公开(公告)号：US07122870B2

公开(公告)日：2006-10-17

申请号：US10916191

申请日：2004-08-09

申请人： John Barnak ,  Collin Borla ,  Mark Doczy ,  Markus Kuhn ,  Jacob M. Jensen

发明人： John Barnak ,  Collin Borla ,  Mark Doczy ,  Markus Kuhn ,  Jacob M. Jensen

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H02L31/113

CPC分类号： H01L21/28088 ,  H01L29/4966

摘要： A method of forming a gate electrode is described, comprising forming a dielectric layer on a substrate, forming a first metal layer having a first work function on the dielectric layer, forming a second metal layer having a second work function on the first metal layer, such that a gate electrode is formed on the dielectric layer which has a work function that is determined from the work function of the alloy of the two types of metal. The work function of a microelectronic transistor can be varied or “tuned” depending on the precise definition and control of the metal types, layer sequence, individual layer thickness and total number of layers.

摘要翻译： 描述了形成栅电极的方法，包括在基片上形成电介质层，在介电层上形成具有第一功函数的第一金属层，在第一金属层上形成具有第二功函数的第二金属层， 使得在电介质层上形成栅电极，其具有由两种类型的金属的合金的功函数确定的功函数。 微电子晶体管的功能可以根据金属类型，层序列，单层厚度和总层数的精确定义和控制而变化或“调谐”。