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    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY CARD AND SYSTEM, AND METHOD DETERMINING READ VOLTAGE IN SAME
    3.
    发明申请
    NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY CARD AND SYSTEM, AND METHOD DETERMINING READ VOLTAGE IN SAME 失效
    非易失性存储器件，存储卡和系统以及确定读取电压的方法

    公开(公告)号：US20100118608A1

    公开(公告)日：2010-05-13

    申请号：US12614545

    申请日：2009-11-09

    申请人： Seung-Hwan SONG ,  Jaehong KIM ,  Kyoung Lae CHO ,  Yong June KIM ,  Jun Jin KONG ,  Jong Han KIM

    发明人： Seung-Hwan SONG ,  Jaehong KIM ,  Kyoung Lae CHO ,  Yong June KIM ,  Jun Jin KONG ,  Jong Han KIM

    IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/06

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C11/5642 ,  G11C29/00 ,  G11C2211/5634

    摘要： A non-volatile semiconductor memory device and related method of determining a read voltage are disclosed. The non-volatile semiconductor memory device includes; a memory cell array including a plurality of memory cells, a read voltage determination unit configured to determine an optimal read voltage by comparing reference data obtained during a program operation with comparative data obtained during a subsequent read operation and changing a current read voltage to a new read voltage based on a result of the comparison, and a read voltage generation unit configured to generate the new read voltage in response to a read voltage control signal provided by the read voltage determination unit.

    摘要翻译： 公开了一种非易失性半导体存储器件及确定读取电压的相关方法。 非易失性半导体存储器件包括： 包括多个存储单元的存储单元阵列，读电压确定单元，被配置为通过将在编程操作期间获得的参考数据与在随后的读取操作期间获得的比较数据进行比较来确定最佳读取电压，并将当前读取电压改变为新的 基于比较结果的读取电压和读取电压生成单元，被配置为响应于由读取电压确定单元提供的读取电压控制信号而产生新的读取电压。

    Apparatus and method of multi-bit programming
    4.
    发明申请
    Apparatus and method of multi-bit programming 有权
    多位编程的装置和方法

    公开(公告)号：US20090103359A1

    公开(公告)日：2009-04-23

    申请号：US12073101

    申请日：2008-02-29

    申请人： Seung-Hwan SONG ,  Kyoung Lae Cho ,  Heeseok Eun ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park

    发明人： Seung-Hwan SONG ,  Kyoung Lae Cho ,  Heeseok Eun ,  Dong Hyuk Chae ,  Jun Jin Kong ,  Sung Chung Park

    IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C2211/5621

    摘要： Multi-bit programming apparatuses and/or methods are provided. A multi-bit programming apparatus may comprise: a multi-bit cell array that includes a first multi-bit cell and a second multi-bit cell; a programming unit for programming first data in the first multi-bit cell, and programming second data in the second multi-bit cell; and a verification unit for verifying whether the first data is programmed in the first multi-bit cell using a first verification voltage, and verifying whether the second data is programmed in the second multi-bit cell using a second verification voltage. The multi-bit programming apparatus may generate better threshold voltage distributions in a multi-bit cell memory.

    摘要翻译： 提供了多位编程设备和/或方法。 多比特编程装置可以包括：包括第一多比特小区和第二多比特小区的多比特单元阵列; 编程单元，用于对第一多位单元中的第一数据进行编程，以及编程第二多位单元中的第二数据; 以及验证单元，用于使用第一验证电压来验证第一数据是否被编程在第一多位单元中，以及使用第二验证电压来验证第二数据是否被编程在第二多位单元中。 多比特编程装置可以在多比特单元存储器中产生更好的阈值电压分布。

    NONVOLATILE MEMORY DEVICE, SYSTEM, AND RELATED METHODS OF OPERATION
    6.
    发明申请
    NONVOLATILE MEMORY DEVICE, SYSTEM, AND RELATED METHODS OF OPERATION 有权
    非易失性存储器件，系统及相关操作方法

    公开(公告)号：US20110007563A1

    公开(公告)日：2011-01-13

    申请号：US12797668

    申请日：2010-06-10

    申请人： Han Woong YOO ,  Seung-Hwan SONG ,  Hee seok EUN ,  Jun jin KONG

    发明人： Han Woong YOO ,  Seung-Hwan SONG ,  Hee seok EUN ,  Jun jin KONG

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/34 ,  G11C11/5642

    摘要： A method of reading a nonvolatile memory device comprises measuring threshold voltage distributions of a plurality of memory cells, combining the measured threshold voltage distributions, and determining local minimum points in the combined threshold voltage distributions to determine read voltages for a predetermined group of memory cells.

    摘要翻译： 读取非易失性存储器件的方法包括测量多个存储器单元的阈值电压分布，组合测量的阈值电压分布，以及确定组合阈值电压分布中的局部最小点，以确定预定组的存储器单元的读取电压。

    ERROR CONTROL CODE APPARATUSES AND METHODS OF USING THE SAME
    8.
    发明申请
    ERROR CONTROL CODE APPARATUSES AND METHODS OF USING THE SAME 有权
    错误控制代码设备及其使用方法

    公开(公告)号：US20080276150A1

    公开(公告)日：2008-11-06

    申请号：US11905734

    申请日：2007-10-03

    申请人： Jun Jin KONG ,  Seung-Hwan SONG ,  Dong Hyuk CHAE ,  Kyoung Lae CHO ,  Seung Jae LEE ,  Nam Phil JO ,  Sung Chung PARK ,  Dong Ku KANG

    发明人： Jun Jin KONG ,  Seung-Hwan SONG ,  Dong Hyuk CHAE ,  Kyoung Lae CHO ,  Seung Jae LEE ,  Nam Phil JO ,  Sung Chung PARK ,  Dong Ku KANG

    IPC分类号： G06F11/08

    CPC分类号： G06F11/1072

    摘要： An Error Control Code (ECC) apparatus applied to a memory of a Multi-Level Cell (MLC) method may include: a bypass control signal generator generating a bypass control signal; and an ECC performing unit that may include at least two ECC decoding blocks, determining whether to bypass a portion of the at least two ECC decoding blocks based on the bypass control signal, and/or performing an ECC decoding. In addition or in the alternative, the ECC performing unit may include at least two ECC encoding blocks, determining whether to bypass a portion of the at least two ECC encoding blocks based on the bypass control signal, and/or performing an ECC encoding. An ECC method applied to a memory of a MLC method and a computer-readable recording medium storing a program for implementing an EEC method applied to a memory of a MLC method are also disclose.

    摘要翻译： 应用于多电平单元（MLC）方法的存储器的错误控制代码（ECC）装置可以包括：旁路控制信号发生器，其生成旁路控制信号; 以及ECC执行单元，其可以包括至少两个ECC解码块，基于旁路控制信号确定是否绕过所述至少两个ECC解码块的一部分，和/或执行ECC解码。 另外或在替代方案中，ECC执行单元可以包括至少两个ECC编码块，基于旁路控制信号确定是否绕过至少两个ECC编码块的一部分，和/或执行ECC编码。 还公开了应用于MLC方法的存储器的ECC方法和存储用于实现应用于MLC方法的存储器的EEC方法的程序的计算机可读记录介质。

    METHOD ANALYZING THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION IN NONVOLATILE MEMORY
    9.
    发明申请
    METHOD ANALYZING THRESHOLD VOLTAGE DISTRIBUTION IN NONVOLATILE MEMORY 有权
    方法分析非易失性存储器中的阈值电压分布

    公开(公告)号：US20100103731A1

    公开(公告)日：2010-04-29

    申请号：US12558627

    申请日：2009-09-14

    申请人： Han Woong YOO ,  Seung-Hwan SONG ,  Junjin KONG ,  Jaehong KIM

    发明人： Han Woong YOO ,  Seung-Hwan SONG ,  Junjin KONG ,  Jaehong KIM

    IPC分类号： G11C16/04

    CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/3427

    摘要： A distribution analyzing method for a nonvolatile memory device having memory cells exhibiting overlapping first and second threshold voltage distributions includes; detecting a degree of overlap between the first and second threshold voltage distributions by reading data stored in the memory cells and determining read index data from the read data, and estimating a distribution characteristic for at least one of the overlapping threshold voltage distributions using the read index data.

    摘要翻译： 一种具有显示重叠的第一和第二阈值电压分布的存储单元的非易失性存储器件的分布分析方法包括： 通过读取存储在存储单元中的数据并根据读取的数据确定读取的索引数据来检测第一和第二阈值电压分布之间的重叠程度，并且使用读取的索引来估计至少一个重叠阈值电压分布的分布特性 数据。