公开(公告)号：US20140356785A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：US13907789

申请日：2013-05-31

Applicant: The Dow Chemical Company

Inventor： William Williams, III ,  Cong Liu ,  Cheng-Bai Xu

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: New photoresist compositions are provided that comprise a carbamate compound that comprises 1) a carbamate group and 2) an ester group. Preferred photoresists of the invention may comprise a resin with acid-labile groups; an acid generator compound; and a carbamate compound that can function to decrease undesired photogenerated-acid diffusion out of unexposed regions of a photoresist coating layer.

Abstract translation: 提供新的光致抗蚀剂组合物，其包含氨基甲酸酯化合物，其包含1）氨基甲酸酯基团和2）酯基团。 本发明优选的光致抗蚀剂可以包含具有酸不稳定基团的树脂; 酸产生剂化合物; 以及氨基甲酸酯化合物，其可用于减少光致抗蚀剂涂层的未曝光区域内的不期望的光生酸扩散。

公开(公告)号：US20150323869A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：US14577473

申请日：2014-12-19

Applicant: The Dow Chemical Company

Inventor： Cong Liu ,  Doris H. Kang ,  Deyan Wang ,  Cheng-Bai Xu ,  Mingqi Li ,  Chunyi Wu

IPC: G03F7/11 ,  C09D133/16 ,  G03F7/32 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20

CPC classification number: C09D201/00 ,  C08F220/10 ,  C08K5/05 ,  C08K5/101 ,  C08L101/12 ,  C09D7/20 ,  C09D133/14 ,  C09D133/16 ,  C09D201/02 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/32 ,  H01L21/0271

Abstract: Topcoat compositions are provided that can be used in immersion lithography to form photoresist patterns. The topcoat compositions include a solvent system that comprises 1) a first organic solvent represented by formula (I), wherein R1 and R2 are alkyl groups of 3-8 carbons and the total number of carbons of R1 and R2 is greater than 6; and 2) a second organic solvent that is a C4 to C10 monovalent alcohol.

Abstract translation: 提供面漆组合物，其可用于浸没式光刻以形成光致抗蚀剂图案。 面漆组合物包括溶剂体系，其包含1）由式（I）表示的第一有机溶剂，其中R 1和R 2是3-8个碳的烷基，并且R 1和R 2的总碳数大于6; 和2）作为C 4〜C 10一价醇的第二有机溶剂。