公开(公告)号：US07179692B2

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：US10913409

申请日：2004-08-09

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： A method of forming a semiconductor device includes forming a fin on an insulating layer, where the fin includes a number of side surfaces, a top surface and a bottom surface. The method also includes forming a gate on the insulating layer, where the gate has a substantially U-shaped cross-section at a channel region of the semiconductor device.

摘要翻译： 形成半导体器件的方法包括在绝缘层上形成翅片，其中鳍片包括多个侧表面，顶表面和底表面。 该方法还包括在绝缘层上形成栅极，其中栅极在半导体器件的沟道区域具有基本上U形的横截面。

公开(公告)号：US06921963B2

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：US10830006

申请日：2004-04-23

申请人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78687

摘要： A narrow channel FinFET is described herein with a narrow channel width. A protective layer may be formed over the narrow channel, the protective layer being wider than the narrow channel.

摘要翻译： 这里描述了窄通道FinFET，其具有窄的通道宽度。 可以在窄通道上形成保护层，保护层比窄通道宽。

公开(公告)号：US06803631B2

公开(公告)日：2004-10-12

申请号：US10349042

申请日：2003-01-23

申请人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2701

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78687

摘要： A semiconductor structure includes a fin and a layer formed on the fin. The fin includes a first crystalline material having a rectangular cross section and a number of surfaces. The layer is formed on the surfaces and includes a second crystalline material. The first crystalline material has a different lattice constant than the second crystalline material to induce tensile strain within the first layer.

摘要翻译： 半导体结构包括翅片和形成在翅片上的层。 翅片包括具有矩形横截面和多个表面的第一结晶材料。 该层形成在表面上并且包括第二结晶材料。 第一结晶材料具有与第二结晶材料不同的晶格常数，以在第一层内引起拉伸应变。

公开(公告)号：US06897527B2

公开(公告)日：2005-05-24

申请号：US10833112

申请日：2004-04-28

申请人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L27/01

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78687

摘要： A semiconductor device includes a fin and a layer formed on at least a portion of the fin. The fin includes a first crystalline material. The layer includes a second crystalline material, where the first crystalline material has a larger lattice constant than the second crystalline material to induce tensile strain within the layer.

摘要翻译： 半导体器件包括翅片和形成在鳍片的至少一部分上的层。 翅片包括第一结晶材料。 该层包括第二结晶材料，其中第一结晶材料具有比第二结晶材料更大的晶格常数以在层内引起拉伸应变。

公开(公告)号：US06762483B1

公开(公告)日：2004-07-13

申请号：US10348910

申请日：2003-01-23

申请人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Zoran Krivokapic ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L2906

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/78687

摘要： A method of forming fins for a double-gate fin field effect transistor (FinFET) includes forming a second layer of semi-conducting material over a first layer of semi-conducting material and forming double caps in the second layer of semi-conducting material. The method further includes forming spacers adjacent sides of each of the double caps and forming double fins in the first semi-conducting material beneath the double caps. The method also includes thinning the double fins to produce narrow double fins.

摘要翻译： 一种形成双栅极鳍效应晶体管（FinFET）的鳍片的方法包括在第一半导体材料层上形成第二半导电材料层，并在第二半导体材料层中形成双重盖子。 该方法还包括在每个双盖的侧面上形成间隔物，并在双盖下方的第一半导体材料中形成双翅片。 该方法还包括使双翅片变薄以产生窄的双翅片。

公开(公告)号：US06833588B2

公开(公告)日：2004-12-21

申请号：US10274867

申请日：2002-10-22

申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Judy Xilin An ,  Srikanteswara Dakshina-Murthy ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang

IPC分类号： H01L2701

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66803

摘要： A double-gate semiconductor device includes a substrate, an insulating layer, a fin and a gate. The insulating layer is formed on the substrate and the gate is formed on the insulating layer. The fin has a number of side surfaces, a top surface and a bottom surface. The bottom surface and at least a portion of the side surfaces of the fin are surrounded by the gate. The gate material surrounding the fin has a U-shaped cross-section at a channel region of the semiconductor device.

公开(公告)号：US07148526B1

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10348758

申请日：2003-01-23

申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

摘要： A double gate germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, and a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side. A triple gate MOSFET includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side, and a top gate formed on top of the germanium fin. An all-around gate MOSFET includes a germanium fin, a first sidewall gate structure formed adjacent a first side of the germanium fin, a second sidewall gate structure formed adjacent a second side of the germanium fin, and additional gate structures formed on and around the germanium fin.

摘要翻译： 双栅极锗金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一栅极和与第一侧相对的锗翅片第二侧附近形成的第二栅极 。 三栅极MOSFET包括锗翅片，与锗翅片的第一侧相邻形成的第一栅极，与第一侧相对的锗翅片的第二侧附近形成的第二栅极和形成在锗翅片顶部上的顶栅极 。 全栅极MOSFET包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一侧壁栅极结构，邻近锗翅片的第二侧形成的第二侧壁栅极结构，以及形成在锗翅片上和周围的附近的栅极结构 锗鳍

公开(公告)号：US08580660B2

公开(公告)日：2013-11-12

申请号：US13523603

申请日：2012-06-14

申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。

公开(公告)号：US08334181B1

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12836378

申请日：2010-07-14

申请人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/7855 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/78684

摘要： A double gate germanium metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, and a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side. A triple gate MOSFET includes a germanium fin, a first gate formed adjacent a first side of the germanium fin, a second gate formed adjacent a second side of the germanium fin opposite the first side, and a top gate formed on top of the germanium fin. An all-around gate MOSFET includes a germanium fin, a first sidewall gate structure formed adjacent a first side of the germanium fin, a second sidewall gate structure formed adjacent a second side of the germanium fin, and additional gate structures formed on and around the germanium fin.

摘要翻译： 双栅极锗金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一栅极和与第一侧相对的锗翅片第二侧附近形成的第二栅极 。 三栅极MOSFET包括锗翅片，与锗翅片的第一侧相邻形成的第一栅极，与第一侧相对的锗翅片的第二侧附近形成的第二栅极和形成在锗翅片顶部上的顶栅极 。 全栅极MOSFET包括锗翅片，邻近锗翅片的第一侧形成的第一侧壁栅极结构，邻近锗翅片的第二侧形成的第二侧壁栅极结构，以及形成在锗翅片上和周围的附近的栅极结构 锗鳍

公开(公告)号：US08222680B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US10274961

申请日：2002-10-22

申请人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

发明人： Ming-Ren Lin ,  Judy Xilin An ,  Zoran Krivokapic ,  Cyrus E. Tabery ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

IPC分类号： H01L29/72

CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66818

摘要： A double gate metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) includes a fin, a first gate and a second gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate surrounds the fin and the first gate. In another implementation, a triple gate MOSFET includes a fin, a first gate, a second gate, and a third gate. The first gate is formed on top of the fin. The second gate is formed adjacent the fin. The third gate is formed adjacent the fin and opposite the second gate.

摘要翻译： 双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）包括鳍状物，第一栅极和第二栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门围绕翅片和第一个门。 在另一实施方案中，三栅极MOSFET包括鳍片，第一栅极，第二栅极和第三栅极。 第一个门形成在鳍的顶部。 第二个门形成在翅片附近。 第三栅极形成在翅片附近并与第二栅极相对。