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    Solid state imaging device and camera system
    1.
    发明授权
    Solid state imaging device and camera system 有权
    固态成像装置和相机系统

    公开(公告)号：US09129879B2

    公开(公告)日：2015-09-08

    申请号：US14035667

    申请日：2013-09-24

    申请人： Sony Corporation

    发明人： Tetsuo Nomoto ,  Eiji Makino ,  Keiji Mabuchi ,  Tsutomu Haruta ,  Shinjiro Kameda

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N3/14 ,  H04N5/335 ,  H04N5/357 ,  H04N5/374 ,  H04N5/217

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14638 ,  H04N3/155 ,  H04N5/2173 ,  H04N5/335 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3658 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3765 ,  H04N5/378

    摘要： An MOS type solid state imaging device in which unit pixels 10 each having a photodiode 11, a transfer transistor 12 for transferring the signal of the photodiode 11 to a floating node N11, an amplifier transistor 13 for outputting the signal of the floating node N11 to a vertical signal line 22, and a reset transistor 14 for resetting the floating node N11 are arrayed in a matrix and in which a gate voltage of the reset transistor 14 is controlled by three values of a power source potential (for example 3V), a ground potential (0V), and a negative power source potential (for example −1V).

    摘要翻译： 一种MOS型固态成像装置，其中具有光电二极管11的单位像素10，用于将光电二极管11的信号传送到浮动节点N11的转移晶体管12，用于将浮动节点N11的信号输出到 垂直信号线22和用于复位浮动节点N11的复位晶体管14被排列成矩阵，并且其中复位晶体管14的栅极电压由电源电位（例如3V）的三个值控制， 接地电位（0V）和负电源电位（例如-1V）。

    SOLID STATE IMAGING DEVICE AND CAMERA SYSTEM
    2.
    发明申请
    SOLID STATE IMAGING DEVICE AND CAMERA SYSTEM 审中-公开
    固态成像装置和摄像机系统

    公开(公告)号：US20150249798A1

    公开(公告)日：2015-09-03

    申请号：US14632658

    申请日：2015-02-26

    申请人： Sony Corporation

    发明人： Tetsuo Nomoto ,  Eiji Makino ,  Keiji Mabuchi ,  Tsutomu Haruta ,  Shinjiro Kameda

    IPC分类号： H04N5/378 ,  H04N5/376 ,  H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14638 ,  H04N3/155 ,  H04N5/2173 ,  H04N5/335 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3658 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3765 ,  H04N5/378

    摘要： An MOS type solid state imaging device in which unit pixels 10 each having a photodiode 11, a transfer transistor 12 for transferring the signal of the photodiode 11 to a floating node N11, an amplifier transistor 13 for outputting the signal of the floating node N11 to a vertical signal line 22, and a reset transistor 14 for resetting the floating node N11 are arrayed in a matrix and in which a gate voltage of the reset transistor 14 is controlled by three values of a power source potential (for example 3V), a ground potential (OV), and a negative power source potential (for example −1V).

    摘要翻译： 一种MOS型固态成像装置，其中具有光电二极管11的单位像素10，用于将光电二极管11的信号传送到浮动节点N11的转移晶体管12，用于将浮动节点N11的信号输出到 垂直信号线22和用于复位浮动节点N11的复位晶体管14被排列成矩阵，并且其中复位晶体管14的栅极电压由电源电位（例如3V）的三个值控制， 接地电位（OV）和负电源电位（例如-1V）。

    SOLID STATE IMAGING DEVICE AND CAMERA SYSTEM
    4.
    发明申请
    SOLID STATE IMAGING DEVICE AND CAMERA SYSTEM 审中-公开
    固态成像装置和摄像机系统

    公开(公告)号：US20150334270A1

    公开(公告)日：2015-11-19

    申请号：US14747958

    申请日：2015-06-23

    申请人： Sony Corporation

    发明人： Tetsuo Nomoto ,  Eiji Makino ,  Keiji Mabuchi ,  Tsutomu Haruta ,  Shinjiro Kameda

    IPC分类号： H04N5/217 ,  H04N5/374 ,  H04N5/357 ,  H04N3/14 ,  H04N5/335

    CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14638 ,  H04N3/155 ,  H04N5/2173 ,  H04N5/335 ,  H04N5/357 ,  H04N5/3658 ,  H04N5/374 ,  H04N5/3765 ,  H04N5/378

    摘要： A MOS type solid state imaging device in which unit pixels, each having a photodiode, a transfer transistor for transferring the signal of the photodiode to a floating node, an amplifier transistor for outputting the signal of the floating node to a vertical signal line, and a reset transistor for resetting the floating node are arrayed in a matrix. A gate voltage of the reset transistor is controlled by three values of a power source potential (for example 3V), a ground potential (0V), and a negative power source potential (for example −1V).

    摘要翻译： 一种MOS型固态成像装置，其中每个具有光电二极管的单位像素，用于将光电二极管的信号传送到浮动节点的转移晶体管，用于将浮动节点的信号输出到垂直信号线的放大器晶体管，以及 将浮动节点复位的复位晶体管排列成矩阵。 复位晶体管的栅极电压由电源电位（例如3V），接地电位（0V）和负电源电位（例如-1V）的三个值来控制。