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    Holographic reticle and patterning method
    1.
    发明授权
    Holographic reticle and patterning method 有权
    全息掩模版和图案化方法

    公开(公告)号：US08758963B2

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：US13554209

    申请日：2012-07-20

    申请人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chun-Kuang Chen

    发明人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chun-Kuang Chen

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/00

    CPC分类号： G03F1/14 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70416 ,  G03H1/0005 ,  G03H1/0244 ,  G03H1/08 ,  G03H1/2205 ,  G03H2001/0094 ,  G03H2001/0833 ,  G03H2210/30 ,  G03H2224/04 ,  G03H2240/12 ,  G03H2240/13 ,  G03H2240/23 ,  G03H2270/52

    摘要： A hologram reticle and method of patterning a target. A layout pattern for an image to be transferred to a target is converted into a holographic representation of the image. A hologram reticle is manufactured that includes the holographic representation. The hologram reticle is then used to pattern the target. Three-dimensional patterns may be formed in a photoresist layer of the target in a single patterning step. These three-dimensional patterns may be filled to form three-dimensional structures or else used in a multi-surface imaging composition. The holographic representation of the image may also be transferred to a top photoresist layer of a top surface imaging (TSI) semiconductor device, either directly or using the hologram reticle. The top photoresist layer may then be used to pattern an underlying photoresist layer with the image. The lower photoresist layer is used to pattern a material layer of the device.

    摘要翻译： 全息图掩模版和图案化目标的方法。 要传输到目标的图像的布局图案被转换成图像的全息图。 制造包括全息图的全息标线。 然后使用全息图标线来对目标进行图案化。 可以在单个图案化步骤中在靶的光致抗蚀剂层中形成三维图案。 这些三维图案可以被填充以形成三维结构，或者用于多表面成像组合物中。 图像的全息图也可以直接地或使用全息图掩模图传递到顶表面成像（TSI）半导体器件的顶部光致抗蚀剂层。 然后可以使用顶部光致抗蚀剂层来用图像对下面的光致抗蚀剂层进行图案化。 下部光致抗蚀剂层用于对该器件的材料层进行图案化。

    Holographic Reticle and Patterning Method
    2.
    发明申请
    Holographic Reticle and Patterning Method 有权
    全息光罩和图案化方法

    公开(公告)号：US20120295185A1

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：US13554209

    申请日：2012-07-20

    申请人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chun-Kuang Chen

    发明人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chun-Kuang Chen

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03H1/00

    CPC分类号： G03F1/14 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70416 ,  G03H1/0005 ,  G03H1/0244 ,  G03H1/08 ,  G03H1/2205 ,  G03H2001/0094 ,  G03H2001/0833 ,  G03H2210/30 ,  G03H2224/04 ,  G03H2240/12 ,  G03H2240/13 ,  G03H2240/23 ,  G03H2270/52

    摘要： A hologram reticle and method of patterning a target. A layout pattern for an image to be transferred to a target is converted into a holographic representation of the image. A hologram reticle is manufactured that includes the holographic representation. The hologram reticle is then used to pattern the target. Three-dimensional patterns may be formed in a photoresist layer of the target in a single patterning step. These three-dimensional patterns may be filled to form three-dimensional structures or else used in a multi-surface imaging composition. The holographic representation of the image may also be transferred to a top photoresist layer of a top surface imaging (TSI) semiconductor device, either directly or using the hologram reticle. The top photoresist layer may then be used to pattern an underlying photoresist layer with the image. The lower photoresist layer is used to pattern a material layer of the device.

    摘要翻译： 全息图掩模版和图案化目标的方法。 要传输到目标的图像的布局图案被转换成图像的全息图。 制造包括全息图的全息标线。 然后使用全息图标线来对目标进行图案化。 可以在单个图案化步骤中在靶的光致抗蚀剂层中形成三维图案。 这些三维图案可以被填充以形成三维结构，或者用于多表面成像组合物中。 图像的全息图也可以直接地或使用全息图掩模图传递到顶表面成像（TSI）半导体器件的顶部光致抗蚀剂层。 然后可以使用顶部光致抗蚀剂层来用图像对下面的光致抗蚀剂层进行图案化。 下部光致抗蚀剂层用于对该器件的材料层进行图案化。

    Holographic reticle and patterning method
    3.
    发明授权
    Holographic reticle and patterning method 有权
    全息掩模版和图案化方法

    公开(公告)号：US08227150B2

    公开(公告)日：2012-07-24

    申请号：US12768405

    申请日：2010-04-27

    申请人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chun-Kuang Chen

    发明人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chun-Kuang Chen

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03C5/00

    CPC分类号： G03F1/14 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70416 ,  G03H1/0005 ,  G03H1/0244 ,  G03H1/08 ,  G03H1/2205 ,  G03H2001/0094 ,  G03H2001/0833 ,  G03H2210/30 ,  G03H2224/04 ,  G03H2240/12 ,  G03H2240/13 ,  G03H2240/23 ,  G03H2270/52

    摘要： A hologram reticle and method of patterning a target. A layout pattern for an image to be transferred to a target is converted into a holographic representation of the image. A hologram reticle is manufactured that includes the holographic representation. The hologram reticle is then used to pattern the target. Three-dimensional patterns may be formed in a photoresist layer of the target in a single patterning step. These three-dimensional patterns may be filled to form three-dimensional structures or else used in a multi-surface imaging composition. The holographic representation of the image may also be transferred to a top photoresist layer of a top surface imaging (TSI) semiconductor device, either directly or using the hologram reticle. The top photoresist layer may then be used to pattern an underlying photoresist layer with the image. The lower photoresist layer is used to pattern a material layer of the device.

    摘要翻译： 全息图掩模版和图案化目标的方法。 要传输到目标的图像的布局图案被转换成图像的全息图。 制造包括全息图的全息标线。 然后使用全息图标线来对目标进行图案化。 可以在单个图案化步骤中在靶的光致抗蚀剂层中形成三维图案。 这些三维图案可以被填充以形成三维结构，或者用于多表面成像组合物中。 图像的全息图也可以直接地或使用全息图掩模图传递到顶表面成像（TSI）半导体器件的顶部光致抗蚀剂层。 然后可以使用顶部光致抗蚀剂层来用图像对下面的光致抗蚀剂层进行图案化。 下部光致抗蚀剂层用于对该器件的材料层进行图案化。

    Holographic Reticle and Patterning Method
    4.
    发明申请
    Holographic Reticle and Patterning Method 有权
    全息光罩和图案化方法

    公开(公告)号：US20100297538A1

    公开(公告)日：2010-11-25

    申请号：US12768405

    申请日：2010-04-27

    申请人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chun-Kuang Chen

    发明人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin ,  Chun-Kuang Chen

    IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F1/00

    CPC分类号： G03F1/14 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/70416 ,  G03H1/0005 ,  G03H1/0244 ,  G03H1/08 ,  G03H1/2205 ,  G03H2001/0094 ,  G03H2001/0833 ,  G03H2210/30 ,  G03H2224/04 ,  G03H2240/12 ,  G03H2240/13 ,  G03H2240/23 ,  G03H2270/52

    摘要： A hologram reticle and method of patterning a target. A layout pattern for an image to be transferred to a target is converted into a holographic representation of the image. A hologram reticle is manufactured that includes the holographic representation. The hologram reticle is then used to pattern the target. Three-dimensional patterns may be formed in a photoresist layer of the target in a single patterning step. These three-dimensional patterns may be filled to form three-dimensional structures or else used in a multi-surface imaging composition. The holographic representation of the image may also be transferred to a top photoresist layer of a top surface imaging (TSI) semiconductor device, either directly or using the hologram reticle. The top photoresist layer may then be used to pattern an underlying photoresist layer with the image. The lower photoresist layer is used to pattern a material layer of the device.

    摘要翻译： 全息图掩模版和图案化目标的方法。 要传输到目标的图像的布局图案被转换成图像的全息图。 制造包括全息图的全息标线。 然后使用全息图标线来对目标进行图案化。 可以在单个图案化步骤中在靶的光致抗蚀剂层中形成三维图案。 这些三维图案可以被填充以形成三维结构，或者用于多表面成像组合物中。 图像的全息图也可以直接地或使用全息图掩模图传递到顶表面成像（TSI）半导体器件的顶部光致抗蚀剂层。 然后可以使用顶部光致抗蚀剂层来用图像对下面的光致抗蚀剂层进行图案化。 下部光致抗蚀剂层用于对该器件的材料层进行图案化。

    Holographic Reticle and Patterning Method
    6.
    发明申请
    Holographic Reticle and Patterning Method 有权
    全息光罩和图案化方法

    公开(公告)号：US20080113279A1

    公开(公告)日：2008-05-15

    申请号：US11939790

    申请日：2007-11-14

    申请人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Chih-Cheng Chin ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin

    发明人： Shih-Ming Chang ,  Chung-Hsing Chang ,  Chih-Cheng Chin ,  Wen-Chuan Wang ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Chin-Hsiang Lin

    IPC分类号： G03F1/00

    CPC分类号： G03F7/70291 ,  G03F1/50 ,  G03H1/0005 ,  G03H1/0244 ,  G03H1/0808 ,  G03H1/2205 ,  G03H2001/0094 ,  G03H2001/0833 ,  G03H2210/30 ,  G03H2210/452 ,  G03H2224/04 ,  G03H2240/12 ,  G03H2240/13 ,  G03H2240/23 ,  G03H2270/52

    摘要： A hologram reticle and method of patterning a target. A layout pattern for an image to be transferred to a target is converted into a holographic representation of the image. A hologram reticle is manufactured that includes the holographic representation. The hologram reticle is then used to pattern the target. Three-dimensional patterns may be formed in a photoresist layer of the target in a single patterning step. These three-dimensional patterns may be filled to form three-dimensional structures. The holographic representation of the image may also be transferred to a top photoresist layer of a top surface imaging (TSI) semiconductor device, either directly or using the hologram reticle. The top photoresist layer may then be used to pattern an underlying photoresist layer with the image. The lower photoresist layer is used to pattern a material layer of the device.

    摘要翻译： 全息图掩模版和图案化目标的方法。 要传输到目标的图像的布局图案被转换成图像的全息图。 制造包括全息图的全息标线。 然后使用全息图标线来对目标进行图案化。 可以在单个图案化步骤中在靶的光致抗蚀剂层中形成三维图案。 可以填充这些三维图案以形成三维结构。 图像的全息图也可以直接地或使用全息图掩模图传递到顶表面成像（TSI）半导体器件的顶部光致抗蚀剂层。 然后可以使用顶部光致抗蚀剂层来用图像对下面的光致抗蚀剂层进行图案化。 下部光致抗蚀剂层用于对该器件的材料层进行图案化。

    Method to improve photomask critical dimension uniformity and photomask fabrication process
    9.
    发明授权
    Method to improve photomask critical dimension uniformity and photomask fabrication process 失效
    提高光掩模临界尺寸均匀性和光掩模制造工艺的方法

    公开(公告)号：US07060400B2

    公开(公告)日：2006-06-13

    申请号：US10637347

    申请日：2003-08-08

    申请人： Wen-Chuan Wang ,  Shih-Ming Chang ,  Chih-Chen Chin ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Hung-Chang Hsieh

    发明人： Wen-Chuan Wang ,  Shih-Ming Chang ,  Chih-Chen Chin ,  Chi-Lun Lu ,  Sheng-Chi Chin ,  Hung-Chang Hsieh

    IPC分类号： G01F9/00

    CPC分类号： G03F1/76 ,  G03F7/0035

    摘要： A method of fabricating a photomask having improved critical dimension (CD) uniformity that meets or exceeds 90 nanometer technology requirements. The method includes the steps of: providing a transparent substrate covered with a layer of opaque material and a layer of photoresist; patterning the layer of photoresist to expose an area of the layer of opaque material that has a shape that follows a contour of a main pattern area to be defined by the layer of opaque material; removing the exposed area to define the layer of opaque material into the main pattern area and an area that surrounds the main pattern area; removing the patterned layer of photoresist; and removing the surrounding area of the layer of opaque material.

    摘要翻译： 制造具有满足或超过90纳米技术要求的改进的临界尺寸（CD）均匀性的光掩模的方法。 该方法包括以下步骤：提供用不透明材料层和光致抗蚀剂层覆盖的透明基板; 图案化光致抗蚀剂层以暴露不透明材料层的区域，其具有跟随由不透明材料层限定的主图案区域的轮廓的形状; 去除暴露区域以将不透明材料层定义到主图案区域中并且围绕主图案区域的区域; 去除图案化的光刻胶层; 并去除不透明材料层的周围区域。