公开(公告)号：US20120043557A1

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：US13286881

申请日：2011-11-01

申请人： Sun Woon KIM ,  Hyun Kyung KIM ,  Je Won KIM ,  In Seok CHOI ,  Kyu Han LEE ,  Jeong Tak OH

发明人： Sun Woon KIM ,  Hyun Kyung KIM ,  Je Won KIM ,  In Seok CHOI ,  Kyu Han LEE ,  Jeong Tak OH

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L33/22

摘要： The present invention provides a semiconductor light-emitting device. The light-emitting device comprises a first conductive clad layer, an active layer, and a second conductive clad layer sequentially formed on a substrate. In the light-emitting device, the substrate has one or more side patterns formed on an upper surface thereof while being joined to one or more edges of the upper surface. The side patterns consist of protrusions or depressions so as to scatter or diffract light to an upper portion or a lower portion of the light-emitting device.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体发光装置。 发光器件包括顺序地形成在衬底上的第一导电覆盖层，有源层和第二导电覆层。 在发光装置中，基板在其上表面形成有一个或多个侧图案，同时连接到上表面的一个或多个边缘。 侧面图案由突起或凹陷组成，以将光散射或衍射到发光器件的上部或下部。

公开(公告)号：US20100065877A1

公开(公告)日：2010-03-18

申请号：US12624106

申请日：2009-11-23

申请人： Sun Woon KIM ,  Hyun Kyung KIM ,  Je Won KIM ,  In Seok CHOI ,  Kyu Han LEE ,  Jeong Tak OH

发明人： Sun Woon KIM ,  Hyun Kyung KIM ,  Je Won KIM ,  In Seok CHOI ,  Kyu Han LEE ,  Jeong Tak OH

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/22

摘要： The present invention provides a semiconductor light-emitting device. The light-emitting device comprises a first conductive clad layer, an active layer, and a second conductive clad layer sequentially formed on a substrate. In the light-emitting device, the substrate has one or more side patterns formed on an upper surface thereof while being joined to one or more edges of the upper surface. The side patterns consist of protrusions or depressions so as to scatter or diffract light to an upper portion or a lower portion of the light-emitting device.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体发光装置。 发光器件包括顺序地形成在衬底上的第一导电覆盖层，有源层和第二导电覆层。 在发光装置中，基板在其上表面形成有一个或多个侧图案，同时连接到上表面的一个或多个边缘。 侧面图案由突起或凹陷组成，以将光散射或衍射到发光器件的上部或下部。

公开(公告)号：US20110215997A1

公开(公告)日：2011-09-08

申请号：US13039821

申请日：2011-03-03

申请人： Hyun Kyung KIM

发明人： Hyun Kyung KIM

IPC分类号： G09G5/00

CPC分类号： G06F3/002 ,  G06F3/0484 ,  G06F3/0487

摘要： A method for providing a function of a portable terminal is provided. The method includes activating a color sensor upon execution of an application, displaying a color recognized by the color sensor on screen data corresponding to the executed application, and controlling a function based on a color recognized by the executed application.

摘要翻译： 提供了一种用于提供便携式终端的功能的方法。 该方法包括在执行应用程序时激活颜色传感器，将由颜色传感器识别的颜色显示在与执行的应用程序相对应的屏幕数据上，以及基于所执行的应用程序识别的颜色来控制功能。

公开(公告)号：US20080064133A1

公开(公告)日：2008-03-13

申请号：US11933950

申请日：2007-11-01

申请人： Jae Hoon LEE ,  In Eung KIM ,  Yong Chun KIM ,  Hyun Kyung KIM ,  Moon Heon KONG

发明人： Jae Hoon LEE ,  In Eung KIM ,  Yong Chun KIM ,  Hyun Kyung KIM ,  Moon Heon KONG

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/387 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46

摘要： A flip chip-type nitride semiconductor light emitting diode includes a light transmittance substrate, an n-type nitride semiconductor layer, an active layer, a p-type nitride semiconductor layer and a mesh-type DBR reflecting layer. The mesh-type DBR reflecting layer has a plurality of open regions. The mesh-type DBR reflecting layer is composed of first and second nitride layers having different Al content. The first and second nitride layers are alternately stacked several times to form the mesh-type DBR reflecting layer. An ohmic contact layer is formed on the mesh-type DBR reflecting layer and on the p-type nitride semiconductor layer.

摘要翻译： 倒装芯片型氮化物半导体发光二极管包括透光性基板，n型氮化物半导体层，有源层，p型氮化物半导体层和网状DBR反射层。 网状DBR反射层具有多个开放区域。 网状DBR反射层由具有不同Al含量的第一和第二氮化物层组成。 第一和第二氮化物层交替堆叠几次以形成网状DBR反射层。 在网状DBR反射层和p型氮化物半导体层上形成欧姆接触层。

公开(公告)号：US20120104327A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13270132

申请日：2011-10-10

申请人： Kwang Bum KIM ,  Hyun Kyung KIM ,  Ji Young KIM

发明人： Kwang Bum KIM ,  Hyun Kyung KIM ,  Ji Young KIM

IPC分类号： H01M4/485 ,  H01B1/18 ,  H01M4/04 ,  B82B3/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： B01J19/126 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/192 ,  C01G23/005 ,  C01P2002/32 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/40 ,  H01B1/18 ,  H01M4/04 ,  H01M4/364 ,  H01M4/485 ,  H01M4/587 ,  H01M10/052

摘要： A spinel-type lithium titanium oxide/graphene composite and a method of preparing the same are provided. The method can be useful in simplifying a manufacturing process and shortening a manufacturing time using microwave associated solvothermal reaction and post heat treatment, and the spinel-type lithium titanium oxide/graphene composite may have high electrochemical performances due to its excellent capacity and rate capability and long lifespan, and thus be used as an electrode material of the lithium secondary battery.

摘要翻译： 提供尖晶石型锂钛/石墨烯复合物及其制备方法。 该方法在简化制造工艺和缩短使用微波相关溶剂热反应和后热处理的制造时间方面是有用的，并且由于其优异的容量和速率能力，尖晶石型锂钛/石墨烯复合材料可能具有高电化学性能， 寿命长，因此用作锂二次电池的电极材料。