公开(公告)号：US09147778B2

公开(公告)日：2015-09-29

申请号：US11935112

申请日：2007-11-05

申请人： Syed Zafar ,  Upali Jayamaha ,  Michael T. Steele

发明人： Syed Zafar ,  Upali Jayamaha ,  Michael T. Steele

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0749

CPC分类号： H01L31/1884 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/50

摘要： A photovoltaic cell can include a nitrogen-containing metal layer in contact with a semiconductor layer.

摘要翻译： 光伏电池可以包括与半导体层接触的含氮金属层。

公开(公告)号：US20080110498A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：US11935112

申请日：2007-11-05

申请人： Syed Zafar ,  Upali Jayamaha ,  Michael T. Steele

发明人： Syed Zafar ,  Upali Jayamaha ,  Michael T. Steele

IPC分类号： H01L31/0296 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L31/1884 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/50

摘要： ABSTRACT A photovoltaic cell can include a nitrogen-containing metal layer in contact with a semiconductor layer.

摘要翻译： 摘要光伏电池可以包括与半导体层接触的含氮金属层。

公开(公告)号：US20080128020A1

公开(公告)日：2008-06-05

申请号：US11939878

申请日：2007-11-14

申请人： Syed Zafar ,  Greg Helyer ,  Nelson Christopher DeVoe

发明人： Syed Zafar ,  Greg Helyer ,  Nelson Christopher DeVoe

IPC分类号： H01L31/04 ,  B05D1/00

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/056 ,  H01L31/073 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/543

摘要： A photovoltaic device can include metal layer in contact with a semiconductor layer.

摘要翻译： 光电器件可以包括与半导体层接触的金属层。

公开(公告)号：US20110030776A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12805626

申请日：2010-08-10

申请人： Benyamin Buller ,  Akhlesh Gupta ,  Syed Zafar

发明人： Benyamin Buller ,  Akhlesh Gupta ,  Syed Zafar

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/073 ,  Y02E10/543 ,  Y02P70/521

摘要： A photovoltaic device back contact is disclosed. The back contact can include an indium nitride.

摘要翻译： 公开了一种光电器件背面接触。 背面接触可以包括氮化铟。