公开(公告)号：US5545362A

公开(公告)日：1996-08-13

申请号：US143233

申请日：1993-10-29

申请人： Naoto Hirosaki ,  Akira Okada ,  Yoshio Akimune

发明人： Naoto Hirosaki ,  Akira Okada ,  Yoshio Akimune

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/58 ,  C04B35/593 ,  C04B35/594

CPC分类号： C04B35/5935

摘要： A sintered silicon nitride excellent in high temperature performance is produced by the following method: First, silicon nitride powder and oxide of at least one element selected from elements in the group IIIb of a periodic table are mixed with each other to obtain a mixture. The silicon nitride powder contains silicon oxide in an amount ranging from 0.1% by weight of the silicon nitride powder to a value not more than a content of the silicon oxide. Second, the mixture is compacted to form a compact. Finally, the compact is fired in atmosphere of nitrogen at a pressure ranging from 5 to 200 atmosphere (atm) and a temperature ranging from 1800.degree. to 2000.degree. C. to obtain a sintered silicon nitrite having a bulk density not less than 95% of a theoretical density of the sintered silicon nitride.

摘要翻译： 通过以下方法制造高温性能优异的烧结氮化硅。首先，将选自元素周期表的IIIb族中的元素的至少一种元素的氮化硅粉末和氧化物彼此混合，得到混合物。 氮化硅粉末含有量为0.1重量％的氮化硅粉末的氧化硅至不大于氧化硅含量的值。 第二，将混合物压实成小块体。 最后，将压坯在氮气气氛中在5〜200个大气压（atm）和1800〜2000℃的温度范围内烧制，得到堆积密度不小于95％的烧结硅亚硝酸盐 烧结氮化硅的理论密度。

公开(公告)号：US20120100032A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13253533

申请日：2011-10-05

申请人： Wayne E. VOICE ,  Junfa MEI ,  Thomas P. JARVIS

发明人： Wayne E. VOICE ,  Junfa MEI ,  Thomas P. JARVIS

IPC分类号： B22F3/15 ,  C04B35/594

CPC分类号： B22F3/1216 ,  B22F3/1291 ,  B22F3/15 ,  B22F2003/153 ,  B22F2005/005 ,  B22F2998/00 ,  C22C14/00 ,  C22C19/03 ,  B22F3/004

摘要： The invention relates to a mould assembly for a hot isostatic pressing, HIP, process, comprising: an insert comprising a plurality of pieces which combine to provide a recess in which a protrusion of the component can be formed; and, a holding piece having at least one cavity in which the insert is mateably received.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于热等静压的HIP工艺的模具组件，包括：插入件，其包括多个组合件，其组合以提供可形成所述部件的突起的凹部; 以及具有至少一个空腔的保持件，所述插入件可容纳在所述腔中。

公开(公告)号：US20090309274A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：US12544844

申请日：2009-08-20

申请人： Paul Wilhelm Richter ,  Jan Talma ,  Petrus Nicholas Jacobus Gous ,  Paul Roux ,  Mark Minnaar ,  Lewis Mark Levitz ,  Michael Edward Thomas ,  Gert Hendrik Jacobus Coetzee

发明人： Paul Wilhelm Richter ,  Jan Talma ,  Petrus Nicholas Jacobus Gous ,  Paul Roux ,  Mark Minnaar ,  Lewis Mark Levitz ,  Michael Edward Thomas ,  Gert Hendrik Jacobus Coetzee

IPC分类号： C04B35/594

CPC分类号： A61F2/141 ,  C04B35/447 ,  C04B38/00 ,  C04B38/0054 ,  C04B2111/00836 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6021 ,  C04B2235/6022

摘要： An orbital implant includes a body of bioactive material having macropores of at least 400 μm, and a cap of bioactive material having substantially no pores or only micropores smaller than 50 μm. The cap covers a portion of the body.

摘要翻译： 轨道植入物包括具有至少400μm的大孔的生物活性材料体，以及基本上没有孔或只有小于50μm的微孔的生物活性材料的帽。 帽子覆盖身体的一部分。

公开(公告)号：US20120100033A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13253585

申请日：2011-10-05

申请人： Wayne E. VOICE ,  Thomas P. JARVIS

发明人： Wayne E. VOICE ,  Thomas P. JARVIS

IPC分类号： B22F3/15 ,  C04B35/594

CPC分类号： B22F3/1216 ,  B22F3/15 ,  B22F2003/153 ,  B22F2005/005 ,  B22F2998/00 ,  B22F3/004

摘要： This invention relates to a mould assembly for a hot isostatic pressing, HIP, process for fabricating a component, comprising: a first part which includes a shaped surface for forming a first surface of the component, the shaped surface having at least one recess; a second part arranged to move relative to the first part during the HIP process so as to compress a powder in-fill held therebetween, wherein the second part includes a formation configured to focus pressure toward the recess so as to aid consolidation of the powder in-fill at a distal end thereof.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于热等静压的模具组件，HIP，用于制造部件的方法，包括：第一部分，其包括用于形成部件的第一表面的成形表面，所述成形表面具有至少一个凹部; 第二部分，其布置成在HIP过程期间相对于第一部分移动，以便压缩保持在其间的粉末填充物，其中第二部分包括被配置为朝向凹部聚焦压力的结构，以帮助将粉末固结 - 在其远端填充。

公开(公告)号：US20050164865A1

公开(公告)日：2005-07-28

申请号：US11031994

申请日：2005-01-11

申请人： Masashi Yoshimura

发明人： Masashi Yoshimura

IPC分类号： C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B35/594 ,  C04B35/596

CPC分类号： C04B35/58071 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/58064 ,  C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/587 ,  C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/62842 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96

摘要： The present invention provides a silicon nitride-based sintered body having excellent mechanical properties from room temperature to a medium-low temperature range, a low friction coefficient and excellent wear resistance; a raw material powder for the sintered body; a method of producing the raw material powder; and a method of producing the sintered body. The sintered body of the present invention comprises silicon nitride, titanium compounds and boron nitride, or else silicon nitride, a titanium-based nitride and/or carbide, silicon carbide and graphite and/or carbon; and it has a mean particle diameter of 100 nm or less, and a friction coefficient under lubricant-free conditions of 0.3 or less, or else 0.2 or less. The silicon nitride-based composite powder, which is the raw material of the sintered body comprises primary particles of each of silicon nitride and titanium compounds, containing boron or carbon, each having a mean particle diameter of 20 nm or less, or 30 nm or less, and a phase containing an amorphous phase that surrounds the surfaces of the primary particles. Moreover, the method of producing the sintered body comprises pulverizing and mixing a silicon nitride powder, a sintering aid powder, a metallic titanium powder and a boron nitride powder, or else a silicon nitride powder, a sintering aid powder, a metallic titanium powder and a graphite and/or carbon powder, until the mean particle diameters become 20 nm or less, or else 30 nm or less, thus forming secondary

摘要翻译： 本发明提供一种氮化硅类烧结体，其具有从室温至中低温范围的优异的机械性能，低摩擦系数和优异的耐磨性; 用于烧结体的原料粉末; 一种生产原料粉末的方法; 和烧结体的制造方法。 本发明的烧结体包括氮化硅，钛化合物和氮化硼，或氮化硅，钛基氮化物和/或碳化物，碳化硅和石墨和/或碳; 平均粒径为100nm以下，无润滑条件下的摩擦系数为0.3以下，或0.2以下。 作为烧结体的原料的氮化硅系复合粉末包含平均粒径为20nm以下或30nm以下的硼或碳的氮化硅和钛化合物的一次粒子， 以及包含包围一次颗粒表面的非晶相的相。 此外，制造烧结体的方法包括将氮化硅粉末，烧结助剂粉末，金属钛粉末和氮化硼粉末，或氮化硅粉末，烧结助剂粉末，金属钛粉末和 石墨和/或碳粉末，直到平均粒径变为20nm以下，或者30nm以下，从而形成二次

公开(公告)号：US6066582A

公开(公告)日：2000-05-23

申请号：US232008

申请日：1999-01-14

申请人： Marianne Collin ,  Magnus Ekelund

发明人： Marianne Collin ,  Magnus Ekelund

IPC分类号： B23B27/14 ,  C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B41/52 ,  C04B41/87 ,  C04B41/89 ,  C04B35/594 ,  C04B35/596

CPC分类号： C04B41/009 ,  C04B35/593 ,  C04B35/5935 ,  C04B41/52 ,  C04B41/89 ,  Y10T407/27

摘要： The ceramic cutting tool material according to the present invention comprises a beta silicon nitride matrix with total amount of 0.5-10 weight %, preferably 0.5-6 weight %, of an intergranular phase and 0.05-3 weight % of at least one secondary crystalline phase of a transition metal carbide, nitride, carbonitride and/or silicide present as spherical particles with a size of 0.1-2 .mu.m, preferably submicron (0.01-1 .mu.m). The transition metal is preferably niobium and/or tantalum. The material has less than 1 volume %, preferably less than 0.3 volume %, porosity. The beta silicon nitride grains are to at least 10%, preferably more than 20%, elongated with an aspect ratio greater than 3, preferably greater than 5. The grain diameter of the beta silicon nitride grains is in the range of 0.2-10 .mu.m, preferably 0.2-5 .mu.m, and most preferably 0.2-3 .mu.m.

摘要翻译： 根据本发明的陶瓷切削工具材料包括总量为0.5-10重量％，优选0.5-6重量％的晶间相和0.05-3重量％的至少一个第二结晶相的β氮化硅基体 过渡金属碳化物，氮化物，碳氮化物和/或硅化物作为球形颗粒存在，其尺寸为0.1-2μm，优选亚微米（0.01-1μm）。 过渡金属优选为铌和/或钽。 该材料的孔隙率小于1体积％，优选小于0.3体积％。 β氮化硅颗粒至少10％，优选大于20％，纵横比大于3，优选大于5。β氮化硅颗粒的晶粒直径在0.2-10μm的范围内 m，优选0.2-5μm，最优选0.2-3μm。