利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

19 条记录 (耗时 0.037 秒)

    COMPOSITIONS AND METHODS FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF PHASE CHANGE MATERIALS
    1.
    发明申请
    COMPOSITIONS AND METHODS FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF PHASE CHANGE MATERIALS 审中-公开
    化学机械抛光相变材料的组合物和方法

    公开(公告)号：US20100190339A1

    公开(公告)日：2010-07-29

    申请号：US12670495

    申请日：2008-07-24

    申请人： Zhan Chen ,  Kai Luo ,  Robert Vacassy

    发明人： Zhan Chen ,  Kai Luo ,  Robert Vacassy

    IPC分类号： H01L21/304 ,  C09K13/00

    CPC分类号： C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  C09K3/1463 ,  G11C13/0004 ,  H01L21/31053

    摘要： The present invention provides a chemical-mechanical polishing (CMP) composition suitable for polishing a substrate comprising a phase change material (PCM), such as a germanium-antimony-tellurium (GST) alloy. The composition comprises a particulate abrasive material in combination with lysine, an optional oxidizing agent, and an aqueous carrier therefor. CMP methods for polishing a phase change material-containing substrate utilizing the composition are also disclosed.

    摘要翻译： 本发明提供了适用于抛光包括相变材料（PCM）的基材的化学机械抛光（CMP）组合物，例如锗 - 锑 - 碲（GST）合金。 组合物包含与赖氨酸组合的颗粒磨料，任选的氧化剂及其水性载体。 还公开了利用该组合物研磨含相变材料的衬底的CMP方法。

    Tunable selectivity slurries in CMP applications
    2.
    发明授权
    Tunable selectivity slurries in CMP applications 有权
    CMP应用中可调谐的选择性浆料

    公开(公告)号：US07294576B1

    公开(公告)日：2007-11-13

    申请号：US11478023

    申请日：2006-06-29

    申请人： Zhan Chen ,  Robert Vacassy ,  Benjamin Bayer ,  Dinesh Khanna

    发明人： Zhan Chen ,  Robert Vacassy ,  Benjamin Bayer ,  Dinesh Khanna

    IPC分类号： H01L21/302

    CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

    摘要： The invention provides a method of preparing a chemical-mechanical polishing composition for polishing a substrate with at least a first layer and a second layer. The method comprises providing both a first chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive with a selectivity for a first layer as compared to a second layer and a second chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive with different selectivity for the first layer as compared to the second layer, wherein the second chemical-mechanical polishing composition is stable in the presence of the first chemical-mechanical polishing composition, and mixing the first and second chemical-mechanical polishing compositions in a ratio to achieve a final selectivity for the first layer as compared to the second layer. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate.

    摘要翻译： 本发明提供一种制备用至少第一层和第二层来抛光衬底的化学机械抛光组合物的方法。 该方法包括提供包含磨料的第一化学机械抛光组合物，其与第二层相比具有对第一层的选择性;以及第二化学机械抛光组合物，其包含与第一层相比具有不同选择性的研磨剂 第二层，其中所述第二化学机械抛光组合物在所述第一化学机械抛光组合物的存在下是稳定的，并且以比例混合所述第一和第二化学机械抛光组合物以获得比较所述第一层的最终选择性 到第二层。 本发明还提供了一种化学机械抛光衬底的方法。

    Methanol-containing silica-based cmp compositions
    6.
    发明申请
    Methanol-containing silica-based cmp compositions 审中-公开
    含甲醇的二氧化硅基cmp组合物

    公开(公告)号：US20050150173A1

    公开(公告)日：2005-07-14

    申请号：US10506853

    申请日：2003-03-05

    申请人： Robert Vacassy

    发明人： Robert Vacassy

    IPC分类号： C09K3/14 ,  B24B37/00 ,  C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  B24D3/02

    CPC分类号： C09G1/02

    摘要： The invention provides a polishing composition comprising (a) a silica abrasive, (b) methanol, and (c) a liquid carrier, wherein the polishing composition has a pH of 1 to 6, and the polishing composition is colloidally stable. The invention also provides a method for polishing a substrate comprising a silicon-based dielectric layer using the polishing composition. The invention further provides a method of stabilizing a silica abrasive in a polishing composition by contacting the abrasive with methanol.

    摘要翻译： 本发明提供一种抛光组合物，其包括（a）二氧化硅磨料，（b）甲醇和（c）液体载体，其中所述抛光组合物的pH为1至6，并且所述抛光组合物胶体稳定。 本发明还提供了一种使用抛光组合物抛光包含硅基电介质层的衬底的方法。 本发明还提供了一种通过使磨料与甲醇接触来稳定抛光组合物中的二氧化硅磨料的方法。

    Methanol-containing silica-based CMP compositions
    7.
    发明授权
    Methanol-containing silica-based CMP compositions 有权
    含甲醇的二氧化硅基CMP组合物

    公开(公告)号：US06682575B2

    公开(公告)日：2004-01-27

    申请号：US10092406

    申请日：2002-03-05

    申请人： Robert Vacassy

    发明人： Robert Vacassy

    IPC分类号： C09G102

    CPC分类号： C09G1/02

    摘要： The invention provides a polishing composition comprising (a) a silica abrasive, (b) methanol, and (c) a liquid carrier, wherein the polishing composition has a pH of about 1 to about 6, and the polishing composition is colloidally stable. The invention also provides a method for polishing a substrate comprising a silicon-based dielectric layer using the polishing composition. The invention further provides a method of stabilizing a silica abrasive in a polishing composition by contacting the abrasive with methanol.

    摘要翻译： 本发明提供一种抛光组合物，其包括（a）二氧化硅磨料，（b）甲醇和（c）液体载体，其中所述抛光组合物的pH为约1至约6，并且所述抛光组合物胶体稳定。 本发明还提供了一种使用抛光组合物抛光包含硅基电介质层的衬底的方法。 本发明还提供了一种通过使磨料与甲醇接触来稳定抛光组合物中的二氧化硅磨料的方法。

    CMP method for metal-containing substrates
    9.
    发明申请
    CMP method for metal-containing substrates 有权
    含金属基板的CMP方法

    公开(公告)号：US20090314744A1

    公开(公告)日：2009-12-24

    申请号：US12309212

    申请日：2007-07-06

    申请人： Robert Vacassy ,  Renjie Zhou

    发明人： Robert Vacassy ,  Renjie Zhou

    IPC分类号： B44C1/22 ,  C09K3/14 ,  C09K13/00

    CPC分类号： C09K3/1436 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1445 ,  H01L21/3212

    摘要： An aqueous chemical-mechanical polishing composition for polishing metal containing substrates comprising an abrasive particle consisting essentially of a primary particle modified with an aluminosilicate layer, and wherein the abrasive particle has a zeta potential measured at pH 2.3 of about −5 mV to about −100 mV. The composition can be used to polish the surface of a tungsten containing substrate.

    摘要翻译： 一种用于抛光含金属基材的含水化学机械抛光组合物，其包含基本上由用硅铝酸盐层改性的初级颗粒组成的研磨颗粒，并且其中所述磨料颗粒具有在约2.3mV至约-100℃下测量的ζ电位 mV。 该组合物可用于抛光含钨底物的表面。