公开(公告)号：US08574939B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US12836075

申请日：2010-07-14

申请人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Peng Yi Wu ,  Wen Yu Lin ,  Chih Pang Ma ,  Tzu Chien Hong ,  Chia Hui Shen

发明人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Peng Yi Wu ,  Wen Yu Lin ,  Chih Pang Ma ,  Tzu Chien Hong ,  Chia Hui Shen

IPC分类号： H01L33/22

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22

摘要： A semiconductor optoelectronic structure with increased light extraction efficiency and a fabrication method thereof are presented. The semiconductor optoelectronic structure includes continuous grooves formed under an active layer of the semiconductor optoelectronic structure to reflect light from the active layer and thereby direct more light through a light output surface so as to increase the light intensity from the semiconductor optoelectronic structure.

摘要翻译： 提出了一种提高光提取效率的半导体光电结构及其制造方法。 半导体光电结构包括形成在半导体光电子结构的有源层下方的连续沟槽，以反射来自有源层的光，从而通过光输出表面引导更多的光，从而增加来自半导体光电子结构的光强度。

公开(公告)号：US20110012155A1

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：US12836075

申请日：2010-07-14

申请人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Peng Yi Wu ,  Wen Yu Lin ,  Chih Pang Ma ,  Tzu Chien Hong ,  Chia Hui Shen

发明人： Shih Cheng Huang ,  Po Min Tu ,  Peng Yi Wu ,  Wen Yu Lin ,  Chih Pang Ma ,  Tzu Chien Hong ,  Chia Hui Shen

IPC分类号： H01L33/44 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L33/36 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22

摘要： A semiconductor optoelectronic structure with increased light extraction efficiency and a fabrication method thereof are presented. The semiconductor optoelectronic structure includes continuous grooves formed under an active layer of the semiconductor optoelectronic structure to reflect light from the active layer and thereby direct more light through a light output surface so as to increase the light intensity from the semiconductor optoelectronic structure.

摘要翻译： 提出了一种提高光提取效率的半导体光电结构及其制造方法。 半导体光电结构包括形成在半导体光电子结构的有源层下方的连续沟槽，以反射来自有源层的光，从而通过光输出表面引导更多的光，从而增加来自半导体光电子结构的光强度。

公开(公告)号：US08278645B2

公开(公告)日：2012-10-02

申请号：US12503714

申请日：2009-07-15

申请人： Tzu Chien Hong ,  Chia Hui Shen ,  Chih Pang Ma ,  Chih Peng Hsu ,  Shih Hsiung Chan

发明人： Tzu Chien Hong ,  Chia Hui Shen ,  Chih Pang Ma ,  Chih Peng Hsu ,  Shih Hsiung Chan

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L33/0079 ,  H01L33/007 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46

摘要： A light emitting diode is disclosed, wherein the light emitting diode comprises a metal reflective layer for enhancing the light reflection efficiency inside the light emitting diode and reducing the resistance to avoid the power loss. In addition, the light emitting diode further comprises a buffer layer sandwiched between the metal reflective layer and a semiconductor layer, wherein the buffer layer is mixed with metal and non-metallic transparent material for reducing the stress between the semiconductor and the metal to decrease the possibility of the die cracking.

摘要翻译： 公开了一种发光二极管，其中发光二极管包括用于增强发光二极管内的光反射效率的金属反射层，并降低电阻以避免功率损耗。 此外，发光二极管还包括夹在金属反射层和半导体层之间的缓冲层，其中缓冲层与金属和非金属透明材料混合，以减少半导体和金属之间的应力，以减少 模具开裂的可能性。