公开(公告)号：US20140370701A1

公开(公告)日：2014-12-18

申请号：US13916584

申请日：2013-06-13

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION

Inventor： Chin-Fu Lin ,  Chih-Chien Liu ,  Chia-Lin Hsu ,  Chin-Cheng Chien ,  Chun-Yuan Wu

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

Abstract: A method of fabricating semiconductor patterns includes steps as follows: Firstly, a substrate is provided and has at least a first semiconductor pattern and at least a second semiconductor pattern, wherein a line width of the first semiconductor pattern is identical to a line width of the second semiconductor pattern. Then, a barrier pattern is formed over a surface of the first semiconductor pattern, and the second semiconductor pattern is exposed. Then, a surface portion of the second semiconductor pattern is reacted to form a sacrificial structure layer. Then, the barrier pattern and the sacrificial structure layer are removed, and the line width of the second semiconductor pattern is shrunken to be less than the line width of the first semiconductor pattern. A third semiconductor pattern having a line width can be further provided.

Abstract translation: 制造半导体图案的方法包括以下步骤：首先，提供基板，并且至少具有第一半导体图案和至少第二半导体图案，其中第一半导体图案的线宽与第一半导体图案的线宽相同 第二半导体图案。 然后，在第一半导体图案的表面上形成阻挡图案，露出第二半导体图案。 然后，使第二半导体图案的表面部分反应形成牺牲结构层。 然后，去除阻挡图案和牺牲结构层，并且使第二半导体图案的线宽缩小到小于第一半导体图案的线宽。 可以进一步提供具有线宽的第三半导体图案。

公开(公告)号：US09263282B2

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：US13916584

申请日：2013-06-13

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION

Inventor： Chin-Fu Lin ,  Chih-Chien Liu ,  Chia-Lin Hsu ,  Chin-Cheng Chien ,  Chun-Yuan Wu

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/306 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

Abstract: A method of fabricating semiconductor patterns includes steps as follows: Firstly, a substrate is provided and has at least a first semiconductor pattern and at least a second semiconductor pattern, wherein a line width of the first semiconductor pattern is identical to a line width of the second semiconductor pattern. Then, a barrier pattern is formed over a surface of the first semiconductor pattern, and the second semiconductor pattern is exposed. Then, a surface portion of the second semiconductor pattern is reacted to form a sacrificial structure layer. Then, the barrier pattern and the sacrificial structure layer are removed, and the line width of the second semiconductor pattern is shrunken to be less than the line width of the first semiconductor pattern. A third semiconductor pattern having a line width can be further provided.

Abstract translation: 制造半导体图案的方法包括以下步骤：首先，提供基板，并且至少具有第一半导体图案和至少第二半导体图案，其中第一半导体图案的线宽与第一半导体图案的线宽相同 第二半导体图案。 然后，在第一半导体图案的表面上形成阻挡图案，露出第二半导体图案。 然后，使第二半导体图案的表面部分反应形成牺牲结构层。 然后，去除阻挡图案和牺牲结构层，并且使第二半导体图案的线宽缩小到小于第一半导体图案的线宽。 可以进一步提供具有线宽的第三半导体图案。