公开(公告)号：WO2021140572A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/JP2020/000192

申请日：2020-01-07

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 堀口　剛司 ,  椋木　康滋

IPC: H01L23/58 ,  H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/19107

Abstract: 半導体装置（１００）は、第１電極（１１）と第２電極（１２）とを有する半導体素子（１）と、第１電極（１１）と接合部を介して電気的に接続された第１導電体（７）と、第１方向（Ａ）において第１導電体（７）と絶縁体（８）を挟むように積層された第２導電体（９）と、第２導電体（９）上に配置されかつ第２導電体（９）と電気的に接続されている第１端子（３）と、第２導電体（９）上に配置されている第２端子（４）と、第２電極（１２）と第２端子（４）とを電気的に接続する複数の配線部材（５）とを備える。

公开(公告)号：WO2021200057A2

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：PCT/JP2021/010262

申请日：2021-03-08

Applicant: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION ,  MITSUBISHI ELECTRIC R&D CENTRE EUROPE B.V.

Inventor： BRANDELERO, Julio Cezar ,  MOLLOV, Stefan

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/07 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/85948 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/37001 ,  H01L2924/386

Abstract: The present invention concerns a method and a device for increasing the reliability of a power module composed of plural power semiconductors that are connected in parallel, the power semiconductors being connected to the external pins of the package of the power module through metallic connections. The invention: - selects one power semiconductor among the power semiconductors connected in parallel according to a criterion, - applies a same input pattern to the not selected power semiconductors connected in parallel, - increases the temperature of the selected power semiconductor in order to reach a target temperature of the power semiconductor during a time duration in order to achieve and interface grain homogenisation of the metallic connections of the selected power semiconductor, - applies the same input pattern to the selected power semiconductor after the time duration.

公开(公告)号：WO2021254922A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/EP2021/065875

申请日：2021-06-14

Applicant: HERAEUS NEXENSOS GMBH

Inventor： MUZIOL, Matthias ,  BLEIFUSS, Martin

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01R4/02 ,  H01R43/02 ,  H01L2224/45026 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/78252 ,  H01L2224/78315 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/8584 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/85 ,  H01R4/023 ,  H01R43/0207

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Elektroelement aufweisend mindestens einen Funktionsbereich und eine Kontaktfläche (120), wobei auf der Kontaktfläche (120) ein Verbindungselement angeordnet ist, wobei das Verbindungselement eine mit Sintermaterial beschichtete Litze (180) umfasst, wobei die Litze durch ein Sintermaterial mit der Kontaktfläche verbunden, insbesondere versintert, ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des erfindungsgemäßen Elektroelements, mittels eines beheizten Stempels (130), der eine Vertiefung mit einer Öffnung aufweist wobei die Vertiefung im Stempel (130) die beschichtete Litze (180) beim Verbinden partiell aufnimmt und wobei die Öffnung der Vertiefung größer ist als der Durchmesser der beschichteten Litze (180), sodass die beschichtete Litze (180) beim Drucksintern in die Vertiefung im Stempel auf die Kontaktfläche (120) gepresst wird.

公开(公告)号：WO2021262538A1

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：PCT/US2021/037978

申请日：2021-06-18

Applicant: CREE, INC.

Inventor： KOMPOSCH, Alexander ,  MU, Qianli ,  WANG, Kun ,  WOO, Eng Wah

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/495 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2223/6688 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L2924/00014

Abstract: A radio frequency (RF) transistor amplifier package includes a submount, and first and second leads extending from a first side of the submount. The first and second leads are configured to provide RF signal connections to one or more transistor dies on a surface of the submount. At least one rivet is attached to the surface of the submount between the first and second leads on the first side. One or more corners of the first side of the submount may be free of rivets. Related devices and associated RF leads and non-RF leads are also discussed.

公开(公告)号：WO2022264215A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：PCT/JP2021/022530

申请日：2021-06-14

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 田中　陽 ,  根岸　哲 ,  岡　誠次

IPC: H01L29/41 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265

Abstract: 半導体素子の表面の表面電極と表面電極上に設けた金属箔とを部分的に接合させたので、金属箔の端部に発生する応力を緩和でき、半導体素子表面へのクラックによる故障を抑制することが可能となり、半導体装置の信頼性を向上させることができる。表面と裏面とを有する半導体素子（１）と、半導体素子（１）の表面上に形成された表面電極（２）と、表面電極（２）の上面上に部分的に接合される金属箔（３）と、を備えた半導体装置である。

公开(公告)号：WO2022122224A2

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：PCT/EP2021/078279

申请日：2021-10-13

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： KNEISSL, Philipp ,  ZEYSS, Felix ,  PFEIFER, Markus

IPC: H01L23/49 ,  G01K7/18 ,  H01L23/34 ,  H01L25/07 ,  H01H37/76 ,  G01K7/00 ,  G01R1/20 ,  H01B1/02 ,  G01K7/20 ,  G01K7/183 ,  G01R1/203 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/85205 ,  H01L24/45 ,  H01L25/072 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (8) mit mindestens einem Halbleiterelement (10), einem Substrat (12) und zumindest einem Bondverbindungsmittel (2), wobei das Halbleiterelement (10) und/oder das Substrat (12) mit dem zumindest einem Bondverbindungsmittel (2) verbunden sind. Um eine Optimierung des Layouts zu ermöglichen, wird vorgeschlagen, dass das Bondverbindungsmittel (2) einen Kern (4) und einen den Kern (4), insbesondere vollständig, umhüllenden Mantel (6) aufweist, wobei der Kern (4) aus einem ersten metallischen Werkstoff und der Mantel (6) aus einem vom ersten metallischen Werkstoff verschiedenen zweiten metallischen Werkstoff hergestellt ist und wobei der erste metallische Werkstoff des Kerns (4) eine niedrigere elektrische Leitfähigkeit aufweist als der zweite metallische Werkstoff des Mantels (6), wobei zumindest ein Bondverbindungsmittel (2) als Gatewiderstand, als Shunt, als Widerstand in einem RC-Filter oder als Schmelzsicherung konfiguriert ist.