公开(公告)号：WO2016078983A3

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/EP2015/076311

申请日：2015-11-11

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  HERMANN, Martin

Inventor： HERMANN, Martin

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/102 ,  G01J1/58

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optisches System und ein Verfahren zur Messung der Intensität von EUV-Strahlung (35) in dem optischen System, insbesondere einem optischen System einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage oder einer Maskeninspektionsanlage. Zur Messung der Intensität wird als Detektormaterial (11, 32) ein Gruppe-Ill-Nitrid verwendet, welches je nach Messprinzip zur Erzeugung eines Photostroms als Absorbermaterial in einer Photodiode (10) oder zur Erzeugung von Sekundärstrahlung (36) in einem Quantenkonverter (31, 32) eingesetzt wird. Durch die Messung der Sekundärstrahlung bzw. des Lumineszenzlichtes bei verschiedenen Photonenenergien kann die Alterung oder Degradierung des Detektormaterials (32) überwacht werden.

公开(公告)号：WO2012069351A1

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：PCT/EP2011/070320

申请日：2011-11-17

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  VOGT, Peter ,  HERMANN, Martin ,  DIER, Oliver ,  MAJOR, András G.

Inventor： VOGT, Peter ,  HERMANN, Martin ,  DIER, Oliver ,  MAJOR, András G.

IPC: G03F7/20 ,  G01M11/00 ,  G01N21/41 ,  G01B11/06

CPC classification number: G01K11/00 ,  G01B9/02024 ,  G01B9/02081 ,  G01B2290/70 ,  G01M11/005 ,  G02B7/181 ,  G03F7/708 ,  G03F7/7085 ,  G03F7/70891

Abstract: The invention concerns a method of and an arrangement for determining the heating condition of a mirror (101, 201, 401, 601, 701, 801) in an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus. In an embodiment the mirror is an EUV mirror and a method according to the invention comprises the following steps: deflecting at least one input measuring beam on to the mirror (101, 201, 401, 601, 701, 801), ascertaining at least one optical parameter of at least one output measuring beam produced from the input measuring beam after interaction with the mirror (101, 201, 401, 601, 701, 801), and determining the heating condition of the mirror (101, 201, 401, 601, 701, 801) on the basis of said parameter.

Abstract translation: 本发明涉及用于确定光学系统中的镜（101,201,401,601,701,801）的加热条件的方法和装置，特别是在微光刻投影曝光装置中。 在一个实施例中，反射镜是EUV反射镜，根据本发明的方法包括以下步骤：将至少一个输入测量光束偏转到反射镜（101,201,401,601,701,801）上，确定至少一个 在与反射镜（101,201,401,601,701,801）相互作用之后，从输入测量光束产生的至少一个输出测量光束的光学参数，以及确定反射镜（101,201,401,601）的加热条件 ，701,801）。

公开(公告)号：WO2015018560A2

公开(公告)日：2015-02-12

申请号：PCT/EP2014/063349

申请日：2014-06-25

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH ,  HERMANN, Martin

Inventor： HERMANN, Martin

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/702 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Ein erfindungsgemäßer Spiegel (10, 20, 30, 40) weist eine optische Wirkfläche (10a, 20a, 30a, 40a), ein Spiegelsubstrat (11, 21, 31, 41) und einen Reflexionsschichtstapel (14, 24, 34, 44) zur Reflexion von auf die optische Wirkfläche (10a, 20a, 30a, 40a) auftreffender elektromagnetischer Strahlung auf, wobei zwischen dem Spiegelsubstrat (11, 21, 31, 41) und dem Reflexionsschichtstapel (14, 24, 34, 44) eine Schicht (13, 23, 33, 43) aus einem Gruppe-Ill-Nitrid angeordnet ist, wobei das Gruppe-Ill-Nitrid aus der Gruppe ausgewählt ist, die Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AIN) und Aluminium-Gallium-Nitrid (AIGaN) enthält.

Abstract translation: 本发明涉及一种镜子，特别是用于微光刻投射曝光设备。 的发明＆AUML;道路他反射镜（10，20，30，40）具有一个光学Wirkfl BEAR表面（10A，20A，30A，40A），反射镜衬底（11，21，31，41）和反射层堆叠（14,24 ，34，44），用于反射入射的电磁辐射的光学Wirkfl BEAR表面（10A，20A，30A，40A），其中，所述镜基板（11，21，31，41）和反射层堆（14，24，34之间 ，44）由III族氮化物，其中，所述III族氮化物选自＆AUML选定的层（13，23，33，43）;是HLT，所述氮化镓（GaN），氮化铝（AlN）和 氮化铝镓（AIGaN）含有。

公开(公告)号：WO2015018560A3

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：PCT/EP2014063349

申请日：2014-06-25

Applicant: ZEISS CARL SMT GMBH ,  HERMANN MARTIN

Inventor： HERMANN MARTIN

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/702 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062

Abstract: The invention relates to a mirror, more particularly for a microlithographic projection exposure apparatus. A mirror (10, 20, 30, 40) according to the invention has an optical effective surface (10a, 20a, 30a, 40a), a mirror substrate (11, 21, 31, 41) and a reflection layer stack (14, 24, 34, 44) for reflecting electromagnetic radiation impinging on the optical effective surface (10a, 20a, 30a, 40a), wherein a layer (13, 23, 33, 43) composed of a group III nitride is arranged between the mirror substrate (11, 21, 31, 41) and the reflection layer stack (14, 24, 34, 44), wherein the group III nitride is selected from the group containing gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN) and aluminum gallium nitride (AlGaN).

Abstract translation: 本发明涉及一种反射镜，特别是用于微光刻投射曝光设备。 根据本发明的反射镜（10，20，30，40）具有一个光学有效区域（10A，20A，30A，40A），反射镜衬底（11，21，31，41）和用于反射层堆（14，24，34，44） 光学有效表面入射电磁辐射的（10A，20A，30A，40A），的反射，其中，所述镜基板（11，21，31，41）和反射层堆（14，24，34，44）一种层（13之间， 23，33，43）由III族氮化物，其中，所述III族氮化物是从由氮化镓（GaN），氮化铝（AlN）和氮化铝镓的组中选择的（的AlGaN）中包含。

公开(公告)号：WO2016078983A2

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/EP2015076311

申请日：2015-11-11

Applicant: ZEISS CARL SMT GMBH ,  HERMANN MARTIN

Inventor： HERMANN MARTIN

IPC: H01L31/108 ,  G01J1/58 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102

CPC classification number: H01L31/03048 ,  G01J1/58 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/102 ,  H01L31/108 ,  Y02E10/544

Abstract: The invention relates to an optical system and a method for measuring the intensity of electromagnetic radiation in an optical system, more particularly an optical system having a microlithographic projection exposure apparatus or a mask inspection apparatus. An optical system which has at least one arrangement for measuring the intensity of electromagnetic radiation, and which is designed for a working wavelength of less than 30 nm, comprises a detector material. The intensity is measured on the basis of an interaction between the electromagnetic radiation and the detector material, which contains a Group III nitride.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于微光刻投影曝光设备或掩模检查装置的光学系统测量电磁辐射的强度的光学系统，特别是光学系统和方法。 具有用于测量电磁辐射，其中，所述光学系统由小于30nm为工作波长的强度的至少一个配置的光学系统中，具有检测器材料时，强度的测量是基于所述电磁辐射的与该检测器材料，其中的相互作用 检测器材料包括III族氮化物。