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公开(公告)号:WO2022122256A1
公开(公告)日:2022-06-16
申请号:PCT/EP2021/080533
申请日:2021-11-03
Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE]
Inventor: PFEFFERLEIN, Stefan , ZEYSS, Felix
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L23/40
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (2) mit zumindest einem Halbleiterelement (4), einem ersten Substrat (8) und einem zweiten Substrat (14). Um, im Vergleich zum Stand der Technik, eine höhere Zuverlässigkeit zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass das zumindest eine Halbleiterelement (4) auf einer ersten Seite (6) flächig mit dem ersten Substrat (8) und auf einer der ersten Seite (6) abgewandten zweiten Seite (10) flächig mit einer metallischen Wärmesenke (12) kontaktiert ist, wobei die metallische Wärmesenke (12) mit dem Halbleiterelement (4) in einer thermisch leitenden Verbindung steht und elektrisch leitend mit dem zweiten Substrat (14) verbunden ist.
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公开(公告)号:WO2023285046A2
公开(公告)日:2023-01-19
申请号:PCT/EP2022/065945
申请日:2022-06-13
Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Inventor: KÜRTEN, Bernd , ZEYSS, Felix
Abstract: Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung (2) mit einem Halbleiterelement (4), einem Substrat (6) und Bondverbindungsmitteln (20a, 20b, 20c, 34, 58). Um, im Vergleich zum Stand der Technik, eine verbesserte Verdrahtung zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass das Halbleiterelement (4), insbesondere stoffschlüssig, mit dem Substrat (6) verbunden ist, wobei das Halbleiterelement (4) auf einer dem Substrat (6) abgewandten Seite zumindest eine Kontaktfläche (8) aufweist, wobei zumindest eine Kontaktfläche (8) des Halbleiterelements (4) über zumindest ein erstes Bondverbindungsmittel (20a, 20b, 20c) mit dem Substrat (6) verbunden ist, wobei das zumindest eine erste Bondverbindungsmittel (20a, 20b, 20c) auf der Kontaktfläche (8) jeweils zumindest einen ersten Steppkontakt (22a, 22b, 22c) ausbildet, welcher zwischen einem ersten Loop (24a, 24b, 24c) und einem zweiten Loop (26a, 26b, 26c) des jeweiligen ersten Bondverbindungsmittels (20a, 20b, 20c) angeordnet ist, wobei der erste Loop (24a, 24b, 24c) ein erstes Maximum (28a, 28b, 28c) und der zweite Loop (26a, 26b, 26c) ein zweites Maximum (30a, 30b, 30c) aufweist, wobei ein erster Quer-Loop (32) eines zweiten Bondverbindungsmittels (34) oberhalb des ersten Steppkontakts (22a, 22b, 22c) und, parallel zur Kontaktfläche (8) verlaufend betrachtet, zwischen dem ersten Maximum (28a, 28b, 28c) des ersten Loops (24a, 24b, 24c) und dem zweiten Maximum (30a, 30b, 30c) des zweiten Loops (26a, 26b, 26c) verlaufend angeordnet ist, wobei der erste Quer-Loop (32) des zweiten Bondverbindungsmittels (34), insbesondere vollständig, unterhalb des ersten Maximums (28a, 28b, 28c) des ersten Loops (24a, 24b, 24c) und/oder des zweiten Maximums (30a, 30b, 30c) des zweiten Loops (26a, 26b, 26c) verlaufend angeordnet ist.
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公开(公告)号:WO2022152453A1
公开(公告)日:2022-07-21
申请号:PCT/EP2021/083712
申请日:2021-12-01
Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Inventor: ZEYSS, Felix , KNEISSL, Philipp , SCHMENGER, Jens
Abstract: Die Erfindung betrifft einen Stromrichter (2) mit mindestens zwei, insbesondere gleichartigen, Leistungshalbleitermodulen (4, 6). Um, im Vergleich zum Stand der Technik, eine höhere Zuverlässigkeit zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass die Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils zumindest einen Leistungshalbleiter (10, 12) und Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) aufweisen, wobei die Leistungshalbleiter (10, 12) elektrisch leitend mit den Leistungskontakten (18, 20, 22, 24, 46, 48) des jeweiligen Leistungshalbleitermoduls (4, 6) verbunden sind, wobei die Leistungskontakte (18, 20, 22, 24, 46, 48) zur Parallelschaltung der Leistungshalbleitermodule (4, 6) jeweils über eine äußere Beschaltung (32, 34, 54) elektrisch leitend verbunden sind, wobei die Leistungshalbleiter (10, 12) über zumindest ein zusätzliches Verbindungsmittel (36) elektrisch leitend miteinander verbunden sind, wobei das zumindest eine zusätzliche Verbindungsmittel (36) eine geringere parasitäre Induktivität und/oder einen geringeren Serienwiderstand als die äußere Beschaltung (32, 34, 54) aufweist.
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公开(公告)号:WO2022122224A2
公开(公告)日:2022-06-16
申请号:PCT/EP2021/078279
申请日:2021-10-13
Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Inventor: KNEISSL, Philipp , ZEYSS, Felix , PFEIFER, Markus
IPC: H01L23/49 , G01K7/18 , H01L23/34 , H01L25/07 , H01H37/76 , G01K7/00 , G01R1/20 , H01B1/02 , G01K7/20 , G01K7/183 , G01R1/203 , H01B1/023 , H01B1/026 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45033 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45565 , H01L2224/45624 , H01L2224/45644 , H01L2224/45647 , H01L2224/48111 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/4917 , H01L2224/85205 , H01L24/45 , H01L25/072 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (8) mit mindestens einem Halbleiterelement (10), einem Substrat (12) und zumindest einem Bondverbindungsmittel (2), wobei das Halbleiterelement (10) und/oder das Substrat (12) mit dem zumindest einem Bondverbindungsmittel (2) verbunden sind. Um eine Optimierung des Layouts zu ermöglichen, wird vorgeschlagen, dass das Bondverbindungsmittel (2) einen Kern (4) und einen den Kern (4), insbesondere vollständig, umhüllenden Mantel (6) aufweist, wobei der Kern (4) aus einem ersten metallischen Werkstoff und der Mantel (6) aus einem vom ersten metallischen Werkstoff verschiedenen zweiten metallischen Werkstoff hergestellt ist und wobei der erste metallische Werkstoff des Kerns (4) eine niedrigere elektrische Leitfähigkeit aufweist als der zweite metallische Werkstoff des Mantels (6), wobei zumindest ein Bondverbindungsmittel (2) als Gatewiderstand, als Shunt, als Widerstand in einem RC-Filter oder als Schmelzsicherung konfiguriert ist.
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公开(公告)号:WO2022122224A1
公开(公告)日:2022-06-16
申请号:PCT/EP2021/078279
申请日:2021-10-13
Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE]
Inventor: KNEISSL, Philipp , ZEYSS, Felix , PFEIFER, Markus
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (8) mit mindestens einem Halbleiterelement (10), einem Substrat (12) und zumindest einem Bondverbindungsmittel (2), wobei das Halbleiterelement (10) und/oder das Substrat (12) mit dem zumindest einem Bondverbindungsmittel (2) verbunden sind. Um eine Optimierung des Layouts zu ermöglichen, wird vorgeschlagen, dass das Bondverbindungsmittel (2) einen Kern (4) und einen den Kern (4), insbesondere vollständig, umhüllenden Mantel (6) aufweist, wobei der Kern (4) aus einem ersten metallischen Werkstoff und der Mantel (6) aus einem vom ersten metallischen Werkstoff verschiedenen zweiten metallischen Werkstoff hergestellt ist und wobei der erste metallische Werkstoff des Kerns (4) eine niedrigere elektrische Leitfähigkeit aufweist als der zweite metallische Werkstoff des Mantels (6), wobei zumindest ein Bondverbindungsmittel (2) als Gatewiderstand, als Shunt, als Widerstand in einem RC-Filter oder als Schmelzsicherung konfiguriert ist.
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