複合基板の製造方法及び複合基板

    公开(公告)号:WO2022163533A1

    公开(公告)日:2022-08-04

    申请号:PCT/JP2022/002236

    申请日:2022-01-21

    发明人: 笠井 渉

    摘要: セラミックス基板とテトラフルオロエチレン系ポリマーを含む層との接着性に優れるとともに、電気特性、寸法安定性、耐熱性等に優れる複合基板の製造方法及びかかる複合基板の提供。 テトラフルオロエチレン系ポリマーの粒子と液状分散媒とを含む分散液であって、かつ前記テトラフルオロエチレン系ポリマーの少なくとも一部が酸性基を有するテトラフルオロエチレン系ポリマーであるか、又は、前記テトラフルオロエチレン系ポリマー以外ポリマーである酸性基を有するポリマーをさらに含む、分散液を、セラミックス基板の表面に付与し加熱して、前記テトラフルオロエチレン系ポリマーの粒子の焼成物を含む焼成物層を形成せしめ、前記セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に前記焼成物層とを有する複合基板を得る、複合基板の製造方法。

    MULTILAYER SINTERED CERAMIC BODY AND METHOD OF MAKING

    公开(公告)号:WO2022081700A1

    公开(公告)日:2022-04-21

    申请号:PCT/US2021/054773

    申请日:2021-10-13

    摘要: Disclosed is a multilayer sintered ceramic body comprising at least one first layer comprising at least one crystalline phase of YAG, wherein the at least one first layer has at least one surface; and at least one second layer comprising alumina and at least one of stabilized zirconia and partially stabilized zirconia, wherein the at least one surface of the at least one first layer comprises pores wherein the pores have a maximum size of from 0.1 to 5 um as measured by SEM, and wherein each of the at least one first layer and the at least one second layer has a coefficient of thermal expansion (CTE), wherein the CTE of the at least one first layer and the CTE of the at least one second layer differ from 0 to 0.6 x 10-6/°C as measured in accordance with ASTM E228-17. Methods of making are also disclosed.

    電極埋設セラミックス構造体
    8.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021065902A1

    公开(公告)日:2021-04-08

    申请号:PCT/JP2020/036890

    申请日:2020-09-29

    摘要: 電極埋設セラミックス構造体(10)は、第1セラミックス層(2)と、第1セラミックス層(2)の表面に設けられている電極層(4)と、第1セラミックス層(2)及び電極層(4)を被覆しているとともに、第1セラミックス層(2)より厚みが薄い第2セラミックス層(6)を備えている。この電極埋設セラミックス構造体(10)では、第1セラミックス層(2)と電極層(4)と第2セラミックス層(6)の積層方向に沿った断面において、第1セラミックス層(2)側の電極層(4)の長さをL1とし、第2セラミックス層(6)側の電極層(4)の長さをL2とし、積層方向に直交する方向の電極層(4)の長さをL3としたときに、式(L1+L2)/L3≧2.2を満足している。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ADDITIV GEFERTIGTEN PRODUKTS AUS EINEM MINERALISCHEN AUSGANGSMATERIAL MITTELS DIREKTER LASERVERSINTERUNG SOWIE EIN NACH DIESEM VERFAHREN HERGESTELLTES LEICHTBAUTEIL

    公开(公告)号:WO2021028797A1

    公开(公告)日:2021-02-18

    申请号:PCT/IB2020/057447

    申请日:2020-08-06

    申请人: ING-3D UG

    发明人: MANJURA, David

    摘要: Die Erfindung richtet sich auf ein Verfahren zur Nutzbarmachung von mineralischen Materialien für die Additive Fertigung, die durch ein kontrolliertes expandieren bei dem Sinterungsprozess mittels einer Laserquelle, im Vergleich zur gängigen Additiven Fertigung schneller, kostengünstiger und technisch einfacher umsetzbar ist. Der gesamte Produktionsprozess ist frei von Organik und bietet die Möglichkeit bisher nicht realisierbare Endanwendungen in den Bereichen Akustikdämmung, Wärmedämmung, Brandschutz, Filtration, Designobjekte und Leichtbauelemente umzusetzen. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Produktes mittels 3D-Druck bzw. Additiver Fertigung, wobei ein offenporiges Leichtbauteil aus einem pulverförmigen mineralischen Ausgangsrohstoff natürlichen Ursprungs, der ohne chemische Veränderung der festen Bestandteile des natürlichen Materials erhalten ist, schichtweise ohne Verwendung organischer Binder oder anderer organischer Hilfsmittel aufgebaut wird, wobei ab der zweiten Schicht die jeweils zuletzt aufgetragene Schicht durch eine unmittelbar anschließend durchgeführte direkte selektive Laserversinterung mit der Oberfläche des bereits existierenden Korpus des Leichtbauteils verbunden wird.

    積層体および電子素子
    10.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2020158041A1

    公开(公告)日:2020-08-06

    申请号:PCT/JP2019/037057

    申请日:2019-09-20

    摘要: 積層体は、ベース部と、グラフェン膜と、を備える。飛行時間型二次イオン質量分析により求めた積層体の深さ方向のイオン質量分布において、C 6 イオンの検出強度は、露出面から0nmを超えて2.5nm以下の深さで最大値を有する。C 3 イオンの検出強度は、露出面から0nmを超えて3.0nm以下の深さで最大値を有する。SiC 4 イオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上5.0nm以下の深さで最大値を有する。SiCイオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上10.0nm以下の深さで最大値を有する。Si 2 イオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上10.0nm以下の深さで最大値を有する。SiC 4 イオンの検出強度の最大値を、積層体の厚み方向において露出面からの距離が8nm以上12nm以下である領域におけるSiC 4 イオンの検出強度の平均値で除した値は、1以上3.5以下である。