公开(公告)号：US20110186879A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13084877

申请日：2011-04-12

申请人： Thomas Heinz-Helmut ALTEBAEUMER ,  Stephen Day ,  Jonathan Heffernan

发明人： Thomas Heinz-Helmut ALTEBAEUMER ,  Stephen Day ,  Jonathan Heffernan

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L29/76 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78696 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method comprises forming elongate structures (5) on a first substrate (3), such that the material composition of each elongate structure (7) varies along its length so as to define first and second physically different sections in the elongate structures. First and second physically different devices (1,2) are then defined in the elongate structures. Alternatively, the first and second physically different sections may be defined in the elongate structures after they have been fabricated. The elongate structures may be encapsulated and transferred to a second substrate (7). The invention provides an improved method for the formation of a circuit structure that requires first and second physically different devices (1,2) to be provided on a common substrate. In particular, only one transfer step is necessary.

摘要翻译： 一种方法包括在第一基板（3）上形成细长结构（5），使得每个细长结构（7）的材料组成沿其长度变化，从而在细长结构中限定第一和第二物理上不同的部分。 然后在细长结构中限定第一和第二物理上不同的装置（1,2）。 或者，第一和第二物理上不同的部分可以在它们被制造之后在细长结构中限定。 细长结构可以被封装并转移到第二衬底（7）。 本发明提供了一种用于形成电路结构的改进方法，其需要在公共基板上提供第一和第二物理上不同的装置（1,2）。 特别地，仅需要一个转移步骤。

公开(公告)号：US20090242260A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12413660

申请日：2009-03-30

申请人： Thomas Heinz-Helmut ALTEBAEUMER ,  Stephen DAY ,  Christian LANG ,  Jonathan HEFFERNAN

发明人： Thomas Heinz-Helmut ALTEBAEUMER ,  Stephen DAY ,  Christian LANG ,  Jonathan HEFFERNAN

IPC分类号： H05K1/11 ,  B32B37/00

CPC分类号： H05K1/11 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/66 ,  H01L24/69 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H05K1/185 ,  H05K3/303 ,  H01L2924/00

摘要： A method of fabricating a device structure, comprises: forming an insulating layer (3b) over a first set of devices disposed over a substrate (3); forming one or more vias in the insulating layer; disposing a second set of devices (6) over the insulating layer, wherein devices of the second set comprise respective electrical contacts (6a) and are disposed over the insulating layer (3b) such that a side on which a contact (6a) can be accessed faces the substrate (3); and forming one or more electrical contacts between the first set of devices and the second set of devices (6) through the via(s). The second set of devices and at least one via are positioned such that one or more of the vias lies at least partially within the footprint of two devices, each belonging to a different device layer.

摘要翻译： 一种制造器件结构的方法，包括：在设置在衬底（3）之上的第一组器件上形成绝缘层（3b）; 在绝缘层中形成一个或多个通孔; 在所述绝缘层上设置第二组器件（6），其中所述第二组器件的器件包括相应的电触点（6a）并且设置在所述绝缘层（3b）上方，使得接触件（6a）可以在其上 被访问面对基板（3）; 以及通过所述通孔在所述第一组装置和所述第二组装置（6）之间形成一个或多个电触点。 第二组装置和至少一个通孔被定位成使得一个或多个通孔至少部分地位于两个装置的覆盖区内，每个装置属于不同的装置层。