公开(公告)号：US20120322273A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13357775

申请日：2012-01-25

申请人： Tomoya OORI

发明人： Tomoya OORI

IPC分类号： H01L21/31 ,  B05C5/02

CPC分类号： H01L21/02282 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

摘要： A coating film forming method according to an embodiment, includes rotating a substrate, supplying a chemical solution for forming a coating film onto the rotating substrate, and supplying a liquid having a lower temperature than an atmosphere of the substrate to an edge of the substrate from a back side of the substrate while a film is formed by supplying the chemical solution onto the rotating substrate.

摘要翻译： 根据实施例的涂膜形成方法包括旋转基板，向旋转基板上提供用于形成涂膜的化学溶液，并将具有比基板的气氛低的温度的液体供给到基板的边缘， 在通过将化学溶液供给到旋转基板上而形成膜的同时基板的背面。

公开(公告)号：US20140065556A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13720162

申请日：2012-12-19

申请人： Tomoya OORI

发明人： Tomoya OORI

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/203 ,  G03F7/70466

摘要： According to one embodiment, a patterning method includes exposure-transferring a plurality of first island pattern images and a plurality of second island pattern images onto a resist film, each of the plurality of first island pattern images having a configuration having a contour line or a major axis extending in a third direction, the plurality of first island pattern images having a staggered arrangement, each of the plurality of second island pattern images having a configuration having a contour line or a major axis extending in a fourth direction, the plurality of second island pattern images having a staggered arrangement, the first island pattern images and the second island pattern images being continuous in the first direction by a portion of each of the second island pattern images overlapping one of the first island pattern images.

摘要翻译： 根据一个实施例，图案化方法包括将多个第一岛状图案和多个第二岛状图案曝光转印到抗蚀剂膜上，多个第一岛状图案中的每一个具有轮廓线或 长轴在第三方向上延伸，所述多个第一岛状图案具有交错布置，所述多个第二岛状图案图像中的每一个具有轮廓线或沿第四方向延伸的长轴的构造，所述多个第二岛状图案 岛图案图像具有交错布置，第一岛图案图像和第二岛图案图像在与第一岛图案图像重叠的第二岛图案图像中的每一个的一部分沿第一方向连续。

公开(公告)号：US20110086313A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12823821

申请日：2010-06-25

申请人： Tomoya OORI ,  Shinichi ITO

发明人： Tomoya OORI ,  Shinichi ITO

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03B27/52

CPC分类号： G03F7/38 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31144

摘要： In one embodiment, a method is disclosed for manufacturing a semiconductor device. The method can forms a resist film on a substrate. The method can expose a portion of the resist film. The portion is formed on a device area of the substrate and the device area includes a center portion of the substrate. After the exposing the device area, the method can apply a reaction control process for controlling expansion of a reacted region in the resist film. After the applying the reaction control process, the method can expose another portion of the resist film and the another portion is formed on a peripheral area surrounding the device area. After the exposing the peripheral area, the method can heat the resist film, and after the heating, the method can develop the resist film.

摘要翻译： 在一个实施例中，公开了一种用于制造半导体器件的方法。 该方法可以在基板上形成抗蚀剂膜。 该方法可以暴露抗蚀剂膜的一部分。 该部分形成在衬底的器件区域上，器件区域包括衬底的中心部分。 在曝光装置区域之后，该方法可以应用用于控制抗蚀剂膜中反应区域的膨胀的反应控制过程。 在施加反应控制处理之后，该方法可以暴露抗蚀剂膜的另一部分，并且另一部分形成在围绕设备区域的周边区域上。 曝光周边区域后，该方法可以加热抗蚀剂膜，加热后可以形成抗蚀膜。