公开(公告)号：WO2019141961A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：PCT/GB2018/053699

申请日：2018-12-19

Applicant: XAAR TECHNOLOGY LIMITED ,  GIBBONS, Brady ,  GROVE, Kyle ,  CANN, David ,  KO, Song-Won

Inventor： GIBBONS, Brady ,  GROVE, Kyle ,  CANN, David ,  KO, Song-Won

IPC: H01L41/318 ,  C23C18/12

CPC classification number: H01L41/318 ,  C23C18/1295

Abstract: The present invention relates to a method of preparing a thin film element which is a dielectric exhibiting piezoelectric properties comprising a bismuth-based solid solution ceramic material as well as uses thereof. In one aspect, the present inventions provides a method for fabricating a lead-free piezoelectric thin film element comprising a substrate and a piezoelectric thin film formed thereon, wherein said piezoelectric thin film is a solid solution ceramic material having a major proportion of a perovskite phase and having the formula (I) below : (I): xA-yB-z 1 C 1 -z 2 C 2 wherein A is a first bismuth based perovskite component; B is a second bismuth based perovskite component; C 1 and C 2 are dopant perovskite components; and wherein: x+y+z 1 +z 2 = 1; x, y≠ 0; (z 1 + z 2 ) ≥ 0; said method comprising: performing steps i) and ii) below one or more times: i) depositing a precursor solution for the ceramic material of formula (I) on to the substrate by chemical solution deposition to form a deposited precursor solution on the substrate; ii) drying and pyrolysing the deposited precursor solution to form a coating; followed by performing step iii) below: iii) crystallising the coating by rapid thermal processing to form a film of the solid solution ceramic material of formula (I); wherein crystallising in step iii) involves heating the coating to a crystallisation temperature of from 600 °C to 800 °C; and wherein the temperature is increased at a ramp rate of from 70 to 150 °C/s up to the crystallisation temperature.

公开(公告)号：WO2017178501A1

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：PCT/EP2017/058709

申请日：2017-04-11

Applicant: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  UNIVERSITE DE NANTES

Inventor： DUFAY, Thibault ,  GINESTAR, Stéphane ,  SEVENO, Raynald ,  GUIFFARD, Benoit

IPC: H01L41/313 ,  H01L41/318

Abstract: The invention relates to method for obtaining an elastically-flexible piezoelectric structure (150), characterized in that it comprises steps of: depositing a piezoelectric thin layer (110) on a chemical etching sensitive metallic sacrificial substrate (100); depositing an elastically-flexible polymeric support layer (130) on the piezoelectric thin layer, selectively and chemically etching said metallic sacrificial substrate to obtain an elastically-flexible piezoelectric structure comprising the piezoelectric thin layer and the elastically-flexible polymeric support layer used as permanent substrate (140) of said structure.

Abstract translation: 本发明涉及用于获得弹性柔性压电结构（150）的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：在化学蚀刻敏感的金属牺牲基板（110）上沉积压电薄层（110） 100）; 在压电薄层上沉积弹性柔性聚合物支撑层（130），选择性和化学蚀刻所述金属牺牲基底以获得包括压电薄层和用作永久基底的弹性柔性聚合物支撑层的弹性柔性压电结构 （140）。

公开(公告)号：WO2017038676A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/JP2016/074959

申请日：2016-08-26

Applicant: 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 ,  三菱マテリアル株式会社

Inventor： 田頭　裕己 ,  志村　礼司郎 ,  高村　禅 ,  李　金望 ,  下田　達也 ,  渡辺　敏昭 ,  曽山　信幸

IPC: H01L41/43 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/43

Abstract: ＰＺＴ強誘電体膜形成用液組成物を塗布する工程と、液組成物を塗布した膜を乾燥する工程と、乾燥した膜に酸素含有雰囲気下１５０～２００℃の温度で紫外線照射する工程と、塗布工程と乾燥工程と紫外線照射工程を１回又は２回以上行った後、酸素含有雰囲気下０．５℃／秒以上の速度で昇温するか、又は酸素非含有雰囲気下０．２℃／秒以上の速度で昇温し、４００～５００℃の温度に保持することにより紫外線照射した強誘電体膜前駆体膜を焼成して結晶化させる工程とを含む。液組成物の１回当りの塗布量を、塗布１回当たりの強誘電体膜の厚さが１５０ｎｍ以上になるように設定し、紫外線照射するときにオゾンを供給する。

Abstract translation: 本发明包括：施加用于形成PZT铁电体膜的液体组合物的步骤; 用于干燥通过施加液体组合物获得的膜的步骤; 在含氧气氛中在150-200℃的温度下将紫外线照射到干燥膜上的步骤; 在涂布工序后，通过使含氧气氛中的温度升高，进行一次以上的紫外线照射铁电体前体膜的烧成和结晶工序 速度为0.5℃/秒以上，或者以0.2℃/秒以上的速度使非含氧气氛中的温度升高，并保持温度在400-500℃。 在每个循环中施加的液体组合物的量被设定为使得每个应用的铁电体膜的厚度为150nm以上，并且在UV照射期间供给臭氧。

公开(公告)号：WO2015146863A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/058618

申请日：2015-03-20

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 土井　利浩 ,  桜井　英章 ,  曽山　信幸

IPC: H01L41/187 ,  C01G25/00 ,  H01L41/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/54 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/48 ,  C09D5/24 ,  H01L41/318

Abstract: 　このＣｅドープのＰＺＴ系圧電体膜形成用組成物は、複合金属酸化物を構成する各金属原子を含むＰＺＴ系前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドン等とを含む。組成物中の金属原子比(Ｐｂ：Ｃｅ：Ｚｒ：Ｔｉ)が、(１．００～１．２８)：(０．００５～０．０５)：(０．４０～０．５５)：(０．６０～０．４５)を満たし、かつＺｒとＴｉの金属原子比の合計割合が１となる割合で、ＰＺＴ系前駆体を含む。組成物１００質量％中に占めるＰＺＴ系前駆体の濃度が酸化物濃度で１７～３５質量％であり、組成物１００質量％中のジオールの割合が１６～５６質量％であり、ポリビニルピロリドン等の割合がＰＺＴ系前駆体１モルに対してモノマー換算で０．０１～０．２５モルである。

Abstract translation: 用于形成掺杂铈的PZT压电薄膜的组合物包含以下：含有构成复合金属氧化物的金属原子的PZT前体; 二醇 和聚乙烯吡咯烷酮等。 所述组合物含有PZT前体，使得组合物中的金属铅，铈，锆和钛的原子比例分别为1.00〜1.28,0.005〜0.05,0.40〜0.55,0.60〜0.45; 并且锆的原子比例和钛的原子比例之和等于1.作为组合物总质量比例的PZT前体的氧化物浓度为17％-35％（含）; 二醇构成组合物总质量的16％至56％（包括端值）; 并且以单体当量计，每摩尔PZT前体存在0.01至0.25摩尔的聚乙烯吡咯烷酮等。

公开(公告)号：WO01098212A1

公开(公告)日：2001-12-27

申请号：PCT/JP2001/005069

申请日：2001-06-14

IPC: C01B13/14 ,  C01G1/00 ,  C01G29/00 ,  C01G35/00 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L41/187 ,  H01L41/317 ,  H01L41/318 ,  H01L41/39 ,  H01L41/43

CPC classification number: C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: A method for preparing a ceramic film, which comprises a step of forming a ceramic film (30) through crystallizing a raw material (20), wherein the raw material (20) contains different types of materials in a mixed state, which are different from each other with respect to at least one of the condition for crystal growth and the mechanism of crystal growth. The method can be used for improving the morphology of the surface of a ceramic film.

Abstract translation: 一种制备陶瓷膜的方法，包括通过使原料（20）结晶形成陶瓷膜（30）的步骤，其中所述原料（20）含有混合状态的不同类型的材料，其不同于 相对于晶体生长的条件和晶体生长的机理中的至少一个。 该方法可用于改善陶瓷膜表面的形态。