公开(公告)号：US20130134496A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13599233

申请日：2012-08-30

申请人： Sung-Soo AHN ,  O IK KWON ,  Bum-Soo KIM ,  Hyun-Sung KIM ,  Kyoung-Sub SHIN ,  Min-Kyung YUN ,  Seung-Pil CHUNG ,  Won-Bong JUNG

发明人： Sung-Soo AHN ,  O IK KWON ,  Bum-Soo KIM ,  Hyun-Sung KIM ,  Kyoung-Sub SHIN ,  Min-Kyung YUN ,  Seung-Pil CHUNG ,  Won-Bong JUNG

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7883 ,  H01L21/7682 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device, the method including forming a tunnel insulating layer on an upper surface of a substrate, forming gate patterns on an upper surface of the tunnel insulating layer, forming capping layer patterns on sidewalls of the gate patterns and on the upper surface of the tunnel insulating layer, etching a portion of the tunnel insulating layer that is not covered with the gate patterns or the capping layer patterns to form a tunnel insulating layer pattern, and forming a first insulating layer on the upper surface of the substrate to cover the gate patterns, the capping layer patterns, and the tunnel insulating layer pattern, wherein the first insulating layer has an air gap between the capping layer patterns.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底的上表面上形成隧道绝缘层，在隧道绝缘层的上表面上形成栅极图案，在栅极图案的侧壁上形成覆盖层图案，并且在 隧道绝缘层的上表面，蚀刻未被栅极图案或覆盖层图案覆盖的隧道绝缘层的一部分以形成隧道绝缘层图案，并且在衬底的上表面上形成第一绝缘层 以覆盖栅极图案，覆盖层图案和隧道绝缘层图案，其中第一绝缘层在封盖层图案之间具有气隙。