公开(公告)号：US09520563B2

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：US12743772

申请日：2008-11-20

申请人： Stefan Christian Bernhardt Mannsfeld ,  Armon Sharei ,  Zhenan Bao

发明人： Stefan Christian Bernhardt Mannsfeld ,  Armon Sharei ,  Zhenan Bao

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0003 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541

摘要： Organic semiconductor material can be patterned from a solution onto a substrate by selectively wetting the substrate with the solution while applying a mechanical disturbance (such as stirring the solution while the substrate is immersed, or wiping the solution on the substrate). The organic semiconductor material can then be precipitated out of the solution, for example to bridge gaps between source and drain electrodes to form transistor devices. In some embodiments, the solution containing the organic semiconductor material can be mixed in an immiscible host liquid. This can allow the use of higher concentration solutions while also using less of the organic semiconductor material.

摘要翻译： 通过在施加机械扰动（例如在浸渍基材时搅拌溶液或将基板上的溶液擦拭）的机械干扰（例如搅拌溶液），通过在溶液中选择性地润湿基材，可以将有机半导体材料从溶液图案化。 然后可以将有机半导体材料从溶液中沉淀出来，例如以桥接源极和漏极之间的间隙以形成晶体管器件。 在一些实施方案中，含有有机半导体材料的溶液可以混合在不混溶的主体液体中。 这可以允许使用更高浓度的溶液，同时也使用少量的有机半导体材料。

公开(公告)号：US20100308309A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12743772

申请日：2008-11-20

申请人： Stefan Christian Bernhardt Mannsfeld ,  Armon Sharei ,  Zhenan Bao

发明人： Stefan Christian Bernhardt Mannsfeld ,  Armon Sharei ,  Zhenan Bao

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L51/0003 ,  H01L51/0012 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0541

摘要： Organic semiconductor material can be patterned from a solution onto a substrate by selectively wetting the substrate with the solution while applying a mechanical disturbance (such as stirring the solution while the substrate is immersed, or wiping the solution on the substrate). The organic semiconductor material can then be precipitated out of the solution, for example to bridge gaps between source and drain electrodes to form transistor devices. In some embodiments, the solution containing the organic semiconductor material can be mixed in an immiscible host liquid. This can allow the use of higher concentration solutions while also using less of the organic semiconductor material.

摘要翻译： 通过在施加机械扰动（例如在浸渍基材时搅拌溶液或将基板上的溶液擦拭）的机械干扰（例如搅拌溶液），通过在溶液中选择性地润湿基材，可以将有机半导体材料从溶液图案化。 然后可以将有机半导体材料从溶液中沉淀出来，例如以桥接源极和漏极之间的间隙以形成晶体管器件。 在一些实施方案中，含有有机半导体材料的溶液可以混合在不混溶的主体液体中。 这可以允许使用更高浓度的溶液，同时也使用少量的有机半导体材料。