公开(公告)号：US07859659B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11614315

申请日：2006-12-21

申请人： Yiping Xu ,  Ibrahim Abdulhalm

发明人： Yiping Xu ,  Ibrahim Abdulhalm

IPC分类号： G01J3/00

CPC分类号： G03F7/70625 ,  G01B11/0641 ,  G01N21/211 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/213 ,  G01N2021/556 ,  G01N2021/95615 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70616 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Before the diffraction from a diffracting structure on a semiconductor wafer is measured, where necessary, the film thickness and index of refraction of the films underneath the structure are first measured using spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry. A rigorous model is then used to calculate intensity or ellipsometric signatures of the diffracting structure. The diffracting structure is then measured using a spectroscopic scatterometer using polarized and broadband radiation to obtain an intensity or ellipsometric signature of the diffracting structure. Such signature is then matched with the signatures in the database to determine the grating shape parameters of the structure.

摘要翻译： 在半导体晶片上的衍射结构的衍射测量之前，必要时，首先使用光谱反射计或光谱椭偏仪测量膜下面的膜的膜厚度和折射率。 然后使用严格的模型来计算衍射结构的强度或椭偏特征。 然后使用使用偏振和宽带辐射的分光散射仪测量衍射结构，以获得衍射结构的强度或椭偏特征。 然后将这样的签名与数据库中的签名相匹配，以确定结构的光栅形状参数。

公开(公告)号：US20100165340A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：US12642670

申请日：2009-12-18

申请人： Yiping Xu ,  Ibrahim Abdulhalm

发明人： Yiping Xu ,  Ibrahim Abdulhalm

IPC分类号： G01J3/447 ,  G01B11/14 ,  G01J4/04

CPC分类号： G03F7/70625 ,  G01B11/0641 ,  G01N21/211 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/213 ,  G01N2021/556 ,  G01N2021/95615 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70616 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Before the diffraction from a diffracting structure on a semiconductor wafer is measured, where necessary, the film thickness and index of refraction of the films underneath the structure are first measured using spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry. A rigorous model is then used to calculate intensity or ellipsometric signatures of the diffracting structure. The diffracting structure is then measured using a spectroscopic scatterometer using polarized and broadband radiation to obtain an intensity or ellipsometric signature of the diffracting structure. Such signature is then matched with the signatures in the database to determine the grating shape parameters of the structure.

摘要翻译： 在半导体晶片上的衍射结构的衍射测量之前，必要时，首先使用光谱反射计或光谱椭偏仪测量膜下面的膜的膜厚度和折射率。 然后使用严格的模型来计算衍射结构的强度或椭偏特征。 然后使用使用偏振和宽带辐射的分光散射仪测量衍射结构，以获得衍射结构的强度或椭偏特征。 然后将这样的签名与数据库中的签名相匹配，以确定结构的光栅形状参数。

公开(公告)号：US07898661B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12642670

申请日：2009-12-18

申请人： Yiping Xu ,  Ibrahim Abdulhalm

发明人： Yiping Xu ,  Ibrahim Abdulhalm

IPC分类号： G01J4/00

CPC分类号： G03F7/70625 ,  G01B11/0641 ,  G01N21/211 ,  G01N21/4788 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G01N21/956 ,  G01N21/95607 ,  G01N2021/213 ,  G01N2021/556 ,  G01N2021/95615 ,  G03F7/70491 ,  G03F7/70616 ,  H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Before the diffraction from a diffracting structure on a semiconductor wafer is measured, where necessary, the film thickness and index of refraction of the films underneath the structure are first measured using spectroscopic reflectometry or spectroscopic ellipsometry. A rigorous model is then used to calculate intensity or ellipsometric signatures of the diffracting structure. The diffracting structure is then measured using a spectroscopic scatterometer using polarized and broadband radiation to obtain an intensity or ellipsometric signature of the diffracting structure. Such signature is then matched with the signatures in the database to determine the grating shape parameters of the structure.

摘要翻译： 在半导体晶片上的衍射结构的衍射测量之前，必要时，首先使用光谱反射计或光谱椭偏仪测量膜下面的膜的膜厚度和折射率。 然后使用严格的模型来计算衍射结构的强度或椭偏特征。 然后使用使用偏振和宽带辐射的分光散射仪测量衍射结构，以获得衍射结构的强度或椭偏特征。 然后将这样的签名与数据库中的签名相匹配，以确定结构的光栅形状参数。