公开(公告)号：US07626843B2

公开(公告)日：2009-12-01

申请号：US11811746

申请日：2007-06-11

Applicant: Shou-Ting Yan

Inventor： Shou-Ting Yan

IPC: G11C5/06

CPC classification number: G11C11/405 ,  G11C7/062 ,  G11C7/067 ,  G11C11/4091 ,  G11C2207/063

Abstract: An exemplary dynamic random access memory includes a first transistor (210), a second transistor (220) and a comparator (230). The first transistor includes a first gate electrode (211), a first source electrode (213) and a first drain electrode (215). The second transistor includes a second gate electrode (221), a second source electrode (223) and a second drain electrode (225). The first source electrode is connected with the second source electrode. The first drain electrode is an input terminal for inputting a message. The comparator is connected to the second drain electrode, and preconfigured with a reference current. The comparator compares the reference current and a current through the second drain electrode to define a state of the current read from the comparator.

Abstract translation: 示例性动态随机存取存储器包括第一晶体管（210），第二晶体管（220）和比较器（230）。 第一晶体管包括第一栅电极（211），第一源电极（213）和第一漏电极（215）。 第二晶体管包括第二栅电极（221），第二源电极（223）和第二漏电极（225）。 第一源电极与第二源电极连接。 第一漏电极是用于输入消息的输入端。 比较器连接到第二漏电极，并用参考电流预配置。 比较器比较参考电流和通过第二漏电极的电流，以定义从比较器读取的电流的状态。