公开(公告)号：US08048220B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US11664535

申请日：2005-09-22

申请人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer ,  Dan Mihai Buca

发明人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer ,  Dan Mihai Buca

IPC分类号： C30B1/02

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664

摘要： The invention relates to a method for producing a strained layer. Said method comprises the following steps: placing the layer on a substrate and straining it, structuring the strained layer, relaxing the layer, producing directional off-sets in the layer to be strained. A layered structure produced in this manner has triaxially strained layers.

摘要翻译： 本发明涉及一种生产应变层的方法。 所述方法包括以下步骤：将所述层放置在衬底上并使其变形，构成应变层，放松层，产生待应变层中的定向偏移。 以这种方式制造的分层结构具有三轴应变层。

公开(公告)号：US07416965B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US10553562

申请日：2004-04-15

申请人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer

发明人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842

摘要： The invention relates to a method for producing a layer structure comprising a strained layer on a substrate. The inventive method comprises the steps of producing a defect area in a layer adjoining the layer to be strained, and relaxing at least one layer adjoining the layer to be strained. The defect area is especially produced in the substrate. Additional layers can be epitactically grown. Layer structures so produced are especially suitable for producing various types of components.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造包括在基底上的应变层的层结构的方法。 本发明的方法包括以下步骤：在邻近待应变层的层中产生缺陷区域，以及放置邻近待应变层的至少一层。 缺陷区域特别是在衬底中产生。 另外的层可以被外延生长。 如此生产的层结构特别适用于生产各种类型的部件。

公开(公告)号：US06464780B1

公开(公告)日：2002-10-15

申请号：US09600802

申请日：2000-08-29

申请人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer ,  Ralf Liedtke

发明人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer ,  Ralf Liedtke

IPC分类号： C30B2518

CPC分类号： H01L21/26506 ,  C30B23/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2654

摘要： The invention relates to a method for the production of a monocrystalline layer on a substrate with a non-adapted lattice. To this end, a monocrystalline substrate with a buried amply defective layer and a monocrystalline layer produce thereon are used. The buried amply defective layer can be produced by hydrogen implantation.

摘要翻译： 本发明涉及一种在具有非适配晶格的衬底上制备单晶层的方法。 为此，使用具有埋置的缺陷层和单晶层的单晶衬底。 埋藏的缺陷层可以通过氢气注入生产。