公开(公告)号：US06737358B2

公开(公告)日：2004-05-18

申请号：US10076129

申请日：2002-02-13

申请人： Y. Long He ,  Albert Kwok ,  Tsukasa Abe ,  Han-Ming Wu

发明人： Y. Long He ,  Albert Kwok ,  Tsukasa Abe ,  Han-Ming Wu

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01J37/32009 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065

摘要： Plasma etching is controlled utilizing two etchant gases to form a plasma so as to obtain controlled (e.g., uniform) etch rate across a wafer. One etchant gas forms a positive plasma, which is the dominant plasma. The other etchant gas forms a negative plasma, which is the secondary plasma. The ratio of dominant plasma to the secondary plasma can be adjusted such that ion densities are uniform across the wafer, resulting in uniform etch rate over the wafer.

摘要翻译： 使用两种蚀刻剂气体来控制等离子体蚀刻以形成等离子体，以便获得跨晶片的受控（例如，均匀的）蚀刻速率。 一个蚀刻剂气体形成一个正等离子体，这是主要的等离子体。 其他蚀刻剂气体形成负等离子体，其为次级等离子体。 可以调整主要等离子体与次级等离子体的比例，使得离子密度在晶片上是均匀的，从而在晶片上产生均匀的蚀刻速率。