公开(公告)号：US20140151259A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：US14072277

申请日：2013-11-05

申请人： Wacker Chemie AG

发明人： Hanns WOCHNER

IPC分类号： B65D33/00 ,  B65B3/04

CPC分类号： B65D33/00 ,  B29C65/222 ,  B29C65/38 ,  B29C65/7433 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/43121 ,  B29C66/71 ,  B29C66/723 ,  B29C66/8122 ,  B29C66/9241 ,  B29C66/929 ,  B65B3/04 ,  B65D75/38 ,  B65D75/52 ,  B65D81/00 ,  B29K2827/18 ,  B29K2023/0633 ,  B29K2023/0625 ,  B29K2023/065 ,  B29K2023/06

摘要： A bag contains polysilicon, has been welded and includes at least one weld seam and a polyethylene film having: a thickness of 150-900 μm; a stiffness at a flexural modulusFmax of 300-2000 mN and Ft of 100-1300 mN; a fracture force F determined by dynamic penetration testing of 200-1500 N; a fracture energy Ws of 2-30 J; a penetration energy Wtot of 2.2-30 J; a film tensile stress at 15% longitudinal and transverse elongation of 9-50 MPa; an Elmendorf longitudinal film tear resistance of 10-60 cN; an Elmendorf transverse film tear resistance of 18-60 cN; a longitudinal film elongation at break of 300-2000%; a transverse film elongation at break of 450-3000%; and a weld seam strength of 25-150 N/15 mm. A method includes filling a bag with polysilicon, and welding by pulse sealing with contact pressure greater than 0.01 N/mm2 to obtain a 25-150 N/15 mm weld seam strength.

摘要翻译： 包含多晶硅的袋子已被焊接并且包括至少一个焊缝和聚乙烯膜，其具有150-900μm的厚度; 弯曲弹性模量Fmax为300-2000mN，Ft为100-1300mN; 通过动态穿透测试确定的断裂力F为200-1500 N; 断裂能Ws为2-30J; 渗透能量Wtot为2.2-30 J; 薄膜拉伸应力在15％纵向和横向延伸率为9-50MPa; Elmendorf纵向膜的抗撕裂性为10-60 cN; Elmendorf横向膜的抗撕裂强度为18-60 cN; 纵向膜断裂伸长率为300-2000％; 横断膜伸长率为450-3000％; 焊缝强度为25-150 N / 15 mm。 一种方法包括用多晶硅填充袋，并通过脉冲密封焊接接触压力大于0.01N / mm2，以获得25-150N / 15mm的焊缝强度。

公开(公告)号：US20130189176A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13710859

申请日：2012-12-11

申请人： WACKER CHEMIE AG

发明人： Hanns WOCHNER ,  Andreas KILLINGER ,  Reiner PECH

IPC分类号： C01B33/02 ,  C01B33/021

CPC分类号： C01B33/02 ,  C01B33/021 ,  C01B33/035 ,  C01B33/037

摘要： The invention provides a polycrystalline silicon chunk having a concentration of 1-50 ppta of boron and 1-50 ppta of phosphorus at the surface.

摘要翻译： 本发明提供一种在表面具有1-50ppta硼和1-50ppta磷的多晶硅块。

公开(公告)号：US20160273099A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：US15032227

申请日：2014-10-17

申请人： WACKER CHEMIE AG

发明人： Hanns WOCHNER

IPC分类号： C23C16/442 ,  C01B33/03

CPC分类号： C23C16/442 ,  C01B33/027 ,  C01B33/03 ,  C01B33/035 ,  F24F3/161

摘要： Polycrystalline silicon having a low P, B, and other extraneous element contamination is produced by performing at least one process step in a cleanroom of class 1 to 100,000, wherein air is conducted into the cleanroom through at least one filter for separating particles ≧1 μm, and one filter for particles

摘要翻译： 通过在1至100,000级的洁净室中进行至少一个工艺步骤来生产具有低P，B和其他外来元素污染物的多晶硅，其中通过至少一个用于分离≧1μm以上的颗粒的过滤器将空气导入洁净室 ，和一个小于1μm的颗粒过滤器，过滤器由低污染材料制成。

公开(公告)号：US20150075559A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：US14535975

申请日：2014-11-07

申请人： Wacker Chemie AG

发明人： Hanns WOCHNER ,  Christian Gossmann ,  Herbert LINDNER

IPC分类号： B08B3/08

CPC分类号： B08B3/08 ,  C01B33/00 ,  C01B33/037 ,  H01L21/67057

摘要： Polysilicon fragments are purified to remove metal contaminates by contacting the fragments with a purifying liquid at a flow rate >100 mm/sec. Effective removal without abrasion is accomplished.

摘要翻译： 通过使碎片与纯化液体以> 100mm /秒的流速接触来纯化多晶硅碎片以除去金属污染物。 实现无磨损的有效去除。

公开(公告)号：US20140037959A1

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：US13952050

申请日：2013-07-26

申请人： Wacker Chemie AG

发明人： Hanns WOCHNER ,  Laszlo FABRY

IPC分类号： C01B33/037 ,  B02C19/00

CPC分类号： C01B33/037 ,  B02C4/305 ,  B02C19/0056 ,  C01B33/02 ,  C22C29/08 ,  C22C38/00 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007 ,  Y10T428/2982

摘要： The present invention relates to polycrystalline silicon chunks which are cubic and have a metal content of less than 200 pptw and a dopant content of less than 50 ppta. Methods for producing polycrystalline silicon chunks, include the steps of providing a polycrystalline silicon rod, comminuting the polycrystalline silicon rod into cubic chunks, and cleaning the polycrystalline silicon chunks, wherein comminution takes place using a spiked-roll crusher having at least one spiked roll, the spiked roll including W2C phases or WC phases with 0.1-10% of a metal carbide selected from the group consisting of titanium carbide, chromium carbide, molybdenum carbide, vanadium carbide, and nickel carbide or consisting of steel with 1-25% W.

摘要翻译： 本发明涉及立方体并且金属含量小于200pptw并且掺杂剂含量小于50ppta的多晶硅块。 制造多晶硅块的方法包括以下步骤：提供多晶硅棒，将多晶硅棒粉碎成立方体块，以及清洗多晶硅块，其中使用具有至少一个加标辊的加标辊式破碎机进行粉碎， 所述加标辊包括W2C相或WC相，其中0.1-10％的选自碳化钛，碳化铬，碳化钼，碳化钒和碳化镍的金属碳化物或由1-25％W的钢组成。