公开(公告)号：US07666512B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US10915158

申请日：2004-08-09

申请人： Tania Bhatia ,  Harry Eaton ,  Ellen Y. Sun ,  Thomas H. Lawton

发明人： Tania Bhatia ,  Harry Eaton ,  Ellen Y. Sun ,  Thomas H. Lawton

IPC分类号： B32B9/04 ,  B63H1/00 ,  B05D5/06

CPC分类号： F01D5/288 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/52 ,  C23C4/10 ,  C23C28/042 ,  C23C28/048 ,  F05D2230/313 ,  F05D2230/314 ,  F05D2230/90 ,  F05D2300/222 ,  F05D2300/2261 ,  F05D2300/611 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/4582 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/5041 ,  C04B41/5035 ,  C04B41/5037 ,  C04B41/5051 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/806

摘要： A process for preparing a silicon based substrate with a protective coating having improved thermal resistance at temperature up to at least 1500° C., and the resulting article.

摘要翻译： 一种制备具有保护涂层的硅基基材的方法，其具有在至多1500℃的温度下具有改善的耐热性，以及所得制品。

公开(公告)号：US20060029814A1

公开(公告)日：2006-02-09

申请号：US10915158

申请日：2004-08-09

申请人： Tania Bhatia ,  Harry Eaton ,  Ellen Sun ,  Thomas Lawton

发明人： Tania Bhatia ,  Harry Eaton ,  Ellen Sun ,  Thomas Lawton

IPC分类号： B32B17/06 ,  B32B9/00 ,  B32B19/00 ,  B05D5/06

CPC分类号： F01D5/288 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/52 ,  C23C4/10 ,  C23C28/042 ,  C23C28/048 ,  F05D2230/313 ,  F05D2230/314 ,  F05D2230/90 ,  F05D2300/222 ,  F05D2300/2261 ,  F05D2300/611 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/4582 ,  C04B41/5042 ,  C04B41/5045 ,  C04B41/5041 ,  C04B41/5035 ,  C04B41/5037 ,  C04B41/5051 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/806

摘要： A process for preparing a silicon based substrate with a protective coating having improved thermal resistance at temperature up to at least 1500° C., and the resulting article.

摘要翻译： 一种制备具有保护涂层的硅基基材的方法，其具有在至多1500℃的温度下具有改善的耐热性，以及所得制品。

公开(公告)号：US20060110609A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US10992992

申请日：2004-11-19

申请人： Harry Eaton ,  Tania Bhatia ,  Ellen Sun ,  Thomas Lawton

发明人： Harry Eaton ,  Tania Bhatia ,  Ellen Sun ,  Thomas Lawton

IPC分类号： B32B13/04 ,  B32B9/00 ,  B32B19/00

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/85 ,  C04B2111/00405 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C30/00 ,  F01D5/288 ,  F05D2230/90 ,  F05D2300/611 ,  C04B41/4527 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/806 ,  C04B35/597

摘要： Protective coatings are described herein. Embodiments of these coatings comprise substantially only specific equilibrium phases therein, and have a CTE that is substantially equal to the CTE of the substrate upon which the coating is deposited. The desired coatings can be obtained by controlling the application of the coating and/or by heat treating the coated substrate to create the desired phases or microstructure in the coating.

摘要翻译： 本文描述了保护涂层。 这些涂层的实施方案基本上仅包括其中的特定平衡相，并且具有基本上等于沉积涂层的基材的CTE的CTE。 可以通过控制涂层的施加和/或通过热处理涂覆的基底以在涂层中产生期望的相或微观结构来获得所需的涂层。

公开(公告)号：US20050129973A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US10737138

申请日：2003-12-16

申请人： Harry Eaton ,  Ellen Sun ,  Tania Bhatia

发明人： Harry Eaton ,  Ellen Sun ,  Tania Bhatia

IPC分类号： F01D5/28 ,  B32B9/00 ,  B32B18/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C23C28/00 ,  C23C28/04 ,  F02C7/00 ,  F23R3/00 ,  B32B15/04

CPC分类号： F23R3/007 ,  C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C23C28/04 ,  C23C28/042 ,  F05C2203/0817 ,  F05C2203/0843 ,  F05C2203/0869 ,  F23M2900/05004 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12806 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/5024 ,  C04B41/522 ,  C04B41/4582 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/806 ,  C04B35/597

摘要： A composite comprising a silicon based substrate, an environmental barrier coating (EBC) with a top layer, wherein the top layer comprises a velocity barrier layer. Velocity barrier layer is any layer positioned between a flowing gas stream and the underlying EBC protective layer which acts to reduce the velocity of the gas stream which otherwise would impinge on the underlying protective layer.

摘要翻译： 一种复合材料，包括硅基基底，具有顶层的环境屏障涂层（EBC），其中顶层包括速度阻挡层。 速度阻挡层是位于流动气体流和下面的EBC保护层之间的任何层，其用于降低否则将撞击下面的保护层的气流的速度。

公开(公告)号：US20050003212A1

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：US10444008

申请日：2003-05-22

申请人： Ellen Sun ,  Gary Linsey ,  John Holowczak ,  Neil Baldwin ,  Harry Eaton

发明人： Ellen Sun ,  Gary Linsey ,  John Holowczak ,  Neil Baldwin ,  Harry Eaton

IPC分类号： B32B18/00 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C23C4/10 ,  C23C28/00 ,  C23C28/04 ,  F01D5/28 ,  B32B9/00

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  C23C28/042 ,  C23C28/30 ,  C23C28/324 ,  C23C28/34 ,  C23C28/341 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  F01D5/288 ,  C04B41/5071 ,  C04B41/5096 ,  C04B41/4596 ,  C04B41/522 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/5024 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/806 ,  C04B35/597

摘要： An article comprises a silicon based substrate, a bond layer and a protective top layer. The top layer is selected from the group consisting of rare earth disilicates, yttrium disilicates, rare earth monosilicates, yttrium monosilicates, silica and mixtures thereof. The protective layer described above is used in combination with a bond layer provided between the protective layer and the silicon based substrate which functions as oxygen getter and includes an oxygen gettering agent. By oxygen gettering agent is meant a refractory metal oxide former which forms an oxide at operational condition of (high temperature and aqueous environment) having a melting point of greater than 1500° C. wherein the negative free energy of formation of the refractory metal oxide from the refractory metal is more than 100 Kcal/mole. Suitable oxygen gettering agents include silicon and other refractory metals. An oxygen gettering agent may also be added to the protective layer.

摘要翻译： 一种制品包括硅基衬底，接合层和保护顶层。 顶层选自二氯硅酸稀土，二硅酸钇，一硅酸稀土，一硅酸钇，二氧化硅及其混合物。 上述保护层与设置在保护层和作为氧气吸气剂的硅基底物之间的接合层组合使用，并且包括吸氧剂。 氧吸气剂是指在熔点大于1500℃的（高温和水性环境）的操作条件下形成氧化物的难熔金属氧化物，其中难熔金属氧化物的负自由能由 难熔金属超过100千卡/摩尔。 合适的吸氧剂包括硅和其它难熔金属。 还可以将氧吸气剂加入到保护层中。