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    Method, apparatus and system for charge injection suppression in active pixel sensors
    1.
    发明授权
    Method, apparatus and system for charge injection suppression in active pixel sensors 有权
    有源像素传感器中电荷注入抑制的方法，装置和系统

    公开(公告)号：US07619671B2

    公开(公告)日：2009-11-17

    申请号：US11488110

    申请日：2006-07-18

    申请人： Xiangli Li ,  Chen Xu ,  Peter Parker Altice ,  John Ladd

    发明人： Xiangli Li ,  Chen Xu ,  Peter Parker Altice ,  John Ladd

    IPC分类号： H04N3/14 ,  H04N5/335

    CPC分类号： H04N5/374 ,  H04N5/355 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/3594 ,  H04N5/3597

    摘要： A method and apparatus are provided for operation of an image sensor during signal readout. During a reset operation the gate of a reset transistor coupled to the storage node receives a voltage greater than a threshold voltage to produce a reset of the storage node. During a period where photogenerated charges stored at the storage node are read out the gate of the reset transistor receives a voltage VRST—LOW greater than ground, but less than a maximum voltage which can be stored at the storage node.

    摘要翻译： 提供了一种在信号读出期间操作图像传感器的方法和装置。 在复位操作期间，耦合到存储节点的复位晶体管的栅极接收大于阈值电压的电压，以产生存储节点的复位。 在存储节点存储的光生电荷被读出的期间，复位晶体管的栅极接收比地大的电压VRST-LOW，但小于可存储在存储节点处的最大电压。

    Method, apparatus and system for charge injection suppression in active pixel sensors
    2.
    发明申请
    Method, apparatus and system for charge injection suppression in active pixel sensors 有权
    有源像素传感器中电荷注入抑制的方法，装置和系统

    公开(公告)号：US20080018762A1

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：US11488110

    申请日：2006-07-18

    申请人： Xiangli Li ,  Chen Xu ,  Peter Parker Altice ,  John Ladd

    发明人： Xiangli Li ,  Chen Xu ,  Peter Parker Altice ,  John Ladd

    IPC分类号： H04N3/14 ,  H04N5/335

    CPC分类号： H04N5/374 ,  H04N5/355 ,  H04N5/3575 ,  H04N5/3594 ,  H04N5/3597

    摘要： A method and apparatus are provided for operation of an image sensor during signal readout. During a reset operation the gate of a reset transistor coupled to the storage node receives a voltage greater than a threshold voltage to produce a reset of the storage node. During a period where photogenerated charges stored at the storage node are read out the gate of the reset transistor receives a voltage VRST—LOW greater than ground, but less than a maximum voltage which can be stored at the storage node.

    摘要翻译： 提供了一种在信号读出期间操作图像传感器的方法和装置。 在复位操作期间，耦合到存储节点的复位晶体管的栅极接收大于阈值电压的电压，以产生存储节点的复位。 在存储在存储节点处的光电荷的电荷被读出的期间，复位晶体管的栅极接收电压V LOW 大于地，但小于可存储在存储节点处的最大电压。

    Method and apparatus for reducing dark current and hot pixels in CMOS image sensors
    3.
    发明授权
    Method and apparatus for reducing dark current and hot pixels in CMOS image sensors 有权
    用于减少CMOS图像传感器中的暗电流和热像素的方法和装置

    公开(公告)号：US07858914B2

    公开(公告)日：2010-12-28

    申请号：US11942847

    申请日：2007-11-20

    申请人： Xiangli Li ,  Richard Mauritzson ,  Xiaofeng Fan ,  John Ladd

    发明人： Xiangli Li ,  Richard Mauritzson ,  Xiaofeng Fan ,  John Ladd

    IPC分类号： H04N3/14 ,  H04N5/335 ,  H04N5/217

    CPC分类号： H04N5/361 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

    摘要： Methods and apparatuses for reducing dark current and hot pixels in CMOS image sensors. A pixel apparatus includes a photosensor capable of generating dark current, a floating diffusion region coupled to the photosensor by way of a charge transfer transistor, a rest transistor connected between the floating diffusion region and an array pixel supply voltage. The array supply voltage varies between first and second voltages when sampling pixel signals from the pixel.

    摘要翻译： 降低CMOS图像传感器中的暗电流和热像素的方法和装置。 像素装置包括能够产生暗电流的光电传感器，通过电荷转移晶体管耦合到光传感器的浮动扩散区域，连接在浮置扩散区域和阵列像素电源电压之间的静止晶体管。 当从像素采样像素信号时，阵列电源电压在第一和第二电压之间变化。

    METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING DARK CURRENT AND HOT PIXELS IN CMOS IMAGE SENSORS
    4.
    发明申请
    METHOD AND APPARATUS FOR REDUCING DARK CURRENT AND HOT PIXELS IN CMOS IMAGE SENSORS 有权
    用于减少CMOS图像传感器中的暗电流和高像素的方法和装置

    公开(公告)号：US20090127437A1

    公开(公告)日：2009-05-21

    申请号：US11942847

    申请日：2007-11-20

    申请人： Xiangli Li ,  Richard Mauritzson ,  Xiaofeng Fan ,  John Ladd

    发明人： Xiangli Li ,  Richard Mauritzson ,  Xiaofeng Fan ,  John Ladd

    IPC分类号： H01L27/00

    CPC分类号： H04N5/361 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14643

    摘要： Methods and apparatuses for reducing dark current and hot pixels in CMOS image sensors. A pixel apparatus includes a photosensor capable of generating dark current, a floating diffusion region coupled to the photosensor by way of a charge transfer transistor, a rest transistor connected between the floating diffusion region and an array pixel supply voltage. The array supply voltage varies between first and second voltages when sampling pixel signals from the pixel.

    摘要翻译： 降低CMOS图像传感器中的暗电流和热像素的方法和装置。 像素装置包括能够产生暗电流的光电传感器，通过电荷转移晶体管耦合到光传感器的浮动扩散区域，连接在浮置扩散区域和阵列像素电源电压之间的静止晶体管。 当从像素采样像素信号时，阵列电源电压在第一和第二电压之间变化。

    Imaging systems and methods including pixel arrays with reduced numbers of metal lines and control signals
    5.
    发明授权
    Imaging systems and methods including pixel arrays with reduced numbers of metal lines and control signals 有权
    成像系统和方法包括具有减少数量的金属线和控制信号的像素阵列

    公开(公告)号：US08829407B2

    公开(公告)日：2014-09-09

    申请号：US12907465

    申请日：2010-10-19

    申请人： John Ladd ,  Gennadiy Agranov ,  Xiangli Li

    发明人： John Ladd ,  Gennadiy Agranov ,  Xiangli Li

    IPC分类号： H01L27/00 ,  G01J1/44 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/374

    CPC分类号： H01L27/14641 ,  G01J1/44 ,  H04N5/3741 ,  H04N5/3745

    摘要： This is generally directed to systems and methods for reduced metal lines and control signals in an imaging system. For example, in some embodiments a pixel cell of an imaging system can operate without a row select transistor, and therefore can operate without a row select metal control line. As another example, in some embodiments a pixel cell can share its reset transistor control line with a transfer transistor control line of another pixel cell. In this manner, an imaging system can be created that averages a single metal line per pixel cell. In some embodiments, operation of such reduced-metal line imaging systems can use modified timing schemes of control signals.

    摘要翻译： 这通常涉及用于在成像系统中减少金属线和控制信号的系统和方法。 例如，在一些实施例中，成像系统的像素单元可以在没有行选择晶体管的情况下工作，因此可以在没有行选择金属控制线的情况下操作。 作为另一示例，在一些实施例中，像素单元可以与另一像素单元的传输晶体管控制线共享其复位晶体管控制线。 以这种方式，可以创建对每个像素单元进行平均单个金属线的成像系统。 在一些实施例中，这种简化金属线成像系统的操作可以使用控制信号的修改的定时方案。

    IMAGING SYSTEMS AND METHODS INCLUDING PIXEL ARRAYS WITH REDUCED NUMBERS OF METAL LINES AND CONTROL SIGNALS
    6.
    发明申请
    IMAGING SYSTEMS AND METHODS INCLUDING PIXEL ARRAYS WITH REDUCED NUMBERS OF METAL LINES AND CONTROL SIGNALS 有权
    成像系统和方法，包括具有金属线和控制信号的数量减少的像素阵列

    公开(公告)号：US20120091317A1

    公开(公告)日：2012-04-19

    申请号：US12907465

    申请日：2010-10-19

    申请人： John Ladd ,  Gennadiy Agranov ,  Xiangli Li

    发明人： John Ladd ,  Gennadiy Agranov ,  Xiangli Li

    IPC分类号： H01L27/146 ,  G01J1/42

    CPC分类号： H01L27/14641 ,  G01J1/44 ,  H04N5/3741 ,  H04N5/3745

    摘要： This is generally directed to systems and methods for reduced metal lines and control signals in an imaging system. For example, in some embodiments a pixel cell of an imaging system can operate without a row select transistor, and therefore can operate without a row select metal control line. As another example, in some embodiments a pixel cell can share its reset transistor control line with a transfer transistor control line of another pixel cell. In this manner, an imaging system can be created that averages a single metal line per pixel cell. In some embodiments, operation of such reduced-metal line imaging systems can use modified timing schemes of control signals.

    摘要翻译： 这通常涉及用于在成像系统中减少金属线和控制信号的系统和方法。 例如，在一些实施例中，成像系统的像素单元可以在没有行选择晶体管的情况下工作，因此可以在没有行选择金属控制线的情况下操作。 作为另一示例，在一些实施例中，像素单元可以与另一像素单元的传输晶体管控制线共享其复位晶体管控制线。 以这种方式，可以创建对每个像素单元进行平均单个金属线的成像系统。 在一些实施例中，这种简化金属线成像系统的操作可以使用控制信号的修改的定时方案。

    Method and apparatus for dark current and blooming suppression in 4T CMOS imager pixel
    10.
    发明授权
    Method and apparatus for dark current and blooming suppression in 4T CMOS imager pixel 有权
    4T CMOS成像器像素中暗电流和光晕抑制的方法和装置

    公开(公告)号：US08021908B2

    公开(公告)日：2011-09-20

    申请号：US12943082

    申请日：2010-11-10

    申请人： John Ladd

    发明人： John Ladd

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： H04N5/3591 ,  H04N5/361

    摘要： A method and apparatus for operating an imager pixel that includes the act of applying a relatively small first polarity voltage and a plurality of pulses of a second polarity voltage on the gate of a transfer transistor during a charge integration period.

    摘要翻译： 一种用于操作成像器像素的方法和装置，其包括在电荷积分时段期间在传输晶体管的栅极上施加相对较小的第一极性电压和多个第二极性电压的脉冲的动作。