公开(公告)号：US20100190339A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：US12670495

申请日：2008-07-24

申请人： Zhan Chen ,  Kai Luo ,  Robert Vacassy

发明人： Zhan Chen ,  Kai Luo ,  Robert Vacassy

IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  G11C13/0004 ,  H01L21/31053

摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition suitable for polishing a substrate comprising a phase change material (PCM), such as a germanium-antimony-tellurium (GST) alloy. The composition comprises a particulate abrasive material in combination with lysine, an optional oxidizing agent, and an aqueous carrier therefor. CMP methods for polishing a phase change material-containing substrate utilizing the composition are also disclosed.

摘要翻译： 本发明提供了适用于抛光包括相变材料（PCM）的基材的化学机械抛光（CMP）组合物，例如锗 - 锑 - 碲（GST）合金。 组合物包含与赖氨酸组合的颗粒磨料，任选的氧化剂及其水性载体。 还公开了利用该组合物研磨含相变材料的衬底的CMP方法。