公开(公告)号：US09190606B2

公开(公告)日：2015-11-17

申请号：US13834617

申请日：2013-03-15

申请人： Shixi Louis Liu ,  Harianto Wong ,  Paul David ,  John B. Sauber ,  Shaun D. Milano ,  Raguvir Kanda ,  Bruce Hemenway

发明人： Shixi Louis Liu ,  Harianto Wong ,  Paul David ,  John B. Sauber ,  Shaun D. Milano ,  Raguvir Kanda ,  Bruce Hemenway

IPC分类号： H01L43/02 ,  H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L21/48 ,  G01R33/00 ,  G01R33/09 ,  G01R15/20 ,  H01L23/495 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L43/14 ,  G01R15/202 ,  G01R15/207 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： In one aspect, a method includes processing a metal substrate, performing a first etch on a first surface of the metal substrate to form, for an integrated circuit package, secondary leads and a curved component having two primary leads and performing a second etch, on a second surface of the substrate opposite the first surface, at locations on the secondary leads and locations on the curved component to provide a locking mechanism. Each primary lead located at a respective end of the curved component.

摘要翻译： 在一个方面，一种方法包括处理金属衬底，在金属衬底的第一表面上执行第一蚀刻，以形成用于集成电路封装的次级引线和具有两个初级引线并执行第二次蚀刻的弯曲元件 所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，在所述次级引线上的位置和所述弯曲部件上的位置处，以提供锁定机构。 每个主引线位于弯曲部件的相应端部。

公开(公告)号：USD719115S1

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US29449441

申请日：2013-03-15

申请人： Shixi Louis Liu ,  Harianto Wong ,  Paul David ,  John B. Sauber ,  Shaun D. Milano ,  Raguvir Kanda ,  Bruce Hemenway

设计人： Shixi Louis Liu ,  Harianto Wong ,  Paul David ,  John B. Sauber ,  Shaun D. Milano ,  Raguvir Kanda ,  Bruce Hemenway

公开(公告)号：US20140264678A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：US13834617

申请日：2013-03-15

申请人： SHIXI LOUIS LIU ,  Harianto Wong ,  Paul David ,  John B. Sauber ,  Shaun D. Milano ,  Raguvir Kanda ,  Bruce Hemenway

发明人： SHIXI LOUIS LIU ,  Harianto Wong ,  Paul David ,  John B. Sauber ,  Shaun D. Milano ,  Raguvir Kanda ,  Bruce Hemenway

IPC分类号： H01L43/04 ,  H01L23/00 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L43/14 ,  G01R15/202 ,  G01R15/207 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/09 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/49548 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/15162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： In one aspect, a method includes processing a metal substrate, performing a first etch on a first surface of the metal substrate to form, for an integrated circuit package, secondary leads and a curved component having two primary leads and performing a second etch, on a second surface of the substrate opposite the first surface, at locations on the secondary leads and locations on the curved component to provide a locking mechanism. Each primary lead located at a respective end of the curved component.

摘要翻译： 在一个方面，一种方法包括处理金属衬底，在金属衬底的第一表面上执行第一蚀刻，以形成用于集成电路封装的次级引线和具有两个初级引线并执行第二次蚀刻的弯曲元件 所述基板的与所述第一表面相对的第二表面，在所述次级引线上的位置和所述弯曲部件上的位置处，以提供锁定机构。 每个主引线位于弯曲部件的相应端部。