公开(公告)号：US20160326634A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：US14842217

申请日：2015-09-01

申请人： Tsinghua University ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

发明人： DA-MING ZHUANG ,  MING ZHAO ,  LI GUO ,  MING-JIE CAO ,  XIAO-LONG LI ,  RU-JUN SUN

IPC分类号： C23C14/34 ,  C04B35/457

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/77 ,  C23C14/06 ,  C23C14/086

摘要： A tin oxide sputtering target includes uniformly mixed elemental Sn and SnO2. An atomic ratio of Sn atoms and O atoms in the tin oxide sputtering target satisfies 1:2

摘要翻译： 氧化锡溅射靶包括均匀混合的元素Sn和SnO 2。 氧化锡溅射靶中的Sn原子和O原子的原子比满足1:2

公开(公告)号：US20180327896A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：US16034834

申请日：2018-07-13

申请人： Tsinghua University ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

发明人： DA-MING ZHUANG ,  MING ZHAO ,  MING-JIE CAO ,  LI GUO ,  SHI-LU ZHAN ,  XIAO-LONG LI

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B28B3/00 ,  C23C14/08 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

摘要： A sputtering target includes an indium cerium zinc oxide represented by In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2. A relative density of the sputtering target is larger than or equal to 90%. A bulk resistance of the sputtering target in a range from about 10−2 Ωcm to about 10 Ωcm. A weight percentage of crystalline In2CexZnO4+2x in the sputtering target is larger than 80%.

公开(公告)号：US20160326633A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：US14749335

申请日：2015-06-24

申请人： Tsinghua University ,  HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.

发明人： DA-MING ZHUANG ,  MING ZHAO ,  MING-JIE CAO ,  LI GUO ,  SHI-LU ZHAN ,  XIAO-LONG LI

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/08

CPC分类号： C23C14/3414 ,  B28B3/00 ,  C23C14/08 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3491

摘要： A sputtering target includes an indium cerium zinc oxide represented by In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2. A method for making a sputtering target includes steps of: mixing indium oxide (In2O3) powder, cerium oxide (CeO2) powder, and zinc oxide (ZnO) powder to form a mixture, a molar ratio of indium (In), cerium (Ce), and zinc (Zn) as In:Ce:Zn in the mixture is 2:(0.5 to 2):1; and sintering the mixture at a temperature in a range from about 1250° C. to about 1650° C.

摘要翻译： 溅射靶包括由In2CexZnO4 + 2x表示的铟铈氧化锌，其中x = 0.5〜2。 制造溅射靶的方法包括以下步骤：将氧化铟（In 2 O 3）粉末，氧化铈（CeO 2）粉末和氧化锌（ZnO）粉末混合以形成混合物，将铟（In），铈（Ce ），混合物中In：Ce：Zn的锌（Zn）为2：（0.5〜2）：1; 并在约1250℃至约1650℃的温度下烧结该混合物。