公开(公告)号：US20090213667A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12437021

申请日：2009-05-07

申请人： Takashi KUBO ,  Takashi ITOH ,  Yasuhiro KASHIWAZAKI ,  Taku OGURA ,  Kiyohiro FURUTANI

发明人： Takashi KUBO ,  Takashi ITOH ,  Yasuhiro KASHIWAZAKI ,  Taku OGURA ,  Kiyohiro FURUTANI

IPC分类号： G11C7/00 ,  G11C5/14

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G11C5/145 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26 ,  G11C16/30 ,  G11C2207/065 ,  G11C2207/2227 ,  G11C2211/5634 ,  G11C2211/5645

摘要： An internal voltage generating circuit generates and supplies a boosted voltage higher than an internal power supply voltage, as an operating power supply voltage, to a sense amplifier in a read circuit for reading data of a memory cell. A bit line precharge current supplied via an internal data line is produced from the internal power supply voltage. It is possible to provide a nonvolatile semiconductor memory device, which can perform a precise sense operation and an accurate reading of data even under a low power supply voltage condition.

摘要翻译： 内部电压产生电路产生并提供高于作为工作电源电压的内部电源电压的升压电压到用于读取存储器单元的数据的读取电路中的读出放大器。 从内部电源电压产生经由内部数据线提供的位线预充电电流。 可以提供一种非易失性半导体存储器件，即使在低电源电压条件下也能进行精确的读出操作和数据的精确读取。