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    Single crystal silicon carbaide nanowire, method of preparation thereof, and filter comprising the same
    1.
    发明申请
    Single crystal silicon carbaide nanowire, method of preparation thereof, and filter comprising the same 有权
    单晶碳化硅纳米线，其制备方法和包含该纳米线的过滤器

    公开(公告)号：US20100293910A1

    公开(公告)日：2010-11-25

    申请号：US11919809

    申请日：2007-08-16

    申请人： Sung Churl Choi ,  Sang-Hoon Lee ,  Jin-Seok Lee ,  Yun-Ki Byeun

    发明人： Sung Churl Choi ,  Sang-Hoon Lee ,  Jin-Seok Lee ,  Yun-Ki Byeun

    IPC分类号： C01B31/36 ,  D02G3/02 ,  C30B1/10 ,  B01D39/20

    CPC分类号： B01D39/2041 ,  B01D2239/025 ,  Y10T428/298

    摘要： Single-crystal silicon carbide nanowires and a method for producing the nanowires are provided. The single-crystal silicon carbide nanowires have a very high aspect ratio and can be used for the fabrication of nanoelectronic devices, including electron gun emitters and MEMS probe tips, for use in a variety of displays and analyzers. Further provided is a filter comprising the nanowires. The filter is applied to systems for filtering vehicle engine exhaust gases to achieve improved filtering performance and increased lifetime.

    摘要翻译： 提供单晶碳化硅纳米线和制造纳米线的方法。 单晶碳化硅纳米线具有非常高的纵横比，可用于制造用于各种显示器和分析仪的纳米电子器件，包括电子枪发射器和MEMS探针尖端。 还提供了包含纳米线的过滤器。 该过滤器适用于过滤车辆发动机废气的系统，以实现改进的过滤性能和更长的使用寿命。

    Fabrication method of gallium manganese nitride single crystal nanowire
    2.
    发明授权
    Fabrication method of gallium manganese nitride single crystal nanowire 失效
    氮化镓单晶纳米线的制备方法

    公开(公告)号：US07575631B2

    公开(公告)日：2009-08-18

    申请号：US11314502

    申请日：2005-12-22

    申请人： Yun-Ki Byeun ,  Kyong Sop Han ,  Han Kyu Seong ,  Heon Jin Choi ,  Sung Churl Choi

    发明人： Yun-Ki Byeun ,  Kyong Sop Han ,  Han Kyu Seong ,  Heon Jin Choi ,  Sung Churl Choi

    IPC分类号： C01B21/00

    CPC分类号： C01B21/0602 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/62286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/465

    摘要： The present invention relates to a fabrication method of gallium manganese nitride (GaMnN) single crystal nanowire, more particularly to a fabrication method of GaMnN single crystal nanowire substrate by halide vapor phase epitaxy (HVPE) in which such metal components as gallium (Ga) and manganese (Mn) react with such gas components as nitrogen (N2), hydrogen chloride (HCl) and ammonia (NH3), wherein the amount of the gas components are adjusted to control the Mn doping concentration in order to obtain nanowire having a perfect, one-dimensional, single crystal structure without internal defect, concentration of holes, or carriers, and magnetization value of which being determined by the doping concentration and showing ferromagnetism at room temperature, thus being a useful spin transporter in the field of the next-generation spintronics, such as spin-polarized LED, spin-polarized FET, etc.

    摘要翻译： 本发明涉及一种氮化镓（GaMnN）单晶纳米线的制造方法，更具体地说，涉及通过卤化物气相外延（HVPE）制造的GaMnN单晶纳米线基板的制造方法，其中诸如镓（Ga）和 锰（Mn）与氮（N 2），氯化氢（HCl）和氨（NH 3）等气体组分反应，其中调节气体组分的量以控制Mn掺杂浓度，以获得具有完美的纳米线， 一维单晶结构，没有内部缺陷，空穴浓度或载流子，其磁化值由掺杂浓度决定，在室温下显示出铁磁性，因此是下一代领域的有用的自旋转运体 自旋电子学，如自旋极化LED，自旋极化FET等。