公开(公告)号：US20110312179A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US13115410

申请日：2011-05-25

申请人： Takashi Nakagawa ,  Eun-mi Kim ,  Naomu Kitano ,  Kimiko Mashimo

发明人： Takashi Nakagawa ,  Eun-mi Kim ,  Naomu Kitano ,  Kimiko Mashimo

IPC分类号： H01L21/285 ,  B05C11/00

CPC分类号： H01L27/11568 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/5853 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/31683 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/517 ,  H01L29/792

摘要： The present invention provides a substrate processing method and a substrate processing apparatus, which are capable of forming a high-k dielectric film with few trapping levels due to oxygen deficiencies and hot carriers by a sputtering method in one and the same vacuum vessel. The substrate processing method according to a first embodiment of the present invention includes: a first step of heating a to-be-processed substrate (102) arranged in a film forming treatment chamber (100) and depositing a metal film on the to-be-processed substrate (102) by physical vapor deposition using a target (106); and a second step of supplying a gas containing elements for oxidizing a metal film in the film forming treatment chamber (100) to oxidize the metal film by a thermal oxidation reaction.

摘要翻译： 本发明提供了一种基板处理方法和基板处理装置，其能够通过溅射法在同一真空容器中形成由于氧缺陷而具有很少的捕获水平的高k电介质膜和热载流子。 根据本发明第一实施例的基板处理方法包括：加热布置在成膜处理室（100）中的待处理基板（102）的第一步骤，并将金属膜沉积在待 - 处理的基底（102），通过使用靶（106）的物理气相沉积; 以及第二步骤，在成膜处理室（100）中供给含有氧化金属膜的元素的气体，以通过热氧化反应来氧化金属膜。

公开(公告)号：US08324608B2

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：US13451265

申请日：2012-04-19

申请人： Takashi Nakagawa ,  Eun-mi Kim ,  Yuichi Otani ,  Naomu Kitano

发明人： Takashi Nakagawa ,  Eun-mi Kim ,  Yuichi Otani ,  Naomu Kitano

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： In a variable resistance nonvolatile storage element, an electrode suitable for a variable resistance operation and formed of a metallic nitride layer containing Ti and N is provided. In a nonvolatile storage device including: a first electrode; a second electrode; and a variable resistance layer which is sandwiched between the first electrode and the second electrode and in which a resistance value changes to two different resistance states, at least one of the first electrode and the second electrode is an electrode including a metallic nitride layer containing at least Ti and N, and a mole ratio (N/Ti ratio) between Ti and N in at least a part of the metallic nitride layer, the part being in contact with the variable resistance layer is 1.15 or more and a film density is 4.7 g/cc or more.

摘要翻译： 在可变电阻非易失性存储元件中，提供了适用于可变电阻操作并由含有Ti和N的金属氮化物层形成的电极。 一种非易失性存储装置，包括：第一电极; 第二电极; 以及可变电阻层，其夹在所述第一电极和所述第二电极之间，并且电阻值变为两个不同的电阻状态，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个是包括含有 在金属氮化物层的至少一部分中，最小的Ti和​​N以及Ti和N之间的摩尔比（N / Ti比），与可变电阻层接触的部分为1.15以上，膜密度为4.7 g / cc以上。

公开(公告)号：US20120248397A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：US13451265

申请日：2012-04-19

申请人： Takashi Nakagawa ,  Eun-mi Kim ,  Yuichi Otani ,  Naomu Kitano

发明人： Takashi Nakagawa ,  Eun-mi Kim ,  Yuichi Otani ,  Naomu Kitano

IPC分类号： H01L47/00

CPC分类号： H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1641

摘要： In a variable resistance nonvolatile storage element, an electrode suitable for a variable resistance operation and formed of a metallic nitride layer containing Ti and N is provided. In a nonvolatile storage device including: a first electrode; a second electrode; and a variable resistance layer which is sandwiched between the first electrode and the second electrode and in which a resistance value changes to two different resistance states, at least one of the first electrode and the second electrode is an electrode including a metallic nitride layer containing at least Ti and N, and a mole ratio (N/Ti ratio) between Ti and N in at least a part of the metallic nitride layer, the part being in contact with the variable resistance layer is 1.15 or more and a film density is 4.7 g/cc or more.

摘要翻译： 在可变电阻非易失性存储元件中，提供了适用于可变电阻操作并由含有Ti和N的金属氮化物层形成的电极。 一种非易失性存储装置，包括：第一电极; 第二电极; 以及可变电阻层，其夹在所述第一电极和所述第二电极之间，并且电阻值变为两个不同的电阻状态，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个是包括含有 在金属氮化物层的至少一部分中，最小的Ti和​​N以及Ti和N之间的摩尔比（N / Ti比），与可变电阻层接触的部分为1.15以上，膜密度为4.7 g / cc以上。

公开(公告)号：US20050281155A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US10962517

申请日：2004-10-13

申请人： Eun-mi Kim

发明人： Eun-mi Kim

IPC分类号： G11B19/02 ,  G11B19/00 ,  G11B19/06 ,  G11B19/08 ,  G11B19/16 ,  G11B27/10 ,  G11B5/09 ,  G11B15/52 ,  G11B20/10

CPC分类号： G11B19/06 ,  G11B19/08 ,  G11B19/16 ,  G11B27/105

摘要： An optical recording controlling method and an optical recording apparatus utilizing the method implement operations of performing a recording operation to record the data in the recording medium, applying a pause request signal to stop, temporarily, the recording operation, determining whether to set a record resume time, and if the record resume time is set while the recording operation is in pause, temporarily stopping the recording operation and then resuming the recording operation at the record resume preset time. Therefore, the recording operation may be resumed at a user's desired time.

摘要翻译： 一种光学记录控制方法和光学记录装置，利用该方法实现执行记录操作以将数据记录在记录介质中的操作，应用暂停请求信号暂时停止记录操作，确定是否设置记录恢复 时间，并且如果在记录操作暂停时设置了记录恢复时间，则暂时停止记录操作，然后在记录恢复预设时间恢复记录操作。 因此，可以在用户期望的时间恢复记录操作。

公开(公告)号：US20050281159A1

公开(公告)日：2005-12-22

申请号：US10962535

申请日：2004-10-13

申请人： Eun-mi Kim

发明人： Eun-mi Kim

IPC分类号： G11B7/0045 ,  G11B7/00 ,  G11B7/007 ,  G11B19/06 ,  G11B19/16 ,  G11B5/09

CPC分类号： G11B7/00736 ,  G11B7/00 ,  G11B19/06 ,  G11B19/16

摘要： A method of controlling an optical writing apparatus and an optical writing apparatus utilizing the method to control its write execution time include a pickup to write write data onto a writing medium, a servo driving portion to control the drive of the pickup, a counter to count a predetermined write execution time to notify an ending time of the write execution time, and a controller to control the servo driving portion until the controller is notified of the ending time of the counter to allow the write data to be written onto the writing medium when a write request signal is applied from the key input portion, to stop the write operation, and to control the count of the counter to change the ending time of the write execution time when the request signal for pausing the write operation is applied from the key input portion.

摘要翻译： 一种控制光写入装置的方法和利用该方法来控制其写入执行时间的光写入装置包括将写入数据写入到写入介质上的拾取器，用于控制拾取器驱动的伺服驱动部分，计数器 用于通知写入执行时间的结束时间的预定写入执行时间，以及控制器，用于控制伺服驱动部分，直到控制器被通知计数器的结束时间，以允许将写入数据写入到写入介质上 从密钥输入部分施加写入请求信号，停止写入操作，并且当从密钥应用用于暂停写入操作的请求信号时，控制计数器的计数以改变写入执行时间的结束时间 输入部分。

公开(公告)号：US07483343B2

公开(公告)日：2009-01-27

申请号：US10962517

申请日：2004-10-13

申请人： Eun-mi Kim

发明人： Eun-mi Kim

IPC分类号： G11B21/08

CPC分类号： G11B19/06 ,  G11B19/08 ,  G11B19/16 ,  G11B27/105

摘要： An optical recording controlling method and an optical recording apparatus utilizing the method implement operations of performing a recording operation to record the data in the recording medium, applying a pause request signal to stop, temporarily, the recording operation, determining whether to set a record resume time, and if the record resume time is set while the recording operation is in pause, temporarily stopping the recording operation and then resuming the recording operation at the record resume preset time. Therefore, the recording operation may be resumed at a user's desired time.

摘要翻译： 一种光学记录控制方法和光学记录装置，利用该方法实现执行记录操作以将数据记录在记录介质中的操作，应用暂停请求信号暂时停止记录操作，确定是否设置记录恢复 时间，并且如果在记录操作暂停时设置了记录恢复时间，则暂时停止记录操作，然后在记录恢复预设时间恢复记录操作。 因此，可以在用户期望的时间恢复记录操作。

公开(公告)号：US07397749B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US10962535

申请日：2004-10-13

申请人： Eun-mi Kim

发明人： Eun-mi Kim

IPC分类号： G11B27/36 ,  G11B7/00 ,  G11B20/10

CPC分类号： G11B7/00736 ,  G11B7/00 ,  G11B19/06 ,  G11B19/16

摘要： A method of controlling an optical writing apparatus and an optical writing apparatus utilizing the method to control its write execution time include a pickup to write write data onto a writing medium, a servo driving portion to control the drive of the pickup, a counter to count a predetermined write execution time to notify an ending time of the write execution time, and a controller to control the servo driving portion until the controller is notified of the ending time of the counter to allow the write data to be written onto the writing medium when a write request signal is applied from the key input portion, to stop the write operation, and to control the count of the counter to change the ending time of the write execution time when the request signal for pausing the write operation is applied from the key input portion.

摘要翻译： 一种控制光写入装置的方法和利用该方法来控制其写入执行时间的光写入装置包括将写入数据写入到写入介质上的拾取器，用于控制拾取器驱动的伺服驱动部分，计数器 用于通知写入执行时间的结束时间的预定写入执行时间，以及控制器，用于控制伺服驱动部分，直到控制器被通知计数器的结束时间，以允许将写入数据写入到写入介质上 从密钥输入部分施加写入请求信号，停止写入操作，并且当从密钥应用用于暂停写入操作的请求信号时，控制计数器的计数以改变写入执行时间的结束时间 输入部分。