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公开(公告)号：US20170044655A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：US15338529
申请日：2016-10-31
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , MING-JIE CAO , LI GUO , ZE-DONG GAO , YAO-WEI WEI
CPC分类号： C23C14/086 , C03C17/245 , C03C2217/23 , C03C2218/154 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/50 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/324 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： A method for making a oxide semiconductor film includes a step of forming an oxide film on a substrate by using a sputtering method and a sputtering target comprising In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2.
摘要翻译： 制造氧化物半导体膜的方法包括通过使用溅射法在衬底上形成氧化膜的步骤和包括In2CexZnO4 + 2x的溅射靶，其中x = 0.5〜2。
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公开(公告)号：US20160329209A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：US14749340
申请日：2015-06-24
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , MING-JIE CAO , LI GUO , ZE-DONG GAO , YAO-WEI WEI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/786 , C23C14/08 , H01L21/324 , C23C14/34 , C23C14/58 , H01L29/24 , H01L29/66
CPC分类号： C23C14/086 , C03C17/245 , C03C2217/23 , C03C2218/154 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/50 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/324 , H01L29/24 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： An oxide semiconductor film includes indium (In), cerium (Ce), zinc (Zn) and oxygen (0) elements, and a molar ratio of the In, Ce, and Zn as In:Ce:Zn is in a range of 2:(0.5 to 2):1. A method for making a oxide semiconductor film includes a step of forming an oxide film on a substrate by using a sputtering method and a sputtering target comprising In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2.
摘要翻译： 氧化物半导体膜包括铟（In），铈（Ce），锌（Zn）和氧（0）元素，In：Ce：Zn的In，Ce和Zn的摩尔比在2 ：（0.5〜2）：1。 制造氧化物半导体膜的方法包括通过使用溅射法在衬底上形成氧化膜的步骤和包括In2CexZnO4 + 2x的溅射靶，其中x = 0.5〜2。
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公开(公告)号：US20160326633A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：US14749335
申请日：2015-06-24
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , MING-JIE CAO , LI GUO , SHI-LU ZHAN , XIAO-LONG LI
CPC分类号： C23C14/3414 , B28B3/00 , C23C14/08 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3491
摘要： A sputtering target includes an indium cerium zinc oxide represented by In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2. A method for making a sputtering target includes steps of: mixing indium oxide (In2O3) powder, cerium oxide (CeO2) powder, and zinc oxide (ZnO) powder to form a mixture, a molar ratio of indium (In), cerium (Ce), and zinc (Zn) as In:Ce:Zn in the mixture is 2:(0.5 to 2):1; and sintering the mixture at a temperature in a range from about 1250° C. to about 1650° C.
摘要翻译： 溅射靶包括由In2CexZnO4 + 2x表示的铟铈氧化锌，其中x = 0.5〜2。 制造溅射靶的方法包括以下步骤：将氧化铟（In 2 O 3）粉末，氧化铈（CeO 2）粉末和氧化锌（ZnO）粉末混合以形成混合物，将铟（In），铈（Ce ），混合物中In：Ce：Zn的锌（Zn）为2：（0.5〜2）：1; 并在约1250℃至约1650℃的温度下烧结该混合物。
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公开(公告)号：US20170047436A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：US15340252
申请日：2016-11-01
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , MING-JIE CAO , LI GUO , ZE-DONG GAO , YAO-WEI WEI
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/24 , H01L21/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： A method for making a thin film transistor includes a step of forming a semiconducting layer, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode, and an insulating layer on an insulating substrate. A process of forming the semiconducting layer comprises a step of sputtering an oxide semiconductor film on a substrate by using a sputtering target comprising In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2.
摘要翻译： 制造薄膜晶体管的方法包括在绝缘基板上形成半导体层，源电极，漏电极，栅电极和绝缘层的步骤。 形成半导体层的工艺包括通过使用包含In2CexZnO4 + 2x的溅射靶溅射氧化物半导体膜的步骤，其中x = 0.5〜2。
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5.发明申请公开(公告)号：US20170037505A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：US14922740
申请日：2015-10-26
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , MING-JIE CAO , LI GUO , LENG ZHANG , YAO-WEI WEI
CPC分类号： C23C14/3414 , B28B3/00 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L29/24 , H01L29/78693
摘要： An oxide semiconductor film includes indium (In), cerium (Ce), zinc (Zn), doping metal element (M) and oxygen (O) elements, and a molar ratio of the In, Ce, and Zn as In:Ce:Zn is in a range of 2:(0.5 to 2):1. A method for making a oxide semiconductor film includes a step of forming an oxide film on a substrate by using a sputtering method and a sputtering target comprising In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2.
摘要翻译： 氧化物半导体膜包括铟（In），铈（Ce），锌（Zn），掺杂金属元素（M）和氧（O）元素，In，Ce和Zn的摩尔比如In：Ce： Zn在2：（0.5〜2）：1的范围内。 制造氧化物半导体膜的方法包括通过使用溅射法在衬底上形成氧化膜的步骤和包括In2CexZnO4 + 2x的溅射靶，其中x = 0.5〜2。
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6.发明申请THIM FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MAKING THE SAME, THIM FILM TRANSISTOR PANEL AND DISPLAY DEVICE 有权THIM薄膜晶体管及其制造方法，THIM FILM晶体管面板和显示装置公开(公告)号：US20160329433A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：US14749345
申请日：2015-06-24
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , MING-JIE CAO , LI GUO , ZE-DONG GAO , YAO-WEI WEI
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： A thin film transistor includes a source electrode, a drain electrode, a semiconducting layer, an insulating layer, and a gate electrode. The drain electrode is spaced from the drain electrode. The semiconducting layer is electrically connected to the drain electrode and the source electrode. The semiconducting layer is an oxide semiconductor film comprising indium (In), cerium (Ce), zinc (Zn) and oxygen (O) elements, and a molar ratio of In, Ce, and Zn as In:Ce:Zn is in a range of 2:(0.5 to 2):1. The gate electrode is insulated from the semiconducting layer, the source electrode, and the drain electrode by the insulating layer.
摘要翻译： 薄膜晶体管包括源电极，漏电极，半导体层，绝缘层和栅电极。 漏电极与漏电极间隔开。 半导电层电连接到漏电极和源电极。 半导体层是包含铟（In），铈（Ce），锌（Zn）和氧（O）元素的氧化物半导体膜，In：Ce：Zn的In，Ce和Zn的摩尔比为 范围2：（0.5〜2）：1。 栅电极通过绝缘层与半导体层，源电极和漏电极绝缘。
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公开(公告)号：US20160329196A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：US14842198
申请日：2015-09-01
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , LI GUO , MING-JIE CAO , LIANG-QI OUYANG , LENG ZHANG
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C23C14/0036 , C23C14/3414 , C23C14/35 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L2251/306
摘要： A method for making a SnO thin film includes steps of: providing a substrate and a tin oxide sputtering target; spacing the substrate and the tin oxide sputtering target from each other; and sputtering the SnO thin film on the substrate by using a magnetron sputtering method. The tin oxide sputtering target comprises uniformly mixed elemental Sn and SnO2. An atomic ratio of Sn atoms and O atoms in the tin oxide sputtering target satisfies 1:2
摘要翻译： 制造SnO薄膜的方法包括以下步骤：提供衬底和氧化锡溅射靶; 将衬底和氧化锡溅射靶彼此间隔开; 并使用磁控溅射法将SnO薄膜溅射在基板上。 氧化锡溅射靶包括均匀混合的元素Sn和SnO 2。 氧化锡溅射靶中的Sn原子和O原子的原子比满足1:2
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公开(公告)号：US20160326634A1
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：US14842217
申请日：2015-09-01
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , LI GUO , MING-JIE CAO , XIAO-LONG LI , RU-JUN SUN
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/457
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/40 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/77 , C23C14/06 , C23C14/086
摘要： A tin oxide sputtering target includes uniformly mixed elemental Sn and SnO2. An atomic ratio of Sn atoms and O atoms in the tin oxide sputtering target satisfies 1:2
摘要翻译： 氧化锡溅射靶包括均匀混合的元素Sn和SnO 2。 氧化锡溅射靶中的Sn原子和O原子的原子比满足1:2
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公开(公告)号：US20180327896A1
公开(公告)日：2018-11-15
申请号：US16034834
申请日：2018-07-13
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , MING-JIE CAO , LI GUO , SHI-LU ZHAN , XIAO-LONG LI
CPC分类号： C23C14/3414 , B28B3/00 , C23C14/08 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3491
摘要： A sputtering target includes an indium cerium zinc oxide represented by In2CexZnO4+2x, wherein x=0.5˜2. A relative density of the sputtering target is larger than or equal to 90%. A bulk resistance of the sputtering target in a range from about 10−2 Ωcm to about 10 Ωcm. A weight percentage of crystalline In2CexZnO4+2x in the sputtering target is larger than 80%.
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10.发明申请公开(公告)号：US20170037506A1
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：US14922764
申请日：2015-10-26
发明人： DA-MING ZHUANG , MING ZHAO , MING-JIE CAO , LI GUO , LIANG-QI OUYANG , RU-JUN SUN
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/645 , C04B35/6455 , C04B2235/3229 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/77 , C23C14/08 , H01B1/08 , H01J37/3429 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： An oxide semiconductor film includes indium (In), cerium (Ce), zinc (Zn) and oxygen (O) elements, and a molar ratio of the In, Ce, and Zn as In:Ce:Zn is in a range of 2:1:(0.5 to 2). A method for making a oxide semiconductor film includes a step of forming an oxide film on a substrate by using a sputtering method and a sputtering target comprising In2CeZnxO5+x, wherein x=0.5˜2.
摘要翻译： 氧化物半导体膜包括铟（In），铈（Ce），锌（Zn）和氧（O）元素，In：Ce：Zn的In，Ce和Zn的摩尔比在2 ：1：（0.5〜2）。 制造氧化物半导体膜的方法包括通过使用溅射法在衬底上形成氧化膜的步骤和包括In2CeZnxO5 + x的溅射靶，其中x = 0.5〜2。
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