公开(公告)号：US08048220B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US11664535

申请日：2005-09-22

申请人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer ,  Dan Mihai Buca

发明人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer ,  Dan Mihai Buca

IPC分类号： C30B1/02

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664

摘要： The invention relates to a method for producing a strained layer. Said method comprises the following steps: placing the layer on a substrate and straining it, structuring the strained layer, relaxing the layer, producing directional off-sets in the layer to be strained. A layered structure produced in this manner has triaxially strained layers.

摘要翻译： 本发明涉及一种生产应变层的方法。 所述方法包括以下步骤：将所述层放置在衬底上并使其变形，构成应变层，放松层，产生待应变层中的定向偏移。 以这种方式制造的分层结构具有三轴应变层。

公开(公告)号：US20080067544A1

公开(公告)日：2008-03-20

申请号：US11664535

申请日：2005-09-22

申请人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Hollander ,  Dan Mihai Buca

发明人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Hollander ,  Dan Mihai Buca

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664

摘要： The invention relates to a method for producing a strained layer. Said method comprises the following steps: placing the layer on a substrate and straining it, structuring the strained layer, relaxing the layer, producing directional off-sets in the layer to be strained. A layered structure produced in this manner has triaxially strained layers.

摘要翻译： 本发明涉及一种生产应变层的方法。 所述方法包括以下步骤：将所述层放置在衬底上并使其变形，构成应变层，放松层，产生待应变层中的定向偏移。 以这种方式制造的分层结构具有三轴应变层。

公开(公告)号：US07416965B2

公开(公告)日：2008-08-26

申请号：US10553562

申请日：2004-04-15

申请人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer

发明人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer

IPC分类号： H01L21/36

CPC分类号： H01L21/26506 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/7842

摘要： The invention relates to a method for producing a layer structure comprising a strained layer on a substrate. The inventive method comprises the steps of producing a defect area in a layer adjoining the layer to be strained, and relaxing at least one layer adjoining the layer to be strained. The defect area is especially produced in the substrate. Additional layers can be epitactically grown. Layer structures so produced are especially suitable for producing various types of components.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造包括在基底上的应变层的层结构的方法。 本发明的方法包括以下步骤：在邻近待应变层的层中产生缺陷区域，以及放置邻近待应变层的至少一层。 缺陷区域特别是在衬底中产生。 另外的层可以被外延生长。 如此生产的层结构特别适用于生产各种类型的部件。

公开(公告)号：US06464780B1

公开(公告)日：2002-10-15

申请号：US09600802

申请日：2000-08-29

申请人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer ,  Ralf Liedtke

发明人： Siegfried Mantl ,  Bernhard Holländer ,  Ralf Liedtke

IPC分类号： C30B2518

CPC分类号： H01L21/26506 ,  C30B23/02 ,  C30B29/52 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/2654

摘要： The invention relates to a method for the production of a monocrystalline layer on a substrate with a non-adapted lattice. To this end, a monocrystalline substrate with a buried amply defective layer and a monocrystalline layer produce thereon are used. The buried amply defective layer can be produced by hydrogen implantation.

摘要翻译： 本发明涉及一种在具有非适配晶格的衬底上制备单晶层的方法。 为此，使用具有埋置的缺陷层和单晶层的单晶衬底。 埋藏的缺陷层可以通过氢气注入生产。

公开(公告)号：US20060166475A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US10548620

申请日：2004-02-06

申请人： Siegfried Mantl

发明人： Siegfried Mantl

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/4763

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  Y10S438/933

摘要： The invention relates to a method for the production of a monocrystalline, stress-relaxed layer structure having one or several layers on a substrate with different grid structure. In a special embodiment, the method can be advantageously used for the production of relaxed silicon on a stress-related Si—Ge layer structure. The invention also refers to the utilization of said layer system in components such as MOSFETs, MODFETs, resonant tunnel diodes, photodetectors or quantum cascade lasers.

摘要翻译： 本发明涉及一种在具有不同网格结构的基底上制备单层，应力松弛层结构的方法，该结构具有一层或多层。 在一个特殊的实施方案中，该方法可以有利地用于在应力相关的Si-Ge层结构上生产松散的​​硅。 本发明还涉及在诸如MOSFET，MODFET，谐振隧道二极管，光电检测器或量子级联激光器的组件中利用所述层系统。

公开(公告)号：US07615471B2

公开(公告)日：2009-11-10

申请号：US10554074

申请日：2004-04-08

申请人： Siegfried Mantl

发明人： Siegfried Mantl

IPC分类号： H01L21/331

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/938

摘要： The invention relates to a method for producing a tensioned layer on a substrate involving the following steps: producing a defect area in a layer adjacent to the layer to be tensioned, and; relaxing at least one layer adjacent to the layer to be tensioned. Additional layers can be epitaxially deposited. Layer structures formed in this manner are advantageously suited for components of all types.

摘要翻译： 本发明涉及一种在衬底上生产张紧层的方法，包括以下步骤：在邻近待张紧层的层中产生缺陷区域; 放松与要张紧的层相邻的至少一层。 另外的层可以外延沉积。 以这种方式形成的层结构有利地适用于所有类型的组件。

公开(公告)号：US20060275968A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：US10565990

申请日：2004-06-19

申请人： Siegfried Mantl ,  Qing-Tai Zhao

发明人： Siegfried Mantl ,  Qing-Tai Zhao

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66643 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28537 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66984 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The invention relates to a method for the production of passivated defining surfaces (6a, 6b) between a first layer, such as a silicide (5), and an adjacent layer. Passivating elements, such as S, Se and Te are used in said layer structure during said method and the first layer is enriched on the adjacent layer during heat treatment on at least one defining surface. Schottky barriers can be reduced and output work of the transition can be adjusted. Components, e.g. Schottky barrier MOSFETs with small or negative Schottky barriers arc disclosed as source and/or drain contacts and spin transistors.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于在第一层（例如硅化物（5））和相邻层之间生产钝化的限定表面（6a，6b）的方法。 在所述方法期间，在所述层结构中使用诸如S，Se和Te的钝化元件，并且在至少一个限定表面上的热处理期间，第一层富集在相邻层上。 可以减少肖特基势垒，可以调整转换的输出工作。 组件，例如 具有小或负肖特基势垒的肖特基势垒MOSFET被公开为源极和/或漏极接触和自旋晶体管。

公开(公告)号：US5958505A

公开(公告)日：1999-09-28

申请号：US894871

申请日：1997-08-05

申请人： Siegfried Mantl

发明人： Siegfried Mantl

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/321 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/52 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  B05D5/12 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66424 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/74 ,  H01L21/768 ,  H01L29/66666 ,  H01L2924/0002

摘要： A process for producing a layered structure in which a silicide layer on a silicon substrate is subjected to local oxidation to cause the boundary layer side of the silicide layer to grow into the silicon substrate.

摘要翻译： PCT No.PCT / DE96 / 00172 Sec。 371日期：1997年8月5日 102（e）日期1997年8月5日PCT提交1996年2月1日PCT公布。 公开号WO96 / 24952 日期：1996年8月15日一种用于制造其中硅衬底上的硅化物层经受局部氧化以使硅化物层的边界层侧生长到硅衬底中的层状结构的方法。

公开(公告)号：US5250147A

公开(公告)日：1993-10-05

申请号：US866012

申请日：1992-04-08

申请人： Siegfried Mantl ,  Helge Bay

发明人： Siegfried Mantl ,  Helge Bay

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/203 ,  H01L21/28 ,  C30B1/10

CPC分类号： C30B33/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/10 ,  Y10S148/147

摘要： An epitaxial growth of a first component of a multilayer stack for use in optical, electro-optical and electronic or magnetic components, e.g. on a silicon wafer, can be formed by depositing a second component in a form in which that second component produces a precipitate or inclusions in the first component which with continued deposition may be partly replaced by a third component so that the precipitate itself is buried in a monocrystalline structure and, after a thermal treatment in which the precipitate coalesces, a buried layer is formed of the second component or a compound thereof with, say, the first component, in that monocrystalline structure.

摘要翻译： 用于光学，电光和电子或磁性组件的多层堆叠的第一部件的外延生长，例如， 可以通过以第二组分在第一组分中产生沉淀物或夹杂物的形式沉积第二组分来形成，其中连续沉积可以部分地被第三组分替代，使得沉淀物本身被埋在 单晶结构，并且在其中沉淀物聚结的热处理之后，由第二组分或其化合物（例如第一组分）以该单晶结构形成掩埋层。

公开(公告)号：US07915148B2

公开(公告)日：2011-03-29

申请号：US12496676

申请日：2009-07-02

申请人： Siegfried Mantl

发明人： Siegfried Mantl

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/7842 ,  Y10S438/938

摘要： A silicon on insulator (SOI) substrate is converted into a strained SOI substrate by first providing an SOI substrate having a thin silicon layer and an insulator and at least one first epitaxial relaxing layer on the SOI-substrate. Then a defect region is produced in a layer by implantation of SI ions above the silicon layer of the SOI-substrate. Finally the first layer is relaxed by a thermal treatment in an inert atmosphere to simultaneously strain the silicon layer of the SOI-substrate via dislocation mediated strain transfer and to produce the strained silicon layer directly on the insulator.

摘要翻译： 通过首先在SOI衬底上提供具有薄硅层和绝缘体的SOI衬底和至少一个第一外延弛豫层，将绝缘体上硅（SOI）衬底转换成应变SOI衬底。 然后通过在SOI衬底的硅层上注入SI离子在层中产生缺陷区。 最后，通过在惰性气氛中的热处理来松弛第一层，以通过位错介导的应变转移同时对SOI衬底的硅层进行应变，并直接在绝缘体上产生应变硅层。