公开(公告)号：US07153335B2

公开(公告)日：2006-12-26

申请号：US10683232

申请日：2003-10-10

申请人： Junaid Ahmed Siddiqui ,  Timothy Frederick Compton ,  Bin Hu ,  Robin Edward Richards

发明人： Junaid Ahmed Siddiqui ,  Timothy Frederick Compton ,  Bin Hu ,  Robin Edward Richards

IPC分类号： C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K13/14 ,  B24B1/00

CPC分类号： C09G1/02

摘要： A composition and associated method for chemical mechanical planarization (or other polishing) are described which afford high tantalum to copper selectivity in copper CMP and which are tunable (in relation to polishing performance). The composition comprises an abrasive and an N-acyl-N-hydrocarbonoxyalkyl aspartic acid compound and/or a tolyltriazole derivative.

摘要翻译： 描述了用于化学机械平面化（或其他抛光）的组合物和相关方法，其在铜CMP中提供高的钽到铜选择性，并且其可调谐（相对于抛光性能）。 该组合物包含磨料和N-酰基-N-烃氧烷基天冬氨酸化合物和/或甲苯基三唑衍生物。