公开(公告)号：WO2019136164A1

公开(公告)日：2019-07-11

申请号：PCT/US2019/012203

申请日：2019-01-03

申请人： KCI LICENSING, INC.

发明人： CARROLL, Christopher, A. ,  RICE, Justin ,  LOCKE, Christopher, Brian ,  ROBINSON, Timothy, Mark

IPC分类号： A61F13/00 ,  A61M1/00 ,  A61F13/02 ,  H01L23/00 ,  H01L27/146

CPC分类号： A61F13/00017 ,  A61F13/00029 ,  A61F13/00068 ,  A61F13/0216 ,  A61F13/022 ,  A61M1/00 ,  H01L23/00 ,  H01L27/146

摘要： A multi-layer dressing for treating tissue with negative pressure, instillation, or both. In some embodiments a first layer may be formed from reticulated foam having a series of holes. A second layer disposed adjacent to the first layer may be formed from a perforated polymer. The dressing may optionally include a third layer formed from a soft polymer, such as a silicone gel. The third layer may also have perforations or apertures. The third layer is generally oriented to face a tissue site, and may be disposed adjacent to the first layer so that the first layer is disposed between the third layer and the first layer. The perforations or apertures in the third layer may be registered with one or more perforations in the first layer.

公开(公告)号：WO2019124114A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：PCT/JP2018/045037

申请日：2018-12-07

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 杉崎　太郎

IPC分类号： H01L27/146 ,  G02B5/20 ,  H01L31/0232

CPC分类号： G02B5/20 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232

摘要： 本技術は、リップルを抑制することができるようにする電磁波処理装置に関する。 光電変換素子と、光電変換素子の光入射面側に積層され、所望の波長の電磁波を透過させる狭帯域フィルタと、狭帯域フィルタの上下にそれぞれ形成された層間膜とを備え、狭帯域フィルタは、段差がある形状で形成されている。段差は、１光電変換素子毎に形成されている。または段差は、光電変換素子間であり、層間膜内に形成されている。本技術は、プラズモンフィルタやファブリーペロー干渉計を用いた撮像素子やセンサに適用できる。

公开(公告)号：WO2019078291A1

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：PCT/JP2018/038812

申请日：2018-10-18

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 瀬島　幸一

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L23/36 ,  H04N5/369

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L27/146 ,  H01L2224/48247 ,  H04N5/369

摘要： 光電変換部を有する第１半導体基板と、前記第１半導体基板に接して設けられた熱伝導配線と、前記熱伝導配線を介して前記光電変換部の温度を制御する冷却素子とを備えた撮像装置。

公开(公告)号：WO2019069669A1

公开(公告)日：2019-04-11

申请号：PCT/JP2018/034352

申请日：2018-09-18

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 杉山　知広

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/12 ,  H01L23/522 ,  H01L27/146 ,  H01L2224/11

摘要： 本開示は、貫通電極を備える半導体装置又は電子機器の品質及び信頼性を向上させることができるようにする半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、電子機器に関する。 半導体装置は、貫通電極を備える第１の半導体基板と、前記第１の半導体基板の第１の面に積層されている第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上に積層されている第２の絶縁膜とを備え、前記貫通電極は、内壁及び底面が導体で覆われ、前記導体の上に前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜が積層されており、かつ、前記第１の半導体基板の前記第１の面から前記底面の前記第１の絶縁膜にまで達する溝を備える。本技術は、例えば、パッケージ化された固体撮像装置等に適用できる。

公开(公告)号：WO2019065293A1

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：PCT/JP2018/034125

申请日：2018-09-14

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 引地　邦彦

IPC分类号： G02B7/02 ,  G02B5/00 ,  G02B13/00 ,  G02B13/18 ,  G03B15/00 ,  G03B17/02 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC分类号： G02B5/00 ,  G02B7/02 ,  G02B13/00 ,  G02B13/18 ,  G03B15/00 ,  G03B17/02 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

摘要： 本技術は、イメージセンサとレンズモジュールの接合強度を確保しつつ、モジュールの小型化を可能にすることができるようにする撮像素子、撮像素子の製造方法、および、電子機器に関する。 撮像素子は、基板に形成された貫通孔の内側にレンズが配置されたレンズ付き基板どうしが直接接合により接合されて積層されている積層レンズ構造体と、レンズにより集光された入射光を光電変換する撮像部と、撮像部と積層レンズ構造体の間に配置された保護基板と、積層レンズ構造体の最下層のレンズの下面の光学面と、保護基板の上面とを接合する接着剤とを備える。本技術は、例えば、カメラモジュール等に適用できる。

公开(公告)号：WO2019038999A1

公开(公告)日：2019-02-28

申请号：PCT/JP2018/017739

申请日：2018-05-08

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 山田　恭輔

IPC分类号： H01L27/146 ,  G02B5/30 ,  H04N5/369

CPC分类号： G02B5/22 ,  G02B5/30 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369

摘要： 偏光素子を備える固体撮像装置において、偏光素子の特性に影響を与えることなく反射光を抑制する。　固体撮像装置は、複数の画素を備える。これら複数の画素は、光電変換を行う光電変換素子と、その光電変換素子の光入射側に設けられた偏光素子とを備える。また、固体撮像装置は、光吸収層を備える。この光吸収層は、複数の画素の画素間領域において、画素の偏光素子の高さよりも高い位置まで形成される。これにより、偏光素子において発生した反射光を光吸収層が吸収する。

公开(公告)号：WO2019026429A1

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：PCT/JP2018/022322

申请日：2018-06-12

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 田川　幸雄 ,  佐藤　守

IPC分类号： H04N5/3745 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/3745

摘要： 差動モードで差動増幅を行い、非差動モードで差動増幅を行わない固体撮像素子において、非差動モードでの画素信号の読出し速度を速くする。　接続制御部は、差動モードにおいて第１の信号線に接続された第１の画素を第３の信号線を介してリセット電源に接続する制御と第２の信号線に接続された第２の画素を第４の信号線を介してリセット電源に接続する制御とを順に行い、非差動モードにおいて第３の画素を前記第３の信号線に接続する制御と第４の画素を第４の信号線に接続する制御とを行う。また、駆動部は、差動モードにおいて前記第１および第２の画素のそれぞれの画素信号の差分を増幅した信号を第１および第２の信号線の一方を介して出力させ、非差動モードにおいて第１、第２、第３および第４の画素のそれぞれの画素信号を前記第１、第２、第３および第４の信号線を介して出力させる。

公开(公告)号：WO2018225367A1

公开(公告)日：2018-12-13

申请号：PCT/JP2018/014750

申请日：2018-04-06

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 柳田　剛志 ,  朝妻　智彦

IPC分类号： H01L27/146 ,  G02B3/00 ,  G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07

CPC分类号： G02B3/00 ,  G02B5/20 ,  G02B5/30 ,  H01L27/146 ,  H04N5/369 ,  H04N9/07

摘要： 固体撮像装置は、半導体基板７０又は半導体基板の上方に形成された光電変換部１０を有し、ワイヤグリッド偏光素子９１及びオンチップ・マイクロレンズ１５を更に有する撮像素子が２次元マトリクス状に配列されて成る撮像素子群、及び、光電変換部１０の光入射側に設けられた第１層間絶縁層８３及び第２層間絶縁層８４を備えており、ワイヤグリッド偏光素子９１は、第１層間絶縁層８３と第２層間絶縁層８４との間に設けられており、オンチップ・マイクロレンズ１５は第２層間絶縁層８４上に設けられており、第１層間絶縁層８３及び第２層間絶縁層８４は酸化物材料又は樹脂材料から成り、オンチップ・マイクロレンズはＳｉＮ又はＳｉＯＮから成る。

公开(公告)号：WO2018216477A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：PCT/JP2018/018039

申请日：2018-05-10

申请人： ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

发明人： 杉崎　淳二

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3745

CPC分类号： H01L27/146 ,  H04N5/359 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3745

摘要： 本開示は、ノイズの発生を抑える効果を維持したままで、入射光を効率的に取り込み、感度を向上させることができるようにする固体撮像素子および電子機器に関する。 光照射面の反対側に位置し、光電変換素子と同じSiからなる基板にメモリが形成されている。Siの基板において、メモリが形成された位置のSiが光照射面から深い方向に掘り込まれて孔が形成され、形成された孔の底部に底部遮光膜が形成される。本開示は、例えば、積層型で、裏面照射型の固体撮像素子に適用することができる。

公开(公告)号：WO2018214069A1

公开(公告)日：2018-11-29

申请号：PCT/CN2017/085763

申请日：2017-05-24

申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司

发明人： 吴宝全 ,  沈健 ,  龙卫

IPC分类号： H01L27/146 ,  G06K9/20

CPC分类号： G06K9/00 ,  G06K9/20 ,  H01L27/146

摘要： 本发明提供一种光学图像识别芯片、制造方法及终端设备，芯片包括：基底、电路功能区和光线采集功能区；其中，基底包括绝缘层、生长在绝缘层的第一表面的第一半导体层、生长在绝缘层的第二表面的第二半导体层；光线采集功能区形成于第一半导体层上；电路功能区形成于第二半导体层内；光线采集功能区，用于通过光采集通路将光信号传输至电路功能区；所述电路功能区，用于根据光信号进行图像识别。本发明实现了进一步提升产品的集成度并能够精减工艺步骤，从而降低器件成本。同时，能够避免贴合带来的公差和粘结剂材料的收缩率等问题对产品可靠性的影响。