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公开(公告)号:WO2023084306A1
公开(公告)日:2023-05-19
申请号:PCT/IB2022/000667
申请日:2022-11-15
申请人: ARKEMA FRANCE
IPC分类号: C04B35/14 , B29C70/16 , B29C70/38 , B29C70/50 , B29C70/52 , C04B35/524 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/653 , C04B35/76 , C04B35/80 , C04B35/82 , C04B35/83 , D04H1/74 , B32B18/00 , C08G65/40 , C04B35/52
摘要: A method for making a carbon carbon, carbon ceramic matrix, or carbon silica composite, comprising melt processing a resin comprising a polyaryletherketone (PAEK) and at least one reinforcing additive to make a precursor part, pyrolyzing the precursor part to make a pyrolyzed part, infusing a liquid second resin into the pyrolyzed part to make an infused part, and pyrolyzing the infused part, wherein the temperature within the chamber increases one or more times at a rate from 1 °C/h to about 20 °C/h during said pyrolyzing, and wherein optionally said pyrolyzing is maintained for a period of time at one or more temperatures. Other methods comprise processing aligned reinforcing additives and a resin comprising a PAEK to make an aligned reinforcing additives PAEK, aligned 1-2 dimensional flake material, or aligned 1-2 dimensional platelet material, to create a fabric, prepreg or tape comprising the aligned reinforcing additives and impregnated PAEK. Other methods comprise impregnating continuous fiber tape or fabric with a resin comprising PAEK and at least one reinforcing additive or co-weaving a continuous fiber or fabric with a PAEK fiber comprising PAEK and at least one reinforcing additive.
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公开(公告)号:WO2023048139A1
公开(公告)日:2023-03-30
申请号:PCT/JP2022/034976
申请日:2022-09-20
申请人: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
IPC分类号: C23C14/06 , B32B18/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/58 , C23C16/38 , H01J9/04 , H01J37/06
摘要: 低仕事関数材料として知られるランタノイド系ホウ化物に関し、化学的反応性が低い新規な低仕事関数材料、特に、材料表面を雰囲気ガスに暴露した後の当該表面の清浄化が従来よりも低い加熱温度で実施することが可能な低仕事関数材料の提供を目的とする。 本発明は、表面が薄膜により被覆された、基板上に形成されたランタノイド系ホウ化物膜を含む積層体であって、前記薄膜が単原子層の六方晶窒化ホウ素薄膜である、積層体である。
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公开(公告)号:WO2022163533A1
公开(公告)日:2022-08-04
申请号:PCT/JP2022/002236
申请日:2022-01-21
申请人: AGC株式会社
发明人: 笠井 渉
摘要: セラミックス基板とテトラフルオロエチレン系ポリマーを含む層との接着性に優れるとともに、電気特性、寸法安定性、耐熱性等に優れる複合基板の製造方法及びかかる複合基板の提供。 テトラフルオロエチレン系ポリマーの粒子と液状分散媒とを含む分散液であって、かつ前記テトラフルオロエチレン系ポリマーの少なくとも一部が酸性基を有するテトラフルオロエチレン系ポリマーであるか、又は、前記テトラフルオロエチレン系ポリマー以外ポリマーである酸性基を有するポリマーをさらに含む、分散液を、セラミックス基板の表面に付与し加熱して、前記テトラフルオロエチレン系ポリマーの粒子の焼成物を含む焼成物層を形成せしめ、前記セラミックス基板と、前記セラミックス基板の表面に前記焼成物層とを有する複合基板を得る、複合基板の製造方法。
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公开(公告)号:WO2022081700A1
公开(公告)日:2022-04-21
申请号:PCT/US2021/054773
申请日:2021-10-13
IPC分类号: B32B18/00 , C04B35/119 , C04B35/44 , C04B35/645 , C04B38/00 , H01J37/32 , C04B35/626
摘要: Disclosed is a multilayer sintered ceramic body comprising at least one first layer comprising at least one crystalline phase of YAG, wherein the at least one first layer has at least one surface; and at least one second layer comprising alumina and at least one of stabilized zirconia and partially stabilized zirconia, wherein the at least one surface of the at least one first layer comprises pores wherein the pores have a maximum size of from 0.1 to 5 um as measured by SEM, and wherein each of the at least one first layer and the at least one second layer has a coefficient of thermal expansion (CTE), wherein the CTE of the at least one first layer and the CTE of the at least one second layer differ from 0 to 0.6 x 10-6/°C as measured in accordance with ASTM E228-17. Methods of making are also disclosed.
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公开(公告)号:WO2022056062A1
公开(公告)日:2022-03-17
申请号:PCT/US2021/049564
申请日:2021-09-09
申请人: GLASSWRX, LLC
摘要: Methods for engineered polyphase cellular magmatics and articles thereof are disclosed. For example, the magmatics may include multiple phases including a crystalline phase and an amorphous phase. The magmatics may also include one or more reactive agents that may be disposed within cell structures of the magmatics and/or on an exterior of the magmatics, giving the resulting magmatics reactive properties that may differ based on the selected reactive agents and/or placement of the reactive agents within and/or through the magmatics.
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公开(公告)号:WO2021222093A1
公开(公告)日:2021-11-04
申请号:PCT/US2021/029143
申请日:2021-04-26
摘要: A porous ceramic body is provided for a variety of applications. The porous ceramic body includes mesocrystals of alumina such as, for example, alpha alumina. Porous alpha alumina bodies containing the mesocrystal micro structure can provide enhanced activity and catalyst lifetime when the same is used as a carrier for a silver-based ethylene oxide catalyst.
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公开(公告)号:WO2021204468A1
公开(公告)日:2021-10-14
申请号:PCT/EP2021/055325
申请日:2021-03-03
发明人: PALMANTIER, Arthur , ZEICHNER, Achim , ALTIN, Muhammed, Nasuh , SCHILLINGS, Peter , HIS, Christian , VILLERMAUX, Franceline
IPC分类号: B28B1/00 , B28B1/30 , B28B1/52 , C04B40/00 , C03B40/00 , C04B35/80 , C03B23/023 , C04B35/82 , B32B18/00 , C04B35/18 , B28B7/34 , B28B13/02 , B28B23/00 , C03B23/03
摘要: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer keramischen Biegeform (K) für Glasscheiben, umfassend die folgenden Verfahrensschritte: (A) Bestimmung der Kontaktfläche (F-K) der Biegeform (K), (B) Herstellen einer Modellform (1) mit einer Modellfläche (F-1), welche der Kontaktfläche (F-K) entspricht, (C) Versehen der Modellfläche (F-1) mit Matten (3) aus keramischen Fasern oder Glasfasern, welche mit einer keramischen Suspension getränkt sind, wobei die Matten (3) auf der Trennschicht (2) angeordnet und getrocknet werden, wodurch eine keramische Hohlform (4) mit der Kontaktfläche (F-K) entsteht, (D) Entfernen der keramischen Hohlform (4) von der Modellform (1), (E) Versehen der keramischen Hohlform (4) mit einem keramischen oder metallenen Stabilisierungsgerüst (5), (F) Brennen der keramischen Hohlform (4) mit dem Stabilisierungsgerüst (5), wodurch die keramische Biegeform (K) entsteht.
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公开(公告)号:WO2021065902A1
公开(公告)日:2021-04-08
申请号:PCT/JP2020/036890
申请日:2020-09-29
申请人: 日本碍子株式会社
IPC分类号: B32B18/00 , C04B41/88 , G01F23/26 , H05B3/18 , C04B35/486 , G01N27/409
摘要: 電極埋設セラミックス構造体(10)は、第1セラミックス層(2)と、第1セラミックス層(2)の表面に設けられている電極層(4)と、第1セラミックス層(2)及び電極層(4)を被覆しているとともに、第1セラミックス層(2)より厚みが薄い第2セラミックス層(6)を備えている。この電極埋設セラミックス構造体(10)では、第1セラミックス層(2)と電極層(4)と第2セラミックス層(6)の積層方向に沿った断面において、第1セラミックス層(2)側の電極層(4)の長さをL1とし、第2セラミックス層(6)側の電極層(4)の長さをL2とし、積層方向に直交する方向の電極層(4)の長さをL3としたときに、式(L1+L2)/L3≧2.2を満足している。
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公开(公告)号:WO2021028797A1
公开(公告)日:2021-02-18
申请号:PCT/IB2020/057447
申请日:2020-08-06
申请人: ING-3D UG
发明人: MANJURA, David
IPC分类号: B32B18/00 , C04B35/18 , C04B35/626 , C04B38/08
摘要: Die Erfindung richtet sich auf ein Verfahren zur Nutzbarmachung von mineralischen Materialien für die Additive Fertigung, die durch ein kontrolliertes expandieren bei dem Sinterungsprozess mittels einer Laserquelle, im Vergleich zur gängigen Additiven Fertigung schneller, kostengünstiger und technisch einfacher umsetzbar ist. Der gesamte Produktionsprozess ist frei von Organik und bietet die Möglichkeit bisher nicht realisierbare Endanwendungen in den Bereichen Akustikdämmung, Wärmedämmung, Brandschutz, Filtration, Designobjekte und Leichtbauelemente umzusetzen. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Produktes mittels 3D-Druck bzw. Additiver Fertigung, wobei ein offenporiges Leichtbauteil aus einem pulverförmigen mineralischen Ausgangsrohstoff natürlichen Ursprungs, der ohne chemische Veränderung der festen Bestandteile des natürlichen Materials erhalten ist, schichtweise ohne Verwendung organischer Binder oder anderer organischer Hilfsmittel aufgebaut wird, wobei ab der zweiten Schicht die jeweils zuletzt aufgetragene Schicht durch eine unmittelbar anschließend durchgeführte direkte selektive Laserversinterung mit der Oberfläche des bereits existierenden Korpus des Leichtbauteils verbunden wird.
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公开(公告)号:WO2020158041A1
公开(公告)日:2020-08-06
申请号:PCT/JP2019/037057
申请日:2019-09-20
申请人: 住友電気工業株式会社
IPC分类号: B32B9/00 , B32B18/00 , C01B32/184 , C01B32/188 , H01L29/16
摘要: 積層体は、ベース部と、グラフェン膜と、を備える。飛行時間型二次イオン質量分析により求めた積層体の深さ方向のイオン質量分布において、C 6 イオンの検出強度は、露出面から0nmを超えて2.5nm以下の深さで最大値を有する。C 3 イオンの検出強度は、露出面から0nmを超えて3.0nm以下の深さで最大値を有する。SiC 4 イオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上5.0nm以下の深さで最大値を有する。SiCイオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上10.0nm以下の深さで最大値を有する。Si 2 イオンの検出強度は、露出面から0.5nm以上10.0nm以下の深さで最大値を有する。SiC 4 イオンの検出強度の最大値を、積層体の厚み方向において露出面からの距離が8nm以上12nm以下である領域におけるSiC 4 イオンの検出強度の平均値で除した値は、1以上3.5以下である。
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