公开(公告)号：US08811080B2

公开(公告)日：2014-08-19

申请号：US13236176

申请日：2011-09-19

申请人： Yongjune Kim ,  Hong Rak Son ,  Seonghyeog Choi ,  Junjin Kong

发明人： Yongjune Kim ,  Hong Rak Son ,  Seonghyeog Choi ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C11/06

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

摘要： Provided are a flash memory system and a word line interleaving method thereof. The flash memory system includes a memory cell array, and a word line interleaving logic. The memory cell array is connected to a plurality of word lines. The word line (WL) interleaving logic performs an interleaving operation on WL data corresponding to at least two different wordlines and programming data, including the interleaved data, to the memory cell array.

摘要翻译： 提供一种闪速存储器系统及其字线交错方法。 闪存系统包括存储单元阵列和字线交错逻辑。 存储单元阵列连接到多个字线。 字线（WL）交织逻辑对与至少两个不同字线对应的WL数据和包括交错数据的编程数据执行对存储单元阵列的交织操作。