公开(公告)号：US20010029091A1

公开(公告)日：2001-10-11

申请号：US09175247

申请日：1998-10-20

Applicant: U.S. PHILIPS CORPORATION

Inventor： PETRUS M. MEIJER ,  BARTHOLOME S. MANDERS ,  HERBERT LIFKA

IPC: H01L051/40

CPC classification number: H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/312 ,  H01L21/76802

Abstract: A method for manufacturing an electronic device comprising an organic-containing material (3) comprises the steps of: covering the organic-containing material (3) with a SiO2 layer (4), applying a SiN layer (5) to the SiO2 layer (4), applying and patterning a resist layer (6), etching through the SiN layer (5) by means of an etch process wherein SiN is etched faster than SiO2, removing the resist (6), etching through the SiO2 layer (4) by means of an etch process wherein SiO2 is etched faster than SiN, removing the SiN layer (5), etching the organic dielectric material (3) using the SiO2 layer (4) as a mask.

Abstract translation: 一种用于制造包含含有机物质材料（3）的电子器件的方法，包括以下步骤：用SiO 2层（4）覆盖含有机物的材料（3），将SiN层（5）施加到SiO 2层 如图4所示，施加和图案化抗蚀剂层（6），通过蚀刻工艺蚀刻通过SiN层（5），其中SiN比SiO 2蚀刻更快，去除抗蚀剂（6），蚀刻通过SiO 2层（4） 通过蚀刻工艺，其中SiO 2比SiN蚀刻更快，去除SiN层（5），使用SiO 2层（4）作为掩模蚀刻有机电介质材料（3）。