低温成形用導電性組成物および導電膜付き基板

    公开(公告)号:WO2021117389A1

    公开(公告)日:2021-06-17

    申请号:PCT/JP2020/041648

    申请日:2020-11-09

    IPC分类号: H01B1/20 B22F1/00 B22F1/02

    摘要: 本発明により、導電性粉末(A)と、樹脂バインダ(B)と、膜形成剤(C)と、溶媒(D)と、を含み、130℃以下の低温で導電膜を成形するために用いられる低温成形用導電性組成物が提供される。上記導電性粉末(A)の少なくとも一部は、表面にカルボン酸系の表面処理剤が付着している。上記膜形成剤(C)は、25℃で上記溶媒(D)に対して不溶であり、かつ上記導電膜の成形時には上記溶媒(D)に対して可溶な化合物である。

    シリコン酸化物被覆軟磁性粉末および製造方法

    公开(公告)号:WO2021106752A1

    公开(公告)日:2021-06-03

    申请号:PCT/JP2020/043268

    申请日:2020-11-19

    IPC分类号: B22F1/02 H01F1/20

    摘要: 【課題】欠陥の少ないシリコン酸化物被覆を有して絶縁性に優れ、水溶液中での分散性が良好であり、かつ、圧粉体成型時に高い充填率を得ることが可能なシリコン酸化物被覆軟磁性粉末を提供する。 【解決手段】鉄を20質量%以上含有する軟磁性粉末の表面に、水と有機物の混合溶媒中でシリコンアルコキシドの加水分解生成物を被覆する際に、当該軟磁性粉末と加水分解生成物を含むスラリーに分散処理を施すことにより、乾式のレーザー回折式粒子径分布測定法での体積基準の累積50%粒子径D50(HE)と、湿式のレーザー回折式粒子径分布測定法での同粒子径D50(MT)との比が0.7以上、R=Si×100/(Si+M)(ただしSiおよびMは、Siおよび軟磁性粉末を構成する元素のモル分率)で定義される被覆率Rが70%以上である、高絶縁性のシリコン酸化物被覆軟磁性粉末を得る。

    微粒子
    13.
    发明申请
    微粒子 审中-公开

    公开(公告)号:WO2021100320A1

    公开(公告)日:2021-05-27

    申请号:PCT/JP2020/036764

    申请日:2020-09-29

    摘要: 酸素を含む雰囲気で焼成温度に保持した場合でも酸化することなく焼結が生じ100nm以上に粒子成長させることができ、なおかつ大気中等の酸素を含む雰囲気での長期保存時の酸化を抑制することができる微粒子および微粒子の製造方法と、これまで難しかった微粒子製造後の回収時における酸化を抑制した微粒子の製造方法を提供する。原料の粉末を用いて、気相法により微粒子を製造する製造方法であって、気相法を用いて原料の粉末を気相状態の混合物にし、この気相状態の混合物を、不活性ガスと炭素数4以下の炭化水素ガスとを含む急冷ガスを用いて冷却して微粒子体を製造する工程と、製造された微粒子体に有機酸を供給する工程とを有する。

    一种被高分子材料包裹的金属粉末及其制备方法和应用

    公开(公告)号:WO2021018038A1

    公开(公告)日:2021-02-04

    申请号:PCT/CN2020/104480

    申请日:2020-07-24

    IPC分类号: B22F1/02 B22F3/22

    摘要: 一种被高分子材料包裹的金属粉末及其制备方法和应用,在制备金属粉末时,将表面包裹有氧化膜的金属粉末、去氧化膜溶液、高分子材料、用于将所述高分子材料溶解的溶剂混合,混合时去氧化膜溶液与氧化膜发生化学反应去除氧化膜,金属粉末相互之间产生摩擦去除氧化膜,实现了对金属粉末表面氧化膜的完全有效去除,对得到的混合物中的金属粉末进行干燥处理,得到包裹有高分子材料的金属粉末;通过将该金属粉末应用于金属注塑成型工艺,增加了该金属材料的应用面;通过注塑成型工艺使用该金属粉末制备金属零件,能够制作结构复杂、尺寸小、致密性高的金属零件,具有良好的经济效益和广阔的应用前景。

    BESCHICHTUNGSANORDNUNG UND VERFAHREN
    18.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021008998A1

    公开(公告)日:2021-01-21

    申请号:PCT/EP2020/069388

    申请日:2020-07-09

    摘要: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann Beschichtungsanordnung (200) aufweisen: eine Partikelzuführung und einen dieser zugewandten Auffangbehälter (204), zwischen denen ein Hohlraum (206) gebildet ist; eine Beschichtungsmaterial-Quelle (208) zum Verdampfen eines Beschichtungsmaterials in den Hohlraum (206) hinein; wobei die Partikelzuführung einen Zuführungsspalt (202s) aufweist, welcher entlang eines in sich geschlossenen Pfades erstreckt ist; wobei die Partikelzuführung (202) einen Zuführungsspalt (202s) aufweist; wobei der Hohlraum (206) von dem Zuführungsspalt (202s) zu dem Auffangbehälter (204) erstreckt ist und die Beschichtungsmaterial-Quelle (208) teilweise umgibt.

    METHOD OF FORMING CONTIGUOUS CONDUCTIVE FEATURES ON A SUBSTRATE

    公开(公告)号:WO2021001763A1

    公开(公告)日:2021-01-07

    申请号:PCT/IB2020/056215

    申请日:2020-07-01

    申请人: XTPL S.A.

    摘要: A composition for forming a contiguous conductive feature on a substrate includes silver nanoparticles, a titanium precursor compound, a first non-aqueous polar protic solvent, and a second non‐aqueous polar protic solvent. The concentration of the titanium precursor compound in the composition is in a range of 2 vol % to 13 vol %. A method of forming a contiguous conductive feature on a substrate includes dispensing the composition on the substrate to form a contiguous precursor feature and sintering the contiguous precursor feature at a sintering temperature in a range of 300 °C to 500 °C to form the contiguous conductive feature. Example titanium precursor compounds are: titanium(IV) butoxide, titanium(IV) isopropoxide, titanium(IV) chloride, tetrakis(diethylamido)titanium(IV), and dimethyltitanocene.