公开(公告)号：WO2011157381A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：PCT/EP2011/002857

申请日：2011-06-10

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  KLOOS, Ralf ,  HOESS, Christian

Inventor： HUSSY, Stephan ,  PROKOPENKO, Oleksandr ,  KLOOS, Ralf ,  HOESS, Christian

IPC: C30B11/00 ,  F27D99/00

CPC classification number: C01B33/021 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06 ,  F27B14/04 ,  F27B14/06 ,  F27B14/20 ,  F27D99/0006

Abstract: The present application describes a process and apparatus for producing polycrystalline silicon ingots. During the process, a crucible is arranged in a process chamber, wherein the crucible is filled with solid silicon material or is being filled with silicon material in the process chamber. The crucible is located with respect to at least one diagonal heater in such a way that the diagonal heater is located laterally offset to and generally above the silicon ingot to be produced. Thereafter, the solid silicon material in the crucible is heated above the melting temperature of the silicon material in order to form molten silicon in the crucible, and thereafter, the silicon material in the crucible is cooled down below the solidification temperature of the molten silicon, therein a temperature profile in the silicon material during the cooling phase is controlled at least partially via the at least one diagonal heater. The apparatus comprises a process chamber, a crucible holder inside the process chamber, and at least one diagonal heater in the process chamber. The diagonal heater is located laterally with respect to the crucible holder and extends generally perpendicular thereto and is spaced from the crucible holder in a vertical direction at such a distance that the diagonal heater is located generally above a polycrystalline silicon ingot to be formed in the crucible. The diagonal heater is stationary with respect to the crucible holder when the process chamber is closed.

Abstract translation: 本申请描述了用于生产多晶硅锭的方法和装置。 在该过程中，将坩埚布置在处理室中，其中坩埚中填充有固体硅材料，或者在处理室中填充硅材料。 坩埚相对于至少一个对角加热器定位成使得对角加热器位于横向偏移并且大体上位于待生产的硅锭的上方。 此后，将坩埚中的固体硅材料加热到高于硅材料的熔融温度，以便在坩埚中形成熔融硅，此后将坩埚中的硅材料冷却至低于熔融硅的凝固温度， 其中在冷却阶段期间，硅材料中的温度分布至少部分地通过至少一个对角加热器被控制。 该设备包括处理室，处理室内的坩埚保持器和处理室中的至少一个对角加热器。 对角加热器相对于坩埚保持器横向定位并且大致垂直于其延伸并且在垂直方向上与坩埚保持器间隔开，使得对角加热器通常位于要形成在坩埚中的多晶硅锭的上方 。 当处理室关闭时，对角加热器相对于坩埚保持器是静止的。

公开(公告)号：WO2011144324A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：PCT/EP2011/002449

申请日：2011-05-17

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  VOLLMAR, Wilfried

Inventor： VOLLMAR, Wilfried

IPC: C23C16/44 ,  C01B33/035

CPC classification number: C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  C23C16/4418

Abstract: An apparatus and a method for applying a voltage across a plurality of silicon rods (51-54) in a CVD reactor and a CVD reactor are described. The apparatus has a series connection in which the silicon rods may be inserted as resistors, at least one first power supply unit (12), at least one second power supply unit (14), at least one third power supply unit (16), and at least one control unit which is capable of applying a voltage across the silicon rods in the series connection via the first, the second or the third power supply unit. The first power supply unit has a plurality of first transformers (21-24), the outputs of which are each connected with one silicon rod in the series connection and wherein the first transformers have a first open circuit voltage and a first short circuit current. The second power supply unit has a plurality of second transformers (31-32), the outputs of which are connected to the same number of silicon rods as the first transformers in the series connection, in parallel to one or more of the first transformers and wherein the second transformers have a second open circuit voltage and a second short circuit current, wherein the second open circuit voltage is lower than the first open circuit voltage and the second short circuit current is higher than the first short circuit current. The third power supply unit has outputs which are connected with the silicon rods in the series connection in parallel to the first and second transformers and wherein the third power supply unit is capable of providing a current in a voltage range which is below the open circuit voltage of the second transformer, which current is higher than the short circuit current of the second transformer.

Abstract translation: 描述了在CVD反应器和CVD反应器中跨多个硅棒（51-54）施加电压的装置和方法。 该装置具有串联连接，其中硅棒可以作为电阻器插入，至少一个第一电源单元（12），至少一个第二电源单元（14），至少一个第三电源单元（16）， 以及至少一个控制单元，其能够经由第一，第二或第三电源单元在串联中的硅棒上施加电压。 第一电源单元具有多个第一变压器（21-24），其输出端分别与串联连接中的一个硅棒连接，并且其中第一变压器具有第一开路电压和第一短路电流。 第二电源单元具有多个第二变压器（31-32），它们的输出端连接到与串联连接中的第一变压器相同数量的硅棒，并联到一个或多个第一变压器和 其中所述第二变压器具有第二开路电压和第二短路电流，其中所述第二开路电压低于所述第一开路电压，并且所述第二短路电流高于所述第一短路电流。 第三电源单元具有与第一和第二变压器并联的与串联的硅棒连接的输出，并且其中第三电源单元能够提供低于开路电压的电压范围内的电流 的第二变压器，该电流高于第二变压器的短路电流。

公开(公告)号：WO2011098064A1

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：PCT/DE2011/000082

申请日：2011-01-28

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  BRANZI, Matteo

Inventor： BRANZI, Matteo

IPC: C01B33/107 ,  B01J12/00 ,  B01J19/02 ,  B01J19/24

CPC classification number: B01J19/2425 ,  B01J12/007 ,  B01J2219/00103 ,  B01J2219/00157 ,  B01J2219/0218 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/0263 ,  B01J2219/0286 ,  C01B33/1071

Abstract: Verfahren zur Hydrierung von Chlorsilanen, bei welchem ein Gasgemisch (50) aufweisend ein zu hydrierendes Chlorsilangas und Wasserstoffgas in einem Reaktor (3a, 3b, 3c; 13a; 23a) auf Temperaturen im Bereich zwischen 500 °C und 1800 °C erhitzt und in dieser Weise das Chlorsilangas wenigstens zum Teil hydriert wird und bei welchem zum Zwecke des Erhitzens des Gasgemisches (50) der Reaktor (3a, 3b, 3c; 13a; 23a) mittels wenigstens einer Flamme erhitzt wird, welche in einer Umgebung des Reaktors (3a, 3b, 3c; 13a; 23a) angeordnet wird, sowie Konverter (1) zur Durchführung des Verfahrens.

Abstract translation: 一种氯硅烷的氢化，其中的气体混合物（50），其具有待氢化氯硅烷气体和氢气在反应器中处理（; 13A;图3a，3b，3c的23A）是一个加热到温度在500℃和1800℃，并在此之间的范围内 因此，氯硅烷至少部分氢化的，并且其中，用于反应器的气体混合物（50）加热的目的（3A，3B，3C; 13A; 23A）通过火焰的装置是至少加热，这（在反应器3a的环境，图3b ，3C; 13A; 23A）被布置，以及用于执行该方法的转换器（1）。

公开(公告)号：WO2010086363A2

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/EP2010/050988

申请日：2010-01-28

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  WILFRIED, Vollmar ,  STUBHAN, Frank

Inventor： WILFRIED, Vollmar ,  STUBHAN, Frank

IPC: C01B33/035

CPC classification number: G01B11/0683 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/52

Abstract: The invention relates to an arrangement for measurement of the temperature and of the thickness growth of silicon rods in a silicon deposition reactor, by means of a pyrometer which is located outside the reactor. The aim of the invention is to provide an arrangement which allows continuous temperature measurement and measurement of the thickness growth throughout the entire deposition process, with adequate accuracy. This is achieved in that a contactlessly operating temperature measurement device (4) is provided for the temperature measurement and is arranged outside the silicon deposition reactor in front of a viewing window (2), in that the temperature measurement device (4) can be pivoted horizontally about a rotation axis (5) by means of a rotating drive (9), wherein the pivoting axis (5) runs parallel to the longitudinal axis of the silicon rod (1), and wherein the centre axis (6) of the temperature measurement device runs through the pivoting axis (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过位于反应器外部的高温计来测量硅沉积反应器中的硅棒的温度和厚度增长的装置。 本发明的目的是提供一种装置，该装置允许在整个沉积过程中以足够的准确度进行连续的温度测量和厚度增长的测量。 这是通过以下方式实现的：无接触地操作的温度测量装置（4）被提供用于温度测量并且被布置在观察窗（2）之前的硅沉积反应器的外部，温度测量装置（4）能够枢转 （5）通过旋转驱动器（9）水平围绕旋转轴线（5）旋转，其中枢转轴线（5）平行于硅棒（1）的纵向轴线延伸，并且其中温度 测量装置穿过枢轴（5）。

公开(公告)号：WO2010066479A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：PCT/EP2009/061261

申请日：2009-09-01

Applicant: CENTROTHERM SITEC GMBH ,  VOLLMAR, Wilfried

Inventor： VOLLMAR, Wilfried

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  H05B3/00

CPC classification number: C23C16/4418 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/46

Abstract: Der Erfindung, welche ein Verfahren zur Stromversorgung eines CVD-Prozesses bei der Siliziumabscheidung betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, bei deutlich verringertem Aufwand unter Vermeidung der aufwändigen Parallel-/Seriell-Umschaltung eine schnelle und effektive Aufheizung der Stabpaare zu gewährleisten. Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, dass die Stabpaare in einer elektrischen Reihenschaltung geschaltet werden und dass jedes Stabpaar durch ein Mittel zum elektrischen überbrücken des Stabpaares zumindest teilweise überbrückbar ist und dass an mindestens einem Stabpaar die angelegte elektrische Spannung anliegt.

Abstract translation: 本发明，其涉及一种方法，用于在硅的沉积CVD工艺供电，它的对象，同时避免了昂贵的并行/串行转换，以确保所述杆对一个快速和有效的加热在显著降低成本。 该目的的实现在于，所述杆对被连接在电串联电路，并且每个对杆的至少部分地由一种手段桥接用于电桥接所述一对杆和在该至少一个杆对承载所施加的电压。