data of the first bit layer. In this instance, the determination unit may determine data of a second bit layer using a second threshold voltage interval having a value of the first bit layer different from the detected error bit and being nearest to a threshold voltage of a multi-bit cell corresponding to the detected error bit.

    摘要翻译： 公开了一种存储器件和存储器数据读取方法。 存储器件可以包括多位单元阵列，阈值电压检测单元，被配置为从多个阈值电压间隔中检测包括多位单元阵列的多位单元的阈值电压的第一阈值电压间隔， 单元，被配置为基于检测到的第一阈值电压间隔来确定第一位层的数据;以及错误检测单元，被配置为检测第一位层的数据的错误位。 在这种情况下，确定单元可以使用具有与检测到的错误位不同的第一位层的值的第二阈值电压间隔来确定第二位层的数据，并且最接近对应于多个位单元的阈值电压 检测到错误位。

    Memory data detecting apparatus and method for controlling reference voltage based on error in stored data
    8.
    发明授权
    Memory data detecting apparatus and method for controlling reference voltage based on error in stored data 有权
    存储器数据检测装置和基于存储数据中的误差来控制参考电压的方法

    公开(公告)号：US07929346B2

    公开(公告)日：2011-04-19

    申请号：US12216745

    申请日：2008-07-10

    申请人： Dong Hun Yu ,  Kyoung Lae Cho ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Seung-Hwan Song

    发明人： Dong Hun Yu ,  Kyoung Lae Cho ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Jae Hong Kim ,  Seung-Hwan Song

    IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/34 ,  G11C16/26

    CPC分类号： G11C7/1006 ,  G11C7/14 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C29/028 ,  G11C29/42 ,  G11C29/50 ,  G11C2211/5634

    摘要： Example embodiments may relate to a method and an apparatus for reading data stored in a memory, for example, providing a method and an apparatus for controlling a reference voltage based on an error of the stored data. Example embodiments may provide a memory data detecting apparatus including a first voltage comparator to compare a threshold voltage of a memory cell with a first reference voltage, a first data determiner to determine a value of at least one data bit stored in the memory cell according to a result of the comparison, an error verifier to verify whether an error occurs in the determined value, a reference voltage determiner to determine a second reference voltage that is lower than the first reference voltage based on a result of the verification, and a second data determiner to re-determine the value of the data based on the determined second reference voltage.

    摘要翻译： 示例性实施例可以涉及用于读取存储在存储器中的数据的方法和装置，例如提供一种基于存储的数据的错误来控制参考电压的方法和装置。 示例性实施例可以提供一种存储器数据检测装置，其包括用于将存储器单元的阈值电压与第一参考电压进行比较的第一电压比较器，第一数据确定器，用于根据存储器单元存储的至少一个数据位的值，根据 比较结果，用于验证所确定的值是否发生错误验证器，基于验证结果确定低于第一参考电压的第二参考电压的参考电压确定器，以及第二数据 确定器，以基于所确定的第二参考电压重新确定数据的值。

    Apparatus and method of multi-bit programming
    9.
    发明申请
    Apparatus and method of multi-bit programming 有权
    多位编程的装置和方法

    公开(公告)号：US20090103359A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：US12073101

    申请日：2008-02-29

    申请人： Seung-Hwan SONG ,  Kyoung Lae Cho ,  Heeseok Eun ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park

    发明人： Seung-Hwan SONG ,  Kyoung Lae Cho ,  Heeseok Eun ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park

    IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5621

    摘要： Multi-bit programming apparatuses and/or methods are provided. A multi-bit programming apparatus may comprise: a multi-bit cell array that includes a first multi-bit cell and a second multi-bit cell; a programming unit for programming first data in the first multi-bit cell, and programming second data in the second multi-bit cell; and a verification unit for verifying whether the first data is programmed in the first multi-bit cell using a first verification voltage, and verifying whether the second data is programmed in the second multi-bit cell using a second verification voltage. The multi-bit programming apparatus may generate better threshold voltage distributions in a multi-bit cell memory.

    摘要翻译： 提供了多位编程设备和/或方法。 多比特编程装置可以包括：包括第一多比特小区和第二多比特小区的多比特单元阵列; 编程单元，用于对第一多位单元中的第一数据进行编程，以及编程第二多位单元中的第二数据; 以及验证单元，用于使用第一验证电压来验证第一数据是否被编程在第一多位单元中，以及使用第二验证电压来验证第二数据是否被编程在第二多位单元中。 多比特编程装置可以在多比特单元存储器中产生更好的阈值电压分布。