公开(公告)号：US4208257A

公开(公告)日：1980-06-17

申请号：US708

申请日：1979-01-03

申请人： Yoshio Hom-ma ,  Hisao Nozawa ,  Akira Sato ,  Seiki Harada

发明人： Yoshio Hom-ma ,  Hisao Nozawa ,  Akira Sato ,  Seiki Harada

IPC分类号： H05K3/02 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/768 ,  H05K3/07 ,  H05K3/14 ,  C25F3/02 ,  C23C15/00 ,  C25F3/14

CPC分类号： H01L21/7688 ,  H05K3/07 ,  H05K3/143

摘要： A lift-off layer made of a non-photosensitive resin or the like deposited on a substrate is put into a pattern inverse to an interconnection pattern by etching employing a molybdenum mask, a metal layer for interconnection metalization is formed on the whole area of the lift-off layer, and the molybdenum mask is removed by electrolytic etching, to simultaneously strip off and remove the metal layer overlying the mask, whereby an interconnection is formed. Thus, the interconnection can be formed in a much shorter time than in a prior-art lift-off technique.

摘要翻译： 通过使用钼掩模进行蚀刻，将由非感光性树脂等构成的剥离层放置在与布线图案相反的图案中，在该区域的整个区域上形成用于互连金属化的金属层 剥离层，通过电解蚀刻去除钼掩模，同时剥离并除去覆盖在掩模上的金属层，从而形成互连。 因此，可以在比现有技术的剥离技术更短的时间内形成互连。