公开(公告)号：US20090081848A1

公开(公告)日：2009-03-26

申请号：US12212386

申请日：2008-09-17

申请人： Yuri EROKHIN ,  Paul SULLIVAN ,  Steven R. WALTHER ,  Peter NUNAN

发明人： Yuri EROKHIN ,  Paul SULLIVAN ,  Steven R. WALTHER ,  Peter NUNAN

IPC分类号： H01L21/46 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01L21/76251 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/201 ,  H01J2237/202 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2924/30105

摘要： A method for wafer bonding two substrates activated by ion implantation is disclosed. An in situ ion bonding chamber allows ion activation and bonding to occur within an existing process tool utilized in a manufacturing process line. Ion activation of at least one of the substrates is performed at low implant energies to ensure that the wafer material below the thin surface layers remains unaffected by the ion activation.

摘要翻译： 公开了一种通过离子注入激活的晶片接合两个基板的方法。 原位离子键合室允许离子激活和结合发生在制造工艺线中使用的现有工艺工具中。 在低注入能量下进行至少一个衬底的离子激活，以确保薄表面层下面的晶片材料不受离子激活的影响。