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公开(公告)号：US07982039B2
公开(公告)日：2011-07-19
申请号：US12648484
申请日：2009-12-29
申请人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
发明人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
IPC分类号： C07D221/22 , H01L21/36
CPC分类号： H01L51/0053 , C07D221/14 , C07D221/18 , C07D471/06 , C09B5/62 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： Mono- and diimide perylene and naphthalene compounds, N- and/or core-substituted with electron-withdrawing groups, for use in the fabrication of various device structures.
摘要翻译： 用于制造各种器件结构的单和二酰亚胺苝和萘化合物，N-和/或用吸电子基团取代的核心。
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公开(公告)号：US20100204475A1
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：US12648484
申请日：2009-12-29
申请人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
发明人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
IPC分类号： C07D471/22
CPC分类号： H01L51/0053 , C07D221/14 , C07D221/18 , C07D471/06 , C09B5/62 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： Mono- and diimide perylene and naphthalene compounds, N- and/or core-substituted with electron-withdrawing groups, for use in the fabrication of various device structures.
摘要翻译： 用于制造各种器件结构的单和二酰亚胺苝和萘化合物，N-和/或用吸电子基团取代的核心。
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公开(公告)号：US07671202B2
公开(公告)日：2010-03-02
申请号：US11043814
申请日：2005-01-26
申请人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
发明人： Tobin J. Marks , Michael R. Wasielewski , Antonio Facchetti , Michael J. Ahrens , Brooks A. Jones , Myung-Han Yoon
IPC分类号： C07D471/02 , C07D471/00
CPC分类号： H01L51/0053 , C07D221/14 , C07D221/18 , C07D471/06 , C09B5/62 , C09B57/08 , H01L51/0545 , Y02E10/549
摘要： Mono- and diimide perylene and naphthalene compounds, N- and core-substituted with electron-withdrawing groups, for use in the fabrication of various device structures.
摘要翻译： 用于制造各种器件结构的单酰胺和二酰亚胺苝和萘化合物，N-和核取代的吸电子基团。
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4.发明授权Naphthalene-based semiconductor materials and methods of preparing and use thereof 有权基于萘的半导体材料及其制备和使用方法公开(公告)号：US07569693B2
公开(公告)日：2009-08-04
申请号：US11811902
申请日：2007-06-12
IPC分类号： C07D471/02 , H01L21/20
CPC分类号： C07D471/06 , C09B57/08 , H01L51/0053 , H01L51/0558
摘要： Provided are mono- and diimide naphthalene compounds for use in the fabrication of various device structures. In some embodiments, the naphthalene core of these compounds are mono-, di-, or tetra-substituted with cyano group(s) or other electron-withdrawing substituents or moieties. Such mono- and diimide naphthalene compounds also can be optionally N-substituted.
摘要翻译： 提供用于制造各种器件结构的单和二酰亚胺萘化合物。 在一些实施方案中，这些化合物的萘核心被氰基或其它吸电子取代基或部分单，二或四取代。 这样的单和二酰亚胺萘化合物也可任选地被N-取代。
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5.发明授权Siloxane-polymer dielectric compositions and related organic field-effect transistors 有权硅氧烷 - 聚合物电介质组合物和相关的有机场效应晶体管公开(公告)号：US08093588B2
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：US12562800
申请日：2009-09-18
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Myung-Han Yoon , He Yan
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Myung-Han Yoon , He Yan
CPC分类号： H01L51/052 , H01L51/0036 , H01L51/0052 , H01L51/0068 , H01L51/0078
摘要： Dielectric compositions comprising siloxane and polymeric components, as can be used in a range of transistor and related device configurations.
摘要翻译： 包含硅氧烷和聚合物组分的介电组合物，可用于晶体管和相关器件配置的范围。
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6.发明申请Inorganic-Organic Hybrid Thin-Film Transistors Using Inorganic Semiconducting Films 有权使用无机半导体膜的无机 - 有机混合薄膜晶体管公开(公告)号：US20130193421A1
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：US13791599
申请日：2013-03-08
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
IPC分类号： H01L51/05
CPC分类号： H01L51/0562 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： Inorganic semiconducting compounds, composites and compositions thereof, and related device structures.
摘要翻译： 无机半导体化合物，其复合材料及其组合物以及相关器件结构。
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7.发明授权Inorganic-organic hybrid thin-film transistors using inorganic semiconducting films 有权使用无机半导体膜的无机 - 有机混合薄膜晶体管公开(公告)号：US08395150B2
公开(公告)日：2013-03-12
申请号：US13351050
申请日：2012-01-16
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
CPC分类号： H01L51/0562 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： Inorganic semiconducting compounds, composites and compositions thereof, and related device structures.
摘要翻译： 无机半导体化合物，其复合材料及其组合物以及相关器件结构。
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8.发明申请Inorganic-Organic Hybrid Thin-Film Transistors Using Inorganic Semiconducting Films 有权使用无机半导体膜的无机 - 有机混合薄膜晶体管公开(公告)号：US20120261655A1
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：US13351050
申请日：2012-01-16
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/20 , H01L29/12
CPC分类号： H01L51/0562 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： Inorganic semiconducting compounds, composites and compositions thereof, and related device structures.
摘要翻译： 无机半导体化合物，其复合材料及其组合物以及相关器件结构。
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9.发明授权Inorganic-organic hybrid thin-film transistors using inorganic semiconducting films 有权使用无机半导体膜的无机 - 有机混合薄膜晶体管公开(公告)号：US08097877B2
公开(公告)日：2012-01-17
申请号：US11642217
申请日：2006-12-20
申请人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
发明人： Tobin J. Marks , Antonio Facchetti , Lian Wang , Myung-Han Yoon , Yu Yang
CPC分类号： H01L51/0562 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/78681 , H01L29/7869
摘要： Inorganic semiconducting compounds, composites and compositions thereof, and related device structures.
摘要翻译： 无机半导体化合物，其复合材料及其组合物以及相关器件结构。
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10.发明申请Gate dielectric structures, organic semiconductors, thin film transistors and related methods 审中-公开栅介质结构，有机半导体，薄膜晶体管及相关方法公开(公告)号：US20080224127A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：US11895000
申请日：2007-08-22
CPC分类号： H01L51/0533 , H01L51/0036 , H01L51/0068
摘要： Gate dielectric structures comprising an organic polymeric component, and organic semiconductor components, as can be used to fabricate thin film transistor devices.
摘要翻译： 包括可用于制造薄膜晶体管器件的有机聚合物组分和有机半导体组分的栅介质结构。
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