公开(公告)号：US20160043030A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：US14477851

申请日：2014-09-04

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION

Inventor： CHIA-LIN LU ,  CHUN-LUNG CHEN ,  KUN-YUAN LIAO ,  FENG-YI CHANG

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided. The semiconductor device includes a substrate, a first dielectric layer, and a first metal plug structure, wherein a circuit element is disposed on the substrate. The first dielectric layer is disposed on the circuit element and on the substrate. The first metal plug structure, including a first barrier metal layer and a first metal interconnector, is embedded in the first dielectric layer. The first metal interconnector is in direct contact with the circuit element. The first barrier metal layer is disposed on the first metal interconnector; wherein the first barrier metal layer and the first metal interconnect have different metal materials.

Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括衬底，第一介电层和第一金属插塞结构，其中电路元件设置在衬底上。 第一介电层设置在电路元件和基板上。 包括第一阻挡金属层和第一金属互连器的第一金属插塞结构被嵌入在第一电介质层中。 第一金属互连器与电路元件直接接触。 第一阻挡金属层设置在第一金属互连器上; 其中所述第一阻挡金属层和所述第一金属互连具有不同的金属材料。