公开(公告)号：US5477158A

公开(公告)日：1995-12-19

申请号：US130908

申请日：1993-10-04

申请人： Thomas A. Shafer ,  James H. McCurdy ,  Thomas R. Schimert ,  Austin J. Brouns

发明人： Thomas A. Shafer ,  James H. McCurdy ,  Thomas R. Schimert ,  Austin J. Brouns

IPC分类号： G01R31/265 ,  H01L21/66 ,  G01R31/26 ,  G01R27/06

CPC分类号： G01R31/2656 ,  H01L22/14

摘要： An apparatus (10) is provided for measuring the excess carrier lifetime in a semiconductor material, such as an HgCdTe wafer (MCT). The apparatus includes a computer controller (56) which automates the functions of the apparatus, including the operation of the shutter (28) to control the time the testing samples are exposed to the excitation energy from a laser (14), the laser energy intensity on the sample, the position of the wafer controlled by the computer controller operating a motorized sample positioner (39) and maintaining the temperature of the sample. Multiple samples are taken by the apparatus which are averaged and analyzed to result in a characterization of the carrier lifetime.

摘要翻译： 提供了一种用于测量诸如HgCdTe晶片（MCT）的半导体材料中的过量载流子寿命的装置（10）。 该装置包括一个计算机控制器（56），其使装置的功能自动化，包括快门（28）的操作，以控制测试样本暴露于来自激光器（14）的激发能量的时间，激光能量强度 在样品上，由操作电动样品定位器（39）的计算机控制器控制的晶片的位置并保持样品的温度。 多个样品由装置取出，其被平均和分析以导致载流子寿命的表征。