公开(公告)号：WO2019141961A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：PCT/GB2018/053699

申请日：2018-12-19

Applicant: XAAR TECHNOLOGY LIMITED ,  GIBBONS, Brady ,  GROVE, Kyle ,  CANN, David ,  KO, Song-Won

Inventor： GIBBONS, Brady ,  GROVE, Kyle ,  CANN, David ,  KO, Song-Won

IPC: H01L41/318 ,  C23C18/12

CPC classification number: H01L41/318 ,  C23C18/1295

Abstract: The present invention relates to a method of preparing a thin film element which is a dielectric exhibiting piezoelectric properties comprising a bismuth-based solid solution ceramic material as well as uses thereof. In one aspect, the present inventions provides a method for fabricating a lead-free piezoelectric thin film element comprising a substrate and a piezoelectric thin film formed thereon, wherein said piezoelectric thin film is a solid solution ceramic material having a major proportion of a perovskite phase and having the formula (I) below : (I): xA-yB-z 1 C 1 -z 2 C 2 wherein A is a first bismuth based perovskite component; B is a second bismuth based perovskite component; C 1 and C 2 are dopant perovskite components; and wherein: x+y+z 1 +z 2 = 1; x, y≠ 0; (z 1 + z 2 ) ≥ 0; said method comprising: performing steps i) and ii) below one or more times: i) depositing a precursor solution for the ceramic material of formula (I) on to the substrate by chemical solution deposition to form a deposited precursor solution on the substrate; ii) drying and pyrolysing the deposited precursor solution to form a coating; followed by performing step iii) below: iii) crystallising the coating by rapid thermal processing to form a film of the solid solution ceramic material of formula (I); wherein crystallising in step iii) involves heating the coating to a crystallisation temperature of from 600 °C to 800 °C; and wherein the temperature is increased at a ramp rate of from 70 to 150 °C/s up to the crystallisation temperature.

公开(公告)号：WO2019099013A1

公开(公告)日：2019-05-23

申请号：PCT/US2017/062059

申请日：2017-11-16

Applicant: CHIRP MICROSYSTEMS, INC.

Inventor： GUEDES, Andre ,  GOERICKE, Fabian ,  SHELTON, Stefon ,  COSTELLO, Benedict ,  HORSLEY, David

IPC: B06B1/06 ,  H01L41/08 ,  H01L41/083 ,  H01L41/09

CPC classification number: H01L41/0973 ,  B06B1/0607 ,  H01L41/318 ,  H01L41/332

Abstract: A piezoelectric micromachined ultrasonic transducer (PMUT) device includes a substrate having an opening therethrough and a membrane attached to the substrate over the opening. An actuating structure layer on a surface of the membrane includes a piezoelectric layer sandwiched between the membrane and an upper electrode layer. The actuating structure layer is patterned to selectively remove portions of the actuating structure from portions of the membrane to form a central portion proximate a center of the open cavity and three or more rib portions projecting radially outward from the central portion.

公开(公告)号：WO2017038676A1

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：PCT/JP2016/074959

申请日：2016-08-26

Applicant: 国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学 ,  三菱マテリアル株式会社

Inventor： 田頭　裕己 ,  志村　礼司郎 ,  高村　禅 ,  李　金望 ,  下田　達也 ,  渡辺　敏昭 ,  曽山　信幸

IPC: H01L41/43 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318

CPC classification number: H01L27/105 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  H01L41/43

Abstract: ＰＺＴ強誘電体膜形成用液組成物を塗布する工程と、液組成物を塗布した膜を乾燥する工程と、乾燥した膜に酸素含有雰囲気下１５０～２００℃の温度で紫外線照射する工程と、塗布工程と乾燥工程と紫外線照射工程を１回又は２回以上行った後、酸素含有雰囲気下０．５℃／秒以上の速度で昇温するか、又は酸素非含有雰囲気下０．２℃／秒以上の速度で昇温し、４００～５００℃の温度に保持することにより紫外線照射した強誘電体膜前駆体膜を焼成して結晶化させる工程とを含む。液組成物の１回当りの塗布量を、塗布１回当たりの強誘電体膜の厚さが１５０ｎｍ以上になるように設定し、紫外線照射するときにオゾンを供給する。

Abstract translation: 本发明包括：施加用于形成PZT铁电体膜的液体组合物的步骤; 用于干燥通过施加液体组合物获得的膜的步骤; 在含氧气氛中在150-200℃的温度下将紫外线照射到干燥膜上的步骤; 在涂布工序后，通过使含氧气氛中的温度升高，进行一次以上的紫外线照射铁电体前体膜的烧成和结晶工序 速度为0.5℃/秒以上，或者以0.2℃/秒以上的速度使非含氧气氛中的温度升高，并保持温度在400-500℃。 在每个循环中施加的液体组合物的量被设定为使得每个应用的铁电体膜的厚度为150nm以上，并且在UV照射期间供给臭氧。

公开(公告)号：WO2015146863A1

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：PCT/JP2015/058618

申请日：2015-03-20

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 土井　利浩 ,  桜井　英章 ,  曽山　信幸

IPC: H01L41/187 ,  C01G25/00 ,  H01L41/318

CPC classification number: H01L41/1876 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/54 ,  C04B35/491 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3249 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/48 ,  C09D5/24 ,  H01L41/318

Abstract: 　このＣｅドープのＰＺＴ系圧電体膜形成用組成物は、複合金属酸化物を構成する各金属原子を含むＰＺＴ系前駆体と、ジオールと、ポリビニルピロリドン等とを含む。組成物中の金属原子比(Ｐｂ：Ｃｅ：Ｚｒ：Ｔｉ)が、(１．００～１．２８)：(０．００５～０．０５)：(０．４０～０．５５)：(０．６０～０．４５)を満たし、かつＺｒとＴｉの金属原子比の合計割合が１となる割合で、ＰＺＴ系前駆体を含む。組成物１００質量％中に占めるＰＺＴ系前駆体の濃度が酸化物濃度で１７～３５質量％であり、組成物１００質量％中のジオールの割合が１６～５６質量％であり、ポリビニルピロリドン等の割合がＰＺＴ系前駆体１モルに対してモノマー換算で０．０１～０．２５モルである。

Abstract translation: 用于形成掺杂铈的PZT压电薄膜的组合物包含以下：含有构成复合金属氧化物的金属原子的PZT前体; 二醇 和聚乙烯吡咯烷酮等。 所述组合物含有PZT前体，使得组合物中的金属铅，铈，锆和钛的原子比例分别为1.00〜1.28,0.005〜0.05,0.40〜0.55,0.60〜0.45; 并且锆的原子比例和钛的原子比例之和等于1.作为组合物总质量比例的PZT前体的氧化物浓度为17％-35％（含）; 二醇构成组合物总质量的16％至56％（包括端值）; 并且以单体当量计，每摩尔PZT前体存在0.01至0.25摩尔的聚乙烯吡咯烷酮等。

公开(公告)号：WO2015072095A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：PCT/JP2014/005433

申请日：2014-10-28

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 久保　敬 ,  野田　俊成

IPC: G01J1/02 ,  G01J5/34 ,  H01L37/00 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113

CPC classification number: G01J5/0853 ,  G01J5/046 ,  G01J5/34 ,  G01J5/58 ,  H01L37/025 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/18 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 　赤外線検出素子は、下部電極層と、下部電極層上に設けられた検出層と、検出層上に設けられた上部電極層とを有する検出積層体を備える。検出層は、柱状の結晶構造を有する。検出層には、結晶構造の結晶粒界に偏在する複数の気孔が設けられている。この赤外線検出素子は高い赤外線検出性能を有する。

Abstract translation: 红外线检测元件设置有具有下电极层，设置在下电极层上的检测层和设置在检测层上的上电极层的检测层压体。 检测层具有柱状晶体结构。 多个气孔偏心地位于晶体结构的晶界上，被提供给检测层。 所述红外辐射检测元件发挥高红外辐射检测特性。

公开(公告)号：WO2011146020A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：PCT/SG2011/000190

申请日：2011-05-20

Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH ,  GOH, Phoi Chin ,  YAO, Kui

Inventor： GOH, Phoi Chin ,  YAO, Kui

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495 ,  H01L41/24 ,  C01G33/00 ,  C04B35/622

CPC classification number: H01L41/318 ,  C01G33/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/89 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/495 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/632 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/63488 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  H01L41/0805 ,  H01L41/1873

Abstract: The present invention discloses a method of preparing a lead-free piezoelectric thin film comprising the steps of: providing a precursor solution comprising at least one alkali metal ion, a polyamino carboxylic acid, and an amine; depositing the precursor solution on a substrate to form a film; and annealing the film. The present invention also provides a lead-free piezoelectric thin film prepared according to the method, a precursor solution for use in the method and a method of preparing the precursor solution.

Abstract translation: 本发明公开了一种制备无铅压电薄膜的方法，包括以下步骤：提供包含至少一种碱金属离子，聚氨基羧酸和胺的前体溶液; 将前体溶液沉积在基底上以形成膜; 并退火膜。 本发明还提供根据该方法制备的无铅压电薄膜，用于该方法的前体溶液和制备前体溶液的方法。

公开(公告)号：WO2011065197A1

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/JP2010/069628

申请日：2010-11-04

Applicant: 株式会社ユーテック ,  木島 健 ,  本多 祐二

Inventor： 木島　健 ,  本多　祐二

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24 ,  H03H9/25

CPC classification number: H03H9/02543 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318 ,  H03H3/08

Abstract: 　角型性の良好なヒステリシス特性を有しないことで信頼性を向上させた圧電体及びそれを用いた圧電素子を提供する。本発明の一態様は、Ｐｂ（Ｚｒ Ｘ Ｔｉ Ｙ Ｎｂ Ｚ ）Ｏ ３ で示され、以下の関係、　Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１　０≦Ｙ≦０．２５　０．０５≦Ｚ≦０．２５ が成立することを特徴とする圧電体である。

Abstract translation: 提供一种压电材料，其不具有基本上矩形的滞后特性，从而提高了可靠性，以及包括压电材料的压电元件。 压电材料的特征在于用Pb（ZrXTiYNbZ）O 3表示，其中X + Y + Z = 1 = = = 0.05 = Z = 0.25。

公开(公告)号：WO2010084711A1

公开(公告)日：2010-07-29

申请号：PCT/JP2010/000148

申请日：2010-01-13

Applicant: パナソニック株式会社 ,  張替貴聖 ,  足立秀明 ,  藤井映志

Inventor： 張替貴聖 ,  足立秀明 ,  藤井映志

IPC: H01L41/09 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G01C19/56 ,  G01P9/04 ,  H01L41/113 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24 ,  H02N2/00

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2202/03 ,  C23C14/024 ,  C23C14/08 ,  G01C19/5628 ,  H01L41/094 ,  H01L41/316 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319 ,  Y10T29/42

Abstract: 　鉛を含有しない強誘電材料を含む圧電体薄膜であって、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）と同レベルの高い圧電性能を示す圧電体薄膜とその製造方法とを提供する。本発明の圧電体薄膜は、（００１）配向を有するＬａＮｉＯ 3 膜と、（００１）配向を有し、化学式ＡＢＯ 3 （Ａは（Ｂｉ，Ｎａ） 1-x Ｃ x （０≦ｘ＜１）により表され、ＢはＴｉまたはＴｉＺｒであり、ＣはＮａ以外のアルカリ金属である）により表される化合物により構成されている界面層と、（００１）配向を有する（Ｂｉ，Ｎａ，Ｂａ）ＴｉＯ 3 膜とを具備し、前記ＬａＮｉＯ 3 膜、前記界面層、および前記（Ｂｉ，Ｎａ，Ｂａ）ＴｉＯ 3 膜はこの順に積層されている。

Abstract translation: 一种压电薄膜，其包含不含铅的铁电材料，并且在与锆钛酸铅（PZT）相同的水平上具有高压电性能; 以及压电薄膜的制造方法。 压电薄膜包括具有（001）取向的LaNiO3膜，具有（001）取向并由化学式ABO3表示的化合物构成的界面层（其中A由（Bi，Na）1-xCx（0 = 具有（001）取向的x3膜，LaNiO3膜，界面层和（Bi，Na，Ba）TiO 3膜已经以该顺序重叠。

公开(公告)号：WO2007074875A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：PCT/JP2006/326090

申请日：2006-12-27

Applicant: 昭和電工株式会社 ,  白川 彰彦

Inventor： 白川 彰彦

IPC: C01G23/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G9/04 ,  H01L41/24

CPC classification number: C01G23/006 ,  C01P2006/40 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/318 ,  H01L41/43

Abstract: 複雑で大掛かりな設備を用いずに、比誘電率が高く、膜厚が任意に制御され、容量の温度依存性が小さい複合酸化物膜とその製造方法、その複合酸化物膜を含む複合体及びその製造方法、前記複合酸化物膜又は複合体を含む誘電材料又は圧電材料、温度依存性が小さい複合酸化物膜を含むコンデンサ又は圧電素子及びこれを備えた電子機器の提供を目的とする。 　基体表面にチタン元素を含む金属酸化物層を陽極酸化などの手段で形成し、次いで該金属酸化物層にカルシウムイオンを含む溶液を反応させて、チタン元素及びカルシウム元素を含む複合酸化物膜を得ることができる。さらに、この複合酸化物膜を有する複合体を誘電材料として含むコンデンサや、圧電材料として含む圧電素子を得ることができる。

Abstract translation: 公开了一种复合氧化膜的制造方法，该复合氧化膜具有高的相对介电常数，任意控制的厚度和低的容量依赖性，而不需要复杂的大的设备，以及这种复合氧化膜。 还公开了包含这种复合氧化物膜的复合体，这种复合体的制造方法，含有这种复合氧化物膜或复合体的介电材料或压电材料，含有低的复合氧化物膜的电容器或压电元件 容量的温度依赖性，以及包括这种电容器或压电元件的电子器件。 具体公开了含有钛元素和钙元素的复合氧化物膜，其通过阳极氧化等在基板表面上形成含有钛元素的金属氧化物层而得到，并使含有钙离子的溶液与金属氧化物层反应。 还具体公开了一种电容器，其包含具有作为介电材料的复合氧化物膜的复合体，以及包含具有作为压电材料的复合氧化物膜的复合体的压电元件。

公开(公告)号：WO2006130055A1

公开(公告)日：2006-12-07

申请号：PCT/SE2005/000823

申请日：2005-05-31

Applicant: ST. JUDE MEDICAL AB ,  ERIKSSON, Tom ,  NILSSON, Kenth ,  JOHANSSON, Anna-Karin ,  LJUNGSTRÖM, Karin ,  LASHGARI, Koroush ,  POHL, Annika ,  WESTIN, Gunnar

Inventor： ERIKSSON, Tom ,  NILSSON, Kenth ,  JOHANSSON, Anna-Karin ,  LJUNGSTRÖM, Karin ,  LASHGARI, Koroush ,  POHL, Annika ,  WESTIN, Gunnar

IPC: H01L41/187 ,  C04B35/495

CPC classification number: C04B35/495 ,  A61N1/056 ,  A61N1/0565 ,  A61N1/36542 ,  A61N1/36564 ,  C01G33/00 ,  C01G33/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/88 ,  C01P2004/03 ,  C04B35/624 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62675 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/80 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1254 ,  C23C18/1283 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/318

Abstract: The invention refers to a method for producing a biocompatible material of the formula Na x K y NbO 3 , 0≤x≤0.8, 0.2≤y≤1, x+y=1, comprising the steps of: (i) providing a Na-precursor and a K-precursor for Na x K y NbO 3 ; (ii) mixing the precursors in solution, whereby they first react to form a sol and thereafter a gel; and heat treating the gel to obtain an oxide of the material Na x K y NbO 3 , 0≤x≤0.8, 0.2≤y≤1, x+y=1. Hereby, a biocompatible material having several advantages, such as a highly controlled composition, is produced. Further, the invention refers to a method for producing a film comprising the material, as well as a material and a film produced by the method of the invention. Moreover, the invention refers to an implant comprising the biocompatible film of the invention.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备式Na生物相容性材料的方法，其中0 = x = 0.8,0.2 = y = 1，x + y = 1，包括以下步骤：（i）提供Na +前体和K-前体，用于Na + > 3 ; （ii）将前体在溶液中混合，由此它们首先反应形成溶胶，然后凝胶; 并且对所述凝胶进行热处理以获得所述材料的氧化物，所述氧化物为Na 2 O 3，NbO 3，0 = x = 0.8,0.2 = y = 1，x + y = 1。 因此，生产具有几个优点的生物相容性材料，例如高度控制的组合物。 此外，本发明涉及一种制造包含该材料的膜的方法，以及通过本发明的方法制备的材料和膜。 此外，本发明涉及包含本发明的生物相容性膜的植入物。